Если положить начальные фазы этих
колебаний на входе щелевого моста (ЩМ)
равными нулю, то благодаря сдвигу фаз
сигналов в выходных плечах моста на
в ответвленном сигнале, получим:
На диоде
напряжение складывается из компонент:
На диоде
:
Диоды включены встречно-параллельно,
поэтому через нагрузку
течет разность токов промежуточной
частоты
.
При полной симметрии схемы результирующий
ток
т. е. токи полезных сигналов складываются
в нагрузке синфазно. Представим
амплитудные шумы гетеродина, действующие
в полосе сигнала
и в полосе зеркального канала
как боковые полосы АМ колебаний с несущей
,
т. е.
,
где
– изменение фазы шумового сигнала.
Прием шумов гетеродина в полосе сигнала
на встречно включенных диодах дает
шумовой ток:
.
Следуя предыдущему анализу, получим
взаимную компенсацию шумов гетеродина
в нагрузке. Аналогичными выкладками
можно показать, что шумы гетеродина
также вычитываются в нагрузке.
В реальных БС вследствие неизбежного различия в параметрах диодов шумы гетеродина подавляются на 15…30 дБ. На практике проводят подбор пар диодов для БС.
Особенности схемотехнического использования p-i-n диодов
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
Рассмотрим простейшие схемы переключателей, фазовращателей и ограничителей. Переключатели — важнейшие элементы приемо-передающих трактов любой радиоэлектронной системы. От них требуются малые потери мощности в режиме пропускания, высокая изоляция при запирающем режиме, низкие нелинейные искажения.
Рис. 4 Схема переключателя на 2 канала
В качестве примера на рисунке 4 представлена топология микрополоскового переключателя на два канала (SPDT — Single Pole Double Throw) с использованием четырех диодов D –D . В этой схеме микроволновый сигнал, 14 идущий из плеча 1, попадает в плечо 2 или 3, в зависимости от полярности поданного на диоды управляющего напряжения от источников UA и UB. При подаче на D1 и D2 положительного напряжения, а на D3 и D4 отрицательного, сигнал пойдет в плечо 3. При обратной полярности в плечо 2. Длина микрополосковых линий, определяющая место подключения диодов относительно входного Т разветвления, выбирается из условия одинаковых фаз сигналов, поступающих на диоды, и обеспечения малых потерь.