Материал: Rozrakhunkovo_grafichna_robota

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

де N_aCdTe,N_dZnS – концентрації донорів і акцепторів у відповідних матеріалах.

Після розрахунку вказаних фізичних величин приступити до побудови зонної діаграми гетеропереходу в рівноважному стані. При цьому врахувати, що при приведені напівпровідників у контакт, положення рівня Фермі у матеріалах стає однаковим (рис.5).

Побудову проводити або з використанням міліметрового паперу або будь-якого графічного редактора.

Для розрахунку темнової ВАХ реального гетеропереходу використати співвідношення, що давалися у лекційному курсі та наведені у довідниковій частині методичної вказівки. Для цього спочатку розрахувати n_i, U_k, J_s, I_s.

Всі розрахунки проводити в системі СІ.

Рис. 5. Зонна діаграма гетеропереходів p-Ge – n-GaAs та n-Ge – p-GaAs в рівноважному стані

Зміст завдання 2

Побудувати світлову ВАХ фотоелектричного перетворювача при температурі вказаній у таблиці 6 за номером 2. Знайти його напругу холостого ходу, струм короткого замикання, фактор заповнення ВАХ та ККД. Умова освітлення АМ1 для варіантів 1-10 та AM0 для варіантів 11-20.

Методичні вказівки до завдання 2

Беручись за виконання завдання 2 слід згадати, що світлова ВАХ сонячного елементу зсунута відносно темнової за струмом на величину світлового струму I_sc = I_L.

Коефіцієнт корисної дії фотоперетворювача розраховується за формулою

 =, (10)

де Р_s – потужність сонячного випромінювання, що падає на сонячний елемент; FF – фактор заповнення ВАХ (коефіцієнт форми ВАХ), який дорівнює (рис. 6).

Рис.6. Визначення фактора заповнення FF ВАХ сонячного елементу

FF = , (11)

де I_mта U_m – густина струму та напруга, що відповідають найбільшій потужності приладу.

Звідси вихідна потужність фотоперетворювача дорівнює

P = IU = . (12)

Положення точки максимальної потужності на ВАХ можна знайти прийнявши, що dP/dU = 0 (умова екстремума функції) (рис. 6).

Звідси отримаємо значення струму та напруги у цій точці

, (13)

, (14)

де  =.

Таким чином, максимальна вихідна потужність фотоперетворювача визначається співвідношенням

 . (15)

Густина фотоструму, що виробляється сонячним елементом визначається шириною забороненої зони поглинаючого матеріалу, його квантовим виходом та деякими іншими конструктивними особливостями приладу.

J_L(E_g) = q, (16)

де J_L - густина фотоструму;  - коефіцієнт поглинання світла матеріалом, який залежить від v; Q – квантовий вихід (число електронно-діркових пар, що утворюються в матеріалі при падінні на нього одного фотона світла).

Нижня межа інтегрування може бути знайдена з виразу h = E_g, де E_g – ширина забороненої зони поглинаючого матеріалу.

У першому наближенні можна вважати що сонце випромінює енергію як абсолютно чорне тіло з температурою Т = 5900 К. Добре відомо, що випромінювальна здатність абсолютно чорного тіла задається співвідношенням

f(, T) = , (17)

Підставивши цей вираз у співвідношення (16) остаточно знайдемо значення світлового струму фотоперетворювача

I_L(E_g) = J_LS = q. (18)

Отриманий вираз дозволяє знайти фотострум сонячного елемента на основі будь-яких напівпровідникових матеріалів.

На щастя густина струму фотоперетворювачів на основі шарів CdTe давно розрахована і дорівнює J_L = 26 мА/см²в умовах освітлення АМ1.

Повна потужність випромінювання сонця в умовах АМ1 на широтах, що відповідають місту Суми (сонце в зеніті), складає Р_s= 925 Вт/см², в умовах АМ2 (кут падіння сонячного випромінювання на поверхню землі 60⁰) – 691 Вт/см².

5 Довідниковий мінімум Основні формули, що використовуються у ргр

N_c	– ефективна густина станів у зоні провідності напівпровідника;
N_	– ефективна густина станів у валентній зоні напівпровідника, де m_n, m_p– ефективні маси електронів і дірок; k – стала Больцмана; T – температура; h – стала Планка;
	– концентрація носіїв заряду у власному напівпровіднику, де E_g - ширина забороненої зони матеріалу;
n = N_c	- концентрація носіїв заряду у електронному напівпровіднику;
p =N_	концентрація носіїв заряду у дірковому напівпровіднику, де E_F- положення рівня Фермі;
np =	– закон діючих мас
U_k= E_g- ln =
E_g- ln.	- U_k – контактна різниця потенціалів на p-n – переході; N_d, N_a– концентрації донорних та акцепторних домішок у матеріалі; q - заряд електрона
φ_т=	- температурний потенціал;
=	- ширина збідненої області на переході з боку електронного матеріалу; U – прикладена зовнішня напруга
=	- ширина збідненої області на переході з боку діркового матеріалу;
E(x) = - (- x)	- розподіл напруженості електричного поля вдовж переходу, n- область
E(x) = - (+ x)	- розподіл напруженості електричного поля вдовж переходу, р- область
= =	- максимальне значення напруженості електричного поля на p-n переході
(x)=-()².	- розподіл потенціалу електричного поля вдовж переходу, n- область
(x)=-()²	- розподіл потенціалу електричного поля вдовж переходу, р- область
= qU_k	- зв'язок між потенціалом та контактною різницею потенціалів на переході
= S()	- бар’єрна ємність різкого переходу
I = ()	- вольт-амперна характеристика ідеалізованого діоду на p-n- переході
	- тепловий струм через ідеальний гомоперехід
I = ()	- вольт-амперна характеристика реального гетеропереходу
= ()	- струм насичення гетеропереходу, А  2
	- дифузійна довжина вільного пробігу електронів
	- дифузійна довжина вільного пробігу дірок
FF =	- фактор заповнення ВАХ сонячного елемента
 =	- ККД фотоперетворювача

Основні константи, що використовуються у ргр

k = 1,38110^-23 Дж/К		- стала Больцмана
q = 1,60210^-19 Кл	- заряд електрона
ε₀= 8,85410^-12Ф/м	- електрична стала
h = 6,626 10^-34 Джс	- стала Планка
с = 2,999 10⁸ м/с	- швидкість світла у вакуумі
ε = 16	- відносна діелектрична проникність германію (Т= 300 К)
ε = 11,7	- відносна діелектрична проникність кремнію (Т= 300 К)
ε = 12,9	- відносна діелектрична проникність GaAs (Т= 300 К)
ΔE_g_Ge= 0,72 еВ	- ширина забороненої зони германію
ΔE_g_Si = 1,12 еВ	- ширина забороненої зони кремнію
ΔE_gGaAs = 1,44 еВ	- ширина забороненої зони GaAs
μ_n= 3800 см²/Вс	- рухливість електронів у германії при Т= 300 К
μ_n= 3000 см²/Вс	- рухливість електронів у кремнії при Т= 300 К
μ_n= 8500 см²/Вс	- рухливість електронів у GaAs при Т= 300 К
μ_p= 1820 см²/Вс	- рухливість дірок у германії при Т =300 К
μ_p= 500 см²/Вс	- рухливість дірок у кремнії при Т = 300 К
μ_p= 420 см²/Вс	- рухливість дірок у GaAs при Т = 300 К
m_n1 = 0,22m_e	- ефективна маса електрона в германії
m_n2 = 1,06m_e	- ефективна маса електрона в кремнії
m_n3 = 0,067m_e	- ефективна маса електрона в арсеніді галію
m_р₁ = 0,39m_e	- ефективна маса дірки в германії
m_р₂ = 0,56m_e	- ефективна маса дірки в кремнії
m_р₃ = 0,45m_e	- ефективна маса дірки в арсеніді галію

Смотрите также:


«ДОХОДЫ, РАСХОДЫ И ПРИБЫЛЬ КОММЕРЧЕСКОГО БАНКА.»
«ДОХОДЫ, РАСХОДЫ И ПРИБЫЛЬ КОММЕРЧЕСКОГО БАНКА.»
Значение, сущность и содержание социально — педагогической деятельности в организации для детей-сирот и детей, оставшихся без попечения родителей
Проактивные методы PR-деятельности российских авиационных компаний «Россия», «Азимут»
__RGR2
__RGR2
_11_А. Франс для эл версии
_3 тема - Диффузия
_индив анализ данных