Материал: TTE_Lect1

Рисунок 7.11 – Статичні вхідні характеристики БТ зі спільним емітером

При UКЕ =0 обидва p n переходи транзистора ввімкнено в

прямому напрямі (рисунок 7.12), і вхідна характеристика є прямою гілкою ВАХ двох паралельно ввімкнених переходів.

Рисунок 7.12 – БТ зі спільним емітером при UКЕ =0

При UКЕ <0 КП вмикається у зворотному напрямі, і в колі бази проходить струм

починає зростати струм IE , а разом з ним – рекомбінаційна складова

81

характеристик БТ зі спільним емітером у довіднику області негативних струмів бази не зображають.

Вихідні характеристики

Це залежності IK f (UKE / IБ ) const (рисунок 7.13).

Рисунок 7.13 – Статичні вихідні характеристики БТ зі спільним емітером

Межею між РВ та АР є характеристика, що знята при струмі бази IБ < - I КБ0 . Це зумовлено особливостями вхідних характеристик

схеми зі спільним емітером, тобто тим, що IБ <- I КБ0 лише при

82

Зміщення характеристик у бік більших струмів колектора зумовлене характером залежності h21E f (IБ ) (рисунок 7.14).

Рисунок 7.14 – Залежність h21E f (IБ )

Характер проходження вихідної характеристики БТ при фіксованому струмі бази IБ 0 проявляється наступним чином. При

UКЕ =0 за рахунок того, що потенціал бази нижчий, ніж однакові

потенціали емітера і колектора, ЕП і КП увімкнено в прямому напрямі, і БТ перебуває в РН. Тепер, якщо збільшувати негативний потенціал на

колекторі (UКЕ <0), потенціальний бар’єр КП збільшується, інжекційна

складова колекторного струму спадає, а керований струм колектора за рахунок зростаючої екстракції дірок з бази до колектора збільшується.

транзистор переходить до АР, зростання колекторного струму сповільнюється, що на характеристиках рисунка 7.13 відповідає початку пологої ділянки. Важливим є те, що нахил вихідних характеристик БТ зі спільним емітером на пологій ділянці більший за нахил відповідних

83

характеристик БТ зі спільною базою, тобто у ССЕ струм IК зростає

при збільшенні колекторної напруги швидше, ніж у ССБ. Це зумовлено двома причинами.

1 Напруга UКЕ , на відміну від вихідної напруги UКБ у ССБ,

збільшення емітерного IЕ , а отже, і колекторного IК струмів.

2 Зростання негативної напруги UКЕ приводить до збільшення

товщини КП і зменшення активної ширини бази . Це приводить до зменшення рекомбінаційного струму бази, бо зменшується ймовірність рекомбінації дірок з електронами. Однак при одержанні вихідних характеристик БТ зі спільним емітером потрібно підтримувати струм

струму бази можна компенсувати збільшенням струму емітера IЕ (за рахунок збільшення напруги UБЕ ). А ця обставина викликає додаткове зростання колекторного струму IК .

7.1.3 Статичні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним колектором

Рисунок 7.15 – Статичні вхідні характеристики БТ зі спільним колектором

84

вихідних характеристик схеми зі спільним емітером, тому що IЕ IK ,

аUЕK UKE .

7.1.4Вплив температури на статичні характеристики транзисторів

Температурна залежність вихідних або вхідних характеристик зумовлена зміною відповідно колекторного або емітерного струму при зміні температури.

Схема зі спільною базою У ССБ, згідно з рівнянням (6.10), зміна колекторного струму

при постійному струмі емітера

dIK IEdh21Б dhKБ0 .

Відносна зміна струму колектора

характеристик. Другий додаток у формулі (7.39) визначає температурний дрейф характеристик, викликаний температурною

де IКБ0 (T1) - зворотний струм при температурі T1 ;

IКБ0 (T2 ) - зворотний струм при температурі T2 ;

85