Материал: Tverdotila_elektronika

емітерного струму біля краю емітера, в той час як середня частина емітера не працюватиме:

-до зміни умов на випрямних контактах, що приводить до перерозподілу носіїв заряду в базі;

-до перерозподілу товщини КП з боку бази ( ÊÏ Á ) і з

боку колектора ( ÊÏ Ê ) - ÊÏ Á < ÊÏ Ê , що порушує нормальну роботу транзистора;

-до того, що з метою нормального підсилення потужності такі БТ необхідно розраховувати на більші напруги;

-до необхідності збільшення площ переходів;

-до необхідності ефективного тепловідведення з причини підвищення небезпеки теплового пробою.

При виготовленні потужних БТ використовується сплавна, дифузійно – сплавна (у так званих конверсійних транзисторах), а також планарна технологія. Конфігурація емітера таких транзисторів ускладнюється. З метою збільшення струмів збільшують площу ЕП, а для того щоб струм емітера не витіснявся до краю переходу, емітер виготовляють у формі кілець, смуг, зубців. Для забезпечення нормального тепловідведення використовують радіатори, корпус з’єднують з колектором (на противагу малопотужним БТ, у яких корпус з’єднують з базою).

Основним недоліком потужних високовольтних БТ є

низький коефіцієнт передачі струму ( h21E 10 ). Тому для

одержання потужних ключових елементів застосовують складений транзистор (схема Дарлінгтона) – рис. 3.66. Для такої транзисторної структури загальний коефіцієнт передачі струму бази

159

V2

Е

Рисунок 3.66 – Схема складеного транзистора

Завдяки цьому можна одержати коефіцієнт передачі струму до сотні.

Потужні складені транзистори виготовляються на одному кристалі (рис. 3.67).

а) б)

Рисунок 3.67 – Структура однокристального складеного транзистора (а) та його електрична схема (б)

160

4 ПОЛЬОВІ ТРАНЗИСТОРИ

Польові транзистори (ПТ) – це напівпровідникові прилади, в яких протікання струму зумовлене дрейфом основних носіїв заряду під дією поздовжнього електричного поля, а керування величиною цього струму здійснюється за допомогою поперечного електричного поля, яке змінює електропровідність струмопровідної ділянки напівпровідника. Це поле створюється напругою, яку прикладено до керувального електрода.

Існують два типи ПТ: польові транзистори з керувальним p-n переходом (ПТКП) і польові транзистори з

ізольованим затвором, що мають структуру метал – діелектрик – напівпровідник (метал-окис-напівпровідник) і називаються скорочено МДП (МОН) – транзисторами.

Другий елемент позначення ПТ – літера “П”.

4.1 Польові транзистори з керувальним p- n переходом

ПТ з керувальним p-n – переходом (ПТКП) виготовля-

ються з кремнієвого кристала n - або p - типу. Схемні позначення ПТКП показано на рисунку 4.1.

Рисунок 4.1 – Схемні позначення ПТКП з n - каналом (а) і з p - каналом (б)

До таких транзисторів належать прилади: КП 101, КП 102, КП 103, КП 201 – транзистори з p - каналом; КП 302, КП 303, КП 307, КП 312 – транзистори з n - каналом. Як бачимо з позначень, низькочастотні ПТКП мають канал p - типу, високочастотні – канал n - типу. Справа у тому, що в

161

p - каналі основні носії – дірки, а їх рухомість менша, ніж у електронів, які є основними носіями в каналах n - типу.

Схематично будова ПТКП з p - каналом показана на рис. 4.2. Транзистор складається з напівпровідникової області p - типу і двох областей n - типу. Останні з’єднуються разом і утворюють керувальний електрод – затвор. На межах поділу n - областей та p - області виникають високоомні запірні шари – керувальний p-n – перехід.

Рисунок 4.2 – Схематична будова польового транзистора з керувальним переходом і p - каналом

Частина p - області між запірними шарами називається каналом. Під дією джерела напруги U ÑÂ у каналі утворюється поздовжнє електричне поле, яке примушує дірки рухатися до “-” U ÑÂ в напрямі від електрода, що

називається витоком, до електрода, який називається стоком. Отже, в каналі і в зовнішньому колі стоку протікає струм стоку Ic під дією напруги на стоці стосовно витоку

U ÑÂ . На затвор відносно витоку подається напруга U ÇÂ , яка зміщує p-n – переходи в зворотному напрямі. У колі затвора протікає малий струм I Ç .

162

Приклади конструкції ПТКП зображені на рисунку 4.3 (КП 102) та рисунку 4.4 (КП 103). У рамках планарної технології (рис. 4.3) засобом дифузії в приповерхневому шарі кремнієвого кристала n типу створюються вузька

область p типу (канал) і дві високолеговані області p -

типу (витік і стік). На ці області наноситься тонка плівка з алюмінію, до якої припаюються виводи витоку і стоку. Поверхня кристала покривається захисним шаром двоокису кремнію (SiO2). Затвором служить кристал-підкладка, до якого припаюється вивід керувального електрода. Уся конструкція розміщується в герметичному металевому або пластмасовому корпусі.

Рисунок 4.3 – Конструкція ПТКП КП 102

n

З1

Рисунок 4.4 – Фрагмент структури ПТКП КП 103

Польові транзистори типу КП 103, на відміну від попередніх, мають п’ять паралельних каналів, біля кожного з яких розміщений додатковий затвор З2 (першим затвором З1 є підкладка) – рис. 4.4. Наявність п’яти каналів і додаткових затворів дозволяє збільшити струм стоку, а також підвищити ефективність керування товщиною

163