Диодный оптрон используется в качестве ключа и может коммутировать ток с частотой 106…107 Гц и имеет сопротивление между входной и выходной цепями – 1013…1015 Ом.
Транзисторные оптроны благодаря большей чувствительности фотоприемника экономичнее диодных. Однако быстродействие их меньше, максимальная частота коммутации обычно не превышает 105 Гц. Так же как и диодные, транзисторные оптроны имеют малое сопротивление в открытом состоянии и большое в закрытом и обеспечивают полную гальваническую развязку входных и выходных цепей.
Использование в качестве фотоприемника фототиристора позволяет увеличить импульс выходного тока до 5 А и более. При этом время
включения составляет менее 10 5 с, а входной ток включения не превышает 10 мА. Такие оптроны позволяют управлять сильноточными устройствами различного назначения.
Выводы
1.Работа оптоэлектронных приборов основана на принципе внутреннего фотоэффекта – генерации пары носителей заряда «элек- трон–дырка» под действием светового излучения.
2.Фотодиоды обладают линейной световой характеристикой.
3.Фототранзисторы имеют бóльшую интегральную чувствительность, чем фотодиоды, благодаря усилению фототока.
4.Оптроны – оптоэлектронные приборы, в которых обеспечивается электрическая изоляция входных и выходных цепей.
5.Фотоумножители позволяют резко увеличить фототок за счет применения вторичной электронной эмиссии.
Контрольные вопросы и задания
1.Что такое внешний и внутренний фотоэффект?
2.Какими параметрами характеризуется фоторезистор?
3.Какие физические факторы влияют на световую характеристику фоторезистора при больших световых потоках?
4.Каковы отличия в свойствах фотодиода и фоторезистора?
5.Как в фотоэлементе происходит непосредственное преобразование световой энергии в электрическую?
6. Каковы отличия в принципе действия и свойствах фотодиода
и биполярного фототранзистора?
7.Почему тиристор может управлять относительно большими мощностями, чем допустимая мощность рассеяния самого фототиристора?
8.Что такое оптопара?
206
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1.Быстров Ю.А., Мироненко И.Г. Электронные цепи и микросхемотехни-
ка: учебник. – М.: Высш. шк., 2002. – 384 с.
2.Валенко В.С. Полупроводниковые приборы и основы схемотехники электронных устройств / под ред. А.А. Ровдо. – М.: Издат. дом «Додэка
XXI», 2001. – 368 с.
3.Виноградов Ю.В. Основы электронной и полупроводниковой техники. –
М.: Энергия, 1968. – 624 с.
4.Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применение. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Издат. дом «Додэка
XXI», 2005. – 384 с.
5.Гуртов В.А. Твердотельная электроника: учебное пособие. – 2-е изд., доп. – М.: Техносфера, 2005. – 408 с.
6.Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника: учебник для вузов. – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк., 2004. – 790 с.
7.Данилов И.А., Иванов П.М. Общая электротехника с основами электроники: учеб. пособие. – 4-е изд. – М.: Высш. шк., 2000. – 752 с.
8.Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника: учебное пособие. – Р/нД: Фе-
никс, 2000. – 448 с.
9.Морозов А.Г. Электротехника, электроника и импульсная техника. – М.:
Высш. шк., 1987. – 447 с.
10.Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов. – 8-е изд., испр. – СПб.: Лань, 2006. – 480 с.
11.Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника: учебное пособие. – СПб.: Питер, 2004. – 522 с.
12.Петрович В.П., Воронина Н.А., Глазачев А.В. Силовые преобразователи электрической энергии: учебное пособие. – Томск: Изд-во ТПУ, 2009. – 240 с.
13.Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с диодами. – М.: Лайт Лтд., 2000. – 288 с.
14.Ровдо А.А. Схемотехника усилительных каскадов на биполярных транзисторах. – М.: Издат. дом «Додэка XXI», 2002. – 256 с.
15.Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов / под ред. В.А. Лабунцова. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.
16.Усатенко С.Т., Каченюк Т. К., Терехова М.В. Выполнение электрических схем по ЕСКД: справочник. – М.: Изд-во стандартов, 1989. – 325 с.
207