Обеспечить идеально плоское расположение тестового образца или изучаемой поверхности ТИ и ПТ относительно столика микроскопа или микротвердомера. На качественно обработанном ТИ, ПТ и отполированном тестовом образце при наблюдении под микроскопом должны отсутствовать риски, царапины, вырывы. Если это условие не выполняется, то весь комплекс операций необходимо повторить с п. 2.1.1.
Примечание к п. 2.1.1. После механической подготовки на поверхности ТИ, ПТ и тестового образца остаются загрязнения, которые необходимо удалить перед проведением технологического процесса осаждения МП. Данная задача решается с помощью химической и ультразвуковой очистки. К загрязнениям относятся: остатки полировочных паст, пленки жира и масла, пыль окружающей среды, ворсинки от протирочного материала, мельчайшие металлические стружки, окисные пленки. Макроскопические дефекты ТИ, ПТ и тестового образца перед осаждением МП исключаются выбором соответствующей механической обработки (шлифовка, полировка, заточка абразивным материалом), исходя из функциональных требований
кповерхности ТИ и ПТ.
2.2.Этапы химической очистки поверхности ТИ, ПТ и тестового
образца
2.2.1.ОтобратьТИиПТбезбракаиподготовленныетестовыеобразцы.
2.2.2.Обезжирить поверхности ТИ и ПТ органическими растворителями (бензин «Калоша», ацетон ч.д.а.) с целью снятия консервационной смазки. Обезжиривание производится протиркой салфетками из отбеленной бязи.
2.2.3.Контроль качества обезжиривания проводит исполнитель работ после выполнения п. 2.2.2 на одном образце из партии одновременно обрабатываемых методом «разрыва водной пленки». Пинцетом образец помещают в емкость с водой, через 1 мин его медленно вынимают и визуально фиксируют состояние водной пленки. На чистых образцах водная пленка равномерно распределена по поверхности не менее 10…20 с, на загрязненных участках сплошность водной пленки нарушена. В последнем случае все образцы направляют повторно на выполнение пп. 2.2.1, 2.2.2.
Примечание к п. 2.2. При необходимости использования оснастки для закрепления ТИ И ПТ и тестовых образцов на подложкодержателе в вакуумной камере пп. 2.2.1, 2.2.2 выполняется и для оснастки.
2.3.Этапы ультразвуковой очистки поверхности ТИ, ПТ и тестового образца
Ультразвуковая очистка (УЗО) в соответствии с ОСТ 92-1118–79 является эффективным способом удаления из труднодоступных участков
161
ТИ, ПТ и тестового образца тонких загрязнений: от мелких субмикрон- |
|
ных частиц до тонких органических пленок и остатков загрязненного ор- |
|
ганического растворителя. В качестве моющих жидкостей применяются |
|
водные щелочные растворы с добавкой поверхностно-активных веществ |
|
и органических растворителей. Промывка ультразвуком предназначена |
|
для очистки изделий от жировых и механических загрязнений. |
|
Возможные варианты УЗО: |
|
Вариант 1. |
|
– Щелочной раствор следующего состава: |
|
тринатрийфосфат Na3PO4 х 12Н2О, г/л..................... |
20…30 |
или Na3PO4 .................................................................. |
8,6…13,0 |
кальцинированная сода, г/л....................................... |
8,0…10,0 |
синтанол, г/л................................................................ |
3,0…5,0 |
– Температура процесса очистки, К............................. |
323…333 |
– Продолжительность процесса УЗО, мин.................. |
30 |
– Ток, А........................................................................... |
26 |
– Частота, МГц............................................................... |
18 |
Вариант 2. |
|
–Промывка горячим моющим обезжиривающим раствором в ультразвуковой ванне.
–Промывка ТИ и ПТ горячей водой при температуре 333…353 К.
Промывка предназначена для очистки от щелочных пленок, оставшихся на поверхности ТИ и ПТ.
–Сушка ТИ и ПТ в сушильных шкафах в течение 15…20 мин.
–Протирка ТИ и ПТ бязью, смоченной спиртом, перед загрузкой
ввакуумную камеру.
Вариант 3.
–Промывка ТИ и ПТ нефрасом и ацетоном для очистки от жировых
имеханических загрязнений. При промывке ТИ и ПТ нефрасом и ацетоном на участке промывки должны быть предусмотрены: специальное помещение с приточной и вытяжной вентиляцией, железные вытяжные шкафы для хранения нефраса и ацетона, ежедневный вывоз использованного нефраса и ацетона из цеха, так как слив этих материалов в канализацию недопустим.
–Протирка ТИ и ПТ бязью, смоченной спиртом, перед загрузкой в вакуумную камеру.
Возможны также другие варианты промывки, которые зависят от вида инструмента и технологических возможностей.
162
Вариант 4.
–Промывка в растворителе (например, хлористый углерод).
–Промывка в моющем растворе (щелочной раствор).
–Промывка в проточной воде от остатков растворителя и моющего раствора.
–Обезвоживание: сушка в потоке горячего воздуха с очень хорошей фильтрацией воздуха от пылинок либо просушка во фреоне в нескольких последовательных ваннах, либо очистка в пароструйке.
Наиболее эффективными для ультразвуковой очистки ТИ, ПТ и тестового образца являются органические растворители, такие как этиловый спирт и бензин марки «Нефрас» и др. УЗО проводится в несколько этапов.
2.3.1. Положить ТИ, ПТ и тестовые образцы в отдельную емкость
сорганическим растворителем (ацетоном или бензином марки «Нефрас»). 2.3.2. Поместить емкость в ультразвуковую ванну, заполненную во-
дой до определенного уровня.
2.3.3.Произвести ультразвуковую очистку (УЗО) ТИ, ПТ и тестовых
образцов.
Технологические параметры УЗО:
температура в емкости, К.........................................323…333
продолжительность процесса УЗО, мин.................5 Примечание. Температура раствора и время промывки зависит от
размеров, степени загрязнения промываемого ТИ и ПТ.
2.3.4.Достать ТИ, ПТ и тестовые образцы пинцетом, промыть в чистом бензине марки «Нефрас» или ацетоне марки ЧДА.
Примечание. Операция УЗО проводится с использованием чистого растворителя того же состава, что и при химической очистке.
2.3.5.Протереть хлопчатобумажной салфеткой до полного высыхания поверхностного слоя. Следить, чтобы на упрочняемой поверхности не оставалось ворсинок от салфетки.
2.3.6.Протереть ТИ, ПТ и тестовые образцы спиртом поГОСТ18300–87
(норма расхода спирта 0,06 л/м2) и просушить их теплым сжатым воздухом (5 мин) до полного удаления остатков жидкости. Необходимо следить, чтобы при установке ТИ и ПТ в установку к рабочей поверхности не прикасались руками или загрязненными предметами.
Примечание. Данная операция является финишной.
2.3.7. Провести визуальный контроль поверхности ТИ, ПТ и тестовых образцов после ультразвуковой очистки с использованием лупы или
163
оптического микроскопа. Не допускать на рабочих участках поверхности и режущих кромках инструмента следующих дефектов: солевых и оксидных пятен, органических загрязнений в виде жировых отпечатков или разводов, остатков полировальной пасты, водяного конденсата, микропор и других механических дефектов, открывшихся после проведения химической обработки.
Примечание. Рабочими называются участки поверхности ТИ и ПТ, обязательно требующие упрочнения. На поверхности всех ТИ и ПТ не должно быть сколов, трещин и раковин. Отбракованные ТИ и ПТ отправлять руководителю работ.
3. Этапы термической обработки поверхности ТИ, ПТ и тестовых образцов
3.1. Очистка – нагрев ТИ, ПТ и тестового образца в вакуумной камере перед нанесением подслоя МП
3.1.1. Ионная очистка – нагрев ТИ и ПТ и тестового образца в вакуумной камере перед нанесением подслоя МП.
Ионная очистка представляет собой финишную очистку поверхности ТИ, ПТ и тестового образца в вакууме бомбардирующими ионами рабочего газа (при работе магнетронов) или ионами металла (при работе дуговых испарителей), проводимую с целью распыления адсорбированных на поверхности ТИ, ПТ и тестового образца молекул газа, паров воды, тонких органических (жировых) и окисных пленок; удаления микрозагрязнений, препятствующих образованию прочных металлических связей между материалом ТИ, ПТ, тестового образца и МП; нагрева и активации поверхности перед осаждением подслоя МП. В результате проведенной ионной очистки должна быть получена так называемая ювенильная поверхность ТИ, ПТ и тестового образца, свободная от каких-либо микрозагрязнений.
Проведение ионной очистки – нагрева ТИ, ПТ и тестовых образцов электродуговым испарителем
3.1.1.1.Проверить правильность установки оснастки, включив вращение планетарного механизма. Должно отсутствовать зацепление и касание оснастки соседних стоек, стенок вакуумной камеры и прочих внутрикамерных устройств.
3.1.1.2.Произвести откачку вакуума в рабочей камере:
3.1.1.2.1.Открыть вентиль холодной воды.
3.1.1.2.2.Включить подачу сжатого воздуха к установке.
3.1.1.2.3.Включить «Сеть».
164
3.1.1.2.4.Включить форвакуумный насос, открыть клапан для форвакуумной откачки диффузионного насоса.
3.1.1.2.5.Включить электронагреватель диффузионного насоса.
3.1.1.2.6.Установить подготовленные ТИ, ПТ и тестовые образцы
воснастку.
3.1.1.2.7.Закрепить оснастку с ТИ, ПТ и тестовыми образцами на подложкодержателе в вакуумной камере.
3.1.1.2.8.Закрыть форвакуумный клапан и открыть байпасный кла-
пан предварительной откачки вакуумной камеры.
3.1.1.2.9.После достижения в камере давления 1,33 Па (1·10–2 мм рт. ст.) закрытьбайпасныйклапаниоткрытьфорвакуумныйклапан.
Примечание. По истечении 45 мин после включения прогрева диффузионного насоса проверить вакуум в камере. Степень вакуума контролируется вакуумметрами РВТ-1 в двух точках: в магистрали форвакуумного насоса и в верхней части диффузионного насоса. Если вакуум упал, то повторить пп. 3.1.1.2.8, 3.1.1.2.9.
3.1.1.2.10.Откачать вакуумную камеру до давления 1,33·10–3 Па
(1·10–5 мм рт. ст.).
3.1.1.2.11.Проверитьподачуводынаохлаждениедуговыхиспарителей.
3.1.1.2.12.Установить рабочий ток на электродуговых испарителях 50…80 А, включить их.
3.1.1.2.13.Установить ток на оснастке с ТИ, ПТ и тестовыми образ-
цами 1,2 А.
3.1.1.2.14.Провести ионную очистку ТИ, ПТ и тестовых образцов
в течение 1…5 мин.
– При кратковременной ионной очистке (tи.о = 5 мин, Vнагр.подл = = 70 К/мин) подать с высоковольтного источника на оснастку с ТИ, ПТ
итестовыми образцами (температура отпуска его материала до Тотп = 773 К) высокое напряжение не более 600 В. В случае, если Тотп ≤ 1023 К, высокое напряжение, продолжительность ионной очистки и скорость нагрева ТИ, ПТ
итестовых образцов можно увеличить до не более Uвыс = 1000 В, tи.о = 10 мин,
Vнагр.подл = 45 К/мин, соответственно.
– Для равномерного нагрева ТИ и ПТ по всему сечению, снижения отрицательных факторов технологической наследственности и стабилизации структуры материала ТИ и ПТ после ее предварительной механической обработки необходимо увеличить продолжительность ионной очистки до 30…60 мин и уменьшить скорость нагрева ТИ и ПТ до 10…25 К/мин. При
165