Материал: Физические основы электроники

ответственно возрастает и обратное напряжение на p–n-переходе, а следовательно и его ширина. Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут быть разных типов. В рассматриваемом случае – полевой транзистор с каналом n-типа проводимости, и на принципиальных схемах он обозначается символом, представленным на рис. 4.3, а.

СС

ЗЗ

ИИ

аб

Рис. 4.3. Условные обозначения полевого транзистора, имеющего канал n-типа (а) и p-типа (б)

Если канал имеет проводимость р-типа, то его обозначение такое же, но стрелка затвора направлена в противоположную сторону (рис. 4.3, б).

Если полевой транзистор усиливает сигнал переменного тока, то в цепь затвора необходимо вводить смещение в виде источника ЭДС достаточной величины, чтобы суммарное напряжение на p–n-переходе не изменяло свой знак на положительный, т. к. p–n-переход в таком полевом транзисторе должен быть всегда смещен в обратном направлении. Тогда электрическое поле p–n-перехода, поперечное по отношению к каналу, будет изменяться в точном соответствии с изменением входного сигнала, расширяя и сужая канал. В цепи стока появляется переменная составляющая тока, которая и будет представлять собой усиленный входной сигнал.

Выводы

1.Полевой транзистор это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей заряда, протекающим через токопроводящий канал, и управляемым электрическим полем.

2.Полевой транзистор, в отличие от биполярного, иногда называют униполярным, т. к. его работа основана только на основных носителях заряда либо электронов, либо дырок. Вследствие этого в полевом транзисторе отсутствуют процессы накопления и рассасывания объемного заряда неосновных носителей, оказывающих заметное влияние на быстродействие биполярного транзистора.

3.Основным процессом переноса носителей заряда, образующим ток полевого транзистора, является дрейф в электрическом поле. Проводящий слой, в котором создается рабочий ток полевого транзистора, называется токопроводящим каналом.

146

4.2. Схемы включения полевых транзисторов

Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной, и для выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. 4.4, а).

Рис. 4.4. Схемы включения полевых транзисторов

Схема с общим затвором (рис. 4.4, б) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, т. к. входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.

Схема с общим стоком (рис. 4.4, в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе, и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.

4.3. Статические характеристики полевых транзисторов

Статическими характеристиками полевого транзистора с управляющим p–n-переходом являются управляющие и выходные характеристики. Очень малая величина входного тока (практически его отсутствие) в полевом транзисторе исключает наличие входных характеристик и характеристик обратного действия:

1. Управляющие (стокозатворные) характеристики. Характери-

стики показывают управляющее действие затвора и представляют собой

147

зависимость тока стока от напряжения на затворе при постоянстве напряжения стока:

На рис. 4.5, а представлены управляющие характеристики полевого транзистора с каналом n-типа.

Рис. 4.5. Статические характеристики полевого транзистора

суправляющим p–n-переходом с каналом n-типа

2.Выходные (стоковые) характеристики.

Семейство этих характеристик представляет собой зависимость тока стока от напряжения стока при неизменном напряжении на затворе:

Вид этих характеристик представлен на рис. 4.5, б.

С увеличением Uc ток сначала растет довольно быстро, но затем его

рост замедляется и наступает явление, напоминающее насыщение, хотя с ростом Uc ток стока также должен возрастать. Это объясняется тем, что

с ростом Uc возрастает обратное напряжение на p–n-переходе

иувеличивается ширина запирающего слоя, а ширина канала соответственно уменьшается. Это приводит к увеличению его сопротивления

иуменьшению тока Ic . Таким образом, происходит два взаимно проти-

воположных влияния на ток, в результате чего он остается почти неизменным. Чем больше запирающее напряжение подается на затвор, тем

148

ниже идет выходная характеристика. Повышение напряжения стока в конце концов может привести к электрическому пробою p–n-перехода, и ток стока начинает лавинообразно нарастать. Напряжение пробоя является одним из предельных параметров полевого транзистора.

4.4.Основные параметры полевых транзисторов

1.Крутизна характеристики

затворе.

Крутизна характеризует управляющее действие затвора. Этот параметр определяют по управляющим характеристикам.

2. Внутреннее (выходное) сопротивление

Этот параметр представляет собой сопротивление транзистора между стоком и истоком (сопротивление канала) для переменного тока. На пологих участках выходных характеристик Ri достигает сотен кОм

и оказывается во много раз больше сопротивления транзистора по постоянному току R0.

3. Коэффициент усиления

Коэффициент усиления показывает, во сколько раз сильнее действует на ток стока изменение напряжения затвора, нежели изменение напряжения стока, т. е. выражается отношением таких изменений Uси

и Uзи , которые компенсируют друг друга, в результате чего ток остается постоянным. Для подобной компенсации Uси и Uзи должны

иметь разные знаки, что определяет наличие знака «–» в правой части выражения (4.5).

Эти три параметра (μ, S , Ri ) связаны между собой зависимостью

149

стока.

Поскольку током затвора является обратный ток p–n-перехода, который очень мал, то входное сопротивление оказывается очень большим, что является основным достоинством полевого транзистора.

5. Входная емкость между затвором и истоком Cзи , которая является

барьерной емкостью p–n-перехода и может составлять единицы – десятки пФ, в зависимости от способа изготовления полевого транзистора.

Типовые значения параметров кремниевых полевых транзисто-

Еще одним важным достоинством полевого транзистора является гораздо меньшая температурная зависимость по сравнению с биполярными транзисторами. Это связано с тем, что в полевом транзисторе ток Iс вызван перемещением основных носителей, концентрация кото-

рых в основном определяется количеством примеси и поэтому мало зависит от температуры. Полевой транзистор обладает более высокой стойкостью к действию ионизирующего излучения. Недостатком полевых транзисторов является недостаточно высокая крутизна S , что несколько ограничивает область их применения.

4.5. Полевые транзисторы с изолированным затвором

Полевой транзистор с изолированным затвором – это транзистор,

имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от проводящего канала.

Дальнейшим развитием полевых транзисторов являются транзисторы с изолированным затвором. У них металлический затвор отделен от полупроводникового канала тонким слоем диэлектрика. Поскольку металлический затвор отделен от полупроводника слоем диэлектрика, то входное сопротивление таких транзисторов велико (для современных

транзисторов достигает 1017 Ом).

Полевые транзисторы с изолированным затвором бывают двух типов:

со встроенным (собственным) каналом;

с индуцированным (инверсионным) каналом.

150