Материал: Rozrakhunkovo_grafichna_robota

Перенесенням точок В та С на вхідну навантажувальну характеристику визначити робочу ділянку на ній, а також використовуючи метод усереднення виміряти відповідні цій ділянці амплітуди Uт_к та Іт_к

Використовуючи визначені графоаналітичним методом амплітуди Uт_к, Іт_к, Іт_Б при заданій амплітуді вхідної напруги Uт_Б, розрахувати за формулами (4), (9) параметри режиму підсилення транзисторного каскаду зі спільним емітером та температурною стабілізацією.

Розрахунково-графічна робота 2 (другий семестр).

Розрахунок основних характеристик фотоперетворювачів сонячної енергії на основі гетеропереходів.

Розрахункова частина

Варіанти початкових даних для розрахункової частини РГР наведені в табл.6.

Таблиця 6. Початкові данні для розрахункової частини РГР2

Зміст завдання 1

1. Побудувати зонну діаграму гетеропереходу з межею поділу матеріалів близькою до ідеальної. Використати значення фізичних величин наведених у таблицях 6 та 7.

2. За відомими значеннями параметрів побудувати темнову ВАХ гетеропереходного сонячного елемента при трьох різних температурах, якщо вона задається виразом . Початкові данні взяти з таблиці 6 у відповідності до варіанту.

3. Знайти коефіцієнт випрямлення діоду (К) при цих температурах як відношення прямого струму до зворотного при напрузі U = 1 В.

4. У точці перетину дотичної до прямої гілки ВАХ в області великих струмів з віссю напруги визначити контактну різницю потенціалів U_k на гетеропереході. Розрахувати висоту потенціального бар'єра на переході qU_k

Таблиця 7. Деякі фізичні характеристики CdS та CdTe

Методичні вказівки до завдання 1

При побудові енергетичної діаграми гетеропереходу вважати, що межа розділу матеріалів є близькою до ідеальної, на ній відсутні приповерхневі стани.

Спочатку побудувати діаграми енергетичних зон матеріалів до їх контакту. Для цього від рівня вакууму, який вважається нульовим відкласти вниз у вибраному масштабі енергію електронної спорідненості, а потім енергію ширини забороненої зони матеріалу. За відомою концентрацією легуючої домішки у матеріалі розрахувати положення рівня Фермі, вважаючи, що всі домішки іонізовані (n = N_d, p = N_a). Для цього використати співвідношення

n = N_c,

.

де n - концентрація носіїв заряду у електронному напівпровіднику; p - концентрація носіїв заряду у дірковому напівпровіднику; E_F - положення рівня Фермі; N_c, N_ - ефективна густина станів у зоні провідності, валентній зоні.

Відлік енергії рівня Фермі ведеться від низу зони провідності.

Ефективна густина станів у зоні провідності (валентній зоні) напівпровідника визначається виразами

N_c ,

N_ ,

де m_n, m_p – ефективні маси електронів і дірок; k – стала Больцмана; T – температура; h – стала Планка;

У подальшому для побудови діаграми енергетичних зон напівпровідників використати рис. 4.

Рис. 4. Зонні діаграми гетеропереходів при різних комбінаціях спорідненості і ширини забороненої зони матеріалів у випадку рівності їх термодинамічних робіт виходу ₁ = ₂

Для побудови діаграми енергетичних зон напівпровідників після утворення різкого гетеропереходу спочатку слід знайти розриви зон на гетерограниці. Наприклад, розриви зон провідності E_c та валентної E_v матеріалів переходу n-CdS/p-CdTe можна визначити з використанням виразів:

,

.

Відомо, що сумарний контактний потенціал на гетерограниці, обумовлений різницею робіт виходу матеріалів, дорівнює:

=.

Відношення потенціалів та задається виразом: