Материал: Физические основы электроники

сов ГИ , подключаемого через трансформатор T в силовую цепь тиристора. В нужный момент времени генератор формирует импульс напряжения, который наводит во вторичной обмотке трансформатора импульс с полярностью, встречной по отношению к тиристору, что приведет к снижению прямого тока тиристора до нуля.

4. Подключение параллельно тиристору источника коммутирующей ЭДС (рис. 5.10, д). Выключение тиристора осуществляется замыканием в нужный момент времени ключа K на короткий промежуток времени, определяемый временем рассасывания неосновных носителей в зонах полупроводника.

Описанными способами удается придать тиристору свойства полностью управляемого вентиля.

5.2.2.Запираемые тиристоры

Внастоящее время разработаны новые типы тиристоров, так назы-

ваемые двухоперационные тиристоры, или запираемые тиристоры.

Они являются полностью управляемыми полупроводниковыми приборами, которые можно и включить, и выключить по цепи управления. Такой тиристор в зарубежной терминологии получил обозначение GTO- тиристор (Gate Torn – Off). Это достигается благодаря тому, что в областях анода и катода такой прибор состоит из большого числа технологических ячеек, представляющих отдельные тиристоры, которые включены параллельно.

Структура запираемого тиристора изображена на рис. 5.11. Физические процессы, протекающие в запираемых тиристорах, во многом аналогичны уже рассмотренным для однооперационного тиристора. Исключение составляет процесс выключения отрицательным током управления.

Рис. 5.11. Структура запираемого тиристора (а)

и двухтранзисторный эквивалент (б) одной из ячеек тиристора

171

Во включенном состоянии все переходы тиристора находятся в состоянии насыщения. При достаточной величине, длительности управляющего тока, а также равномерности его распределения по всем ячейкам избыточная концентрация носителей заряда снижается до нуля вблизи коллекторного перехода. При этом коллекторный переход смещается в обратном направлении. Транзисторы начинают работать в активном режиме, и в структуре возникает положительная обратная связь при отрицательном базовом токе в n–p–n-транзисторе VT2. Вследствие лавинообразного уменьшения зарядов в базовых областях анодный ток начинает снижаться. Транзистор VT2 n–p–n-типа первый входит в режим отсечки. Действие положительной обратной связи прекращается, и дальнейший

спад анодного тока определяется рекомбинацией в n -базе тиристора. Вольт-амперная характеристика запираемого тиристора аналогична

характеристике незапираемого тиристора (рис. 5.12). На электрических принципиальных схемах запираемые тиристоры обозначаются условными обозначениями, представленными на рис. 5.13.

5.3. Симметричные тиристоры

Широкое применение в цепях переменного тока получили так называемые симисторы (симметричные тиристоры), которые выполняются на основе многослойной полупроводниковой структуры (рис. 5.14, а).

Основой в симисторе является монокристалл полупроводника, в котором созданы пять областей с чередующимся типом проводимости, которые образуют четыре p–n-перехода. Контакты от крайних областей наполовину шунтируют первый и четвертый p–n-переходы.

172

При полярности внешнего источника напряжения, указанной без скобок, переход П1 окажется включенным в обратном направлении

и ток через него будет исчезающе мал. Весь ток через полупроводниковую структуру при такой полярности источника будет протекать через область p1. Четвертый переход П4 будет включен в прямом направле-

нии, и через него будет проходить инжекция электронов. Значит, при данной полярности источника рабочая структура симистора представляет собой p1 n2 p2 n3 -структуру, аналогичную структуре обычно-

го тиристора, работа которого уже была рассмотрена выше. При смене полярности на противоположную (указана в скобках) уже будет закрыт переход П4 , а переход П1 будет открыт. Структура симистора стано-

вится n1 p1 n2 p2 , т. е. опять аналогична структуре обычного тири-

стора, но направленного в противоположную сторону. Таким образом, в схемном отношении симистор можно представить в виде двух встреч- но-параллельных тиристоров.

Рис. 5.14. Структура симистора (а) и его условное графическое обозначение (б)

IА

Iу 0

UАК

Рис. 5.15. Вольт-амперная характеристика симистора

173

Симистор имеет вольт-амперную характеристику, симметричную относительно начала координат (рис. 5.15), что и нашло отражение в его названии.

Выводы

1.Тиристор представляет собой полупроводниковый прибор, который используется для переключения в электрических цепях. Для тиристора характерны два устойчивых состояния: открытое и закрытое.

2.При открытии тиристора происходит компенсация обратного напряжения на среднем (коллекторном) переходе за счет накопления избыточных зарядов, смещающих переход в прямом направлении.

3.В тринисторе происходит открытие прибора за счет подачи небольшого управляющего тока.

4.Симистор – прибор, который имеет одинаковые вольт-амперные характеристикиприразличныхполярностяхприложенногонапряжения.

5.4. Основные параметры тиристоров

Силовые тиристоры характеризуются параметрами, аналогичными тем, которые рассматривались выше для силовых диодов. Но, кроме того, в технических условиях приводятся параметры цепи управления тиристоров, а также дополнительные параметры, характеризующие силовую цепь тиристора:

1.Напряжение переключения: постоянное – Uпрк, импульсное –

Uпрк и (десятки – сотни вольт).

2.Напряжение в открытом состоянии Uос – падение напряжения

на тиристоре в открытом состоянии (1 3 В).

3. Обратное напряжение Uобр – напряжение, при котором тири-

стор может работать длительное время без нарушения его работоспособности (единицы – тысячи вольт).

4. Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии U зс –

максимальное значение прямого напряжения, при котором не происходит включение тиристора (единицы – сотни вольт).

5. Неотпирающее напряжение на управляющем электроде Uу нот –

наибольшее напряжение, не вызывающее отпирание тиристора (доли вольт).

6. Запирающее напряжение на управляющем электроде Uуз –

напряжение, обеспечивающее требуемое значение запирающего тока управляющего электрода (единицы – десятки вольт).

174

7. Ток в открытом состоянии Iос – максимальное значение тока открытого тиристора (сотни миллиампер – сотни ампер).

8.Обратный ток Iобр (доли миллиампер).

9.Отпирающий ток Iу от – наименьший ток управляющего элек-

трода, необходимый для включения тиристора (десятки миллиампер). 10. Ток утечки Iут – это ток, протекающий через тиристор с разо-

мкнутой цепью управления при прямом напряжении между анодом

икатодом.

11.Ток удержания Iуд – минимальный прямой ток, проходящий

через тиристор при разомкнутой цепи управления, при котором тиристор еще находится в открытом состоянии.

12. Время включения tвкл – это время от момента подачи управляющего импульса до момента снижения напряжения UАК тиристора

до 10 % от начального значения при работе на активную нагрузку (единицы – десятки микросекунд).

13. Время выключения tвыкл , называемое также временем восста-

новления управляющей способности тиристора. Это время от момента, когда прямой ток тиристора становится равным нулю, до момента, когда прибор снова будет способен выдерживать прямое напряжение между анодом и катодом. Это время в основном определяется временем рассасывания неосновных носителей в зонах полупроводника (десятки – сотни микросекунд).

5.5. Применение тиристоров

Силовые тиристоры получили широкое применение в различных областях силовой электроники благодаря своим управляющим свойствам.

В первую очередь это касается устройств преобразовательной техники, таких как управляемые выпрямители, регуляторы напряжения и др. Рассмотрим наиболее характерные примеры их применения.

5.5.1. Управляемые выпрямители

Простейшей схемой управляемого выпрямителя является однофазная однополупериодная схема (рис. 5.16, а). Эта схема идентична схеме на рис. 2.24, c той лишь разницей, что вместо неуправляемого силового вентиля VD здесь используется тиристор VS – прибор с частичной управляемостью.

На интервале (0 π) полярность ЭДC e2 2E2 sin θ на вторичной обмотке трансформатора такая, как показана на рис. 5.16, б.

175