Материал: TTE_Lect1

потоку від випромінювача, і це приводить до зміни внутрішнього опору фотоприймача (фотодіода), струму у вихідному колі й напруги, що

знімається з навантаження RH .

Рисунок 14.15 – Схема вмикання діодного оптрона

До основних параметрів оптрона належать:

-коефіцієнт передачі K =Uвих /Uвх швидкодія;

-опір розв’язки RР 1012 Ом; -ємність розв’язки СР 10 14 Ф.

Переваги оптронів:

-можливість керувати високими напругами за допомогою низьких напруг, завдяки високій електричній ізоляції (RР 1012 Ом).

-широка смуга пропускання (від постійної складової до гігагерців). -фізична й конструктивна різноманітність; широта функціональних

можливостей.

Оптронам властиві й деякі недоліки. До них належать висока споживана потужність, сильна температурна залежність характеристик, складність виготовлення, високий рівень власних шумів.

Залежно від виду фотоприймача розрізняють (рисунок 14.16) діодні, резисторні, транзисторні, тиристорні оптрони.

Рисунок 14.16 – Схемні позначення різновидів оптронів: а – діодний; б – резисторний; в – транзисторний; г – тиристорний

196

Швидкий розвиток оптоелектроніки уможливив у багатьох випадках заміну елементів електронних схем оптронами. Деякі приклади такої заміни наведені у табл. 14.1.

Таблиця 14.1

Список скорочень

ВАХ – вольт-амперна характеристика ВД – випрямлювальний діод ВЗ – валентна зона ЗЗ – заборонена зона ЗП – зона провідності

ЕРС – електрорушійна сила НП – напівпровідник ОД – обернений діод ТД – тунельний діод

ТКН – температурний коефіцієнт напруги АР – активний режим БТ – біполярний транзистор ЕП – емітерний перехід ІР – інверсний режим КП – колекторний перехід НП – напівпровідник РВ – режим відсічення РН – режим насичення

ССБ – схема зі спільною базою ССЕ – схема зі спільним емітером ССК – схема зі спільним колектором ЕРС – електрорушійна сила ККД – коефіцієнт корисної дії

МДН – метал-діелектрик-напівпровідник МОН – метал-окис-напівпровідник НПП – напівпровідниковий прилад ПЗЗ – прилад з зарядовим зв’язком ПТ – польовий транзистор

ПТУП – польовий транзистор з керувальним p-n – переходом

198

Список літератури

1.Москатов Е. А. Электронная техника. – Таганрог, 2004. – 121 с.

2.Федосеева Е.О., Федосеева Г.П. Основы электроники и микроэлектроники: Учебник. – М.: Искусство, 1990. – 240 с.

3.Булычев А.Л. Электронные приборы. -М.: Воениздат, 1982.–416 с.

4.Батушев В.А. Электронные приборы. – М.: Высшая школа, 1980. – 383 с.

5.Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. – М.: Высшая школа 1987. – 433 с.

6.Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1987. – 672 с.

7.Тугов Н.М., Грабов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.

8.Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. –

К.: Техника, 1984. – 424 с.

9.Малахов В.П. Схемотехника аналогових устройств: Учебник. – Одесса : Астропринт, 2000. – 212 с.

10.Евецкий В.Л., Никонов В.Ф. Электронные приборы и основы микроэлектроники: Основы микроэлектроники / Ч.П: Конспект лекций. – Киев: КВИРТУ ПВО, 1988. – 280с.

11.Справочник по расчету электронных схем. Б.С. Гершунский. – Киев: Вища школа. Изд-во при Киев. ун-те, 1983. – 240с.

12.Забродин Ю.С. Промышленная электроника. Учебник для вузов. –

М.: Высш. Школа, 1982. – 496с.

199

ЗМІСТ ПЕРЕДМОВА ……………………………………………….. . 2

ЛЕКЦІЯ 1 …………………………………………………….. 3

ЕЛЕМЕНТИ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ТА ЕЛЕКТРОННОДІРКОВИХ ПЕРЕХОДІВ ……………......3

ЛЕКЦІЯ 4 ……………………………………………………. 34

НАПІВПРОВІДНИКОВІ ДІОДИ ………………………… 34

ЛЕКЦІЯ 6 …………………………………………………….. 56

БІПОЛЯРНІ ТРАНЗИСТОРИ …………………………… 56