Сильномагнитные материалы подразделяются по химическому составу на две группы: ферромагнетики и ферримагнетики.
Ферромагнитные ЭТМ имеют µ много больше 1 (до 106) и µ =f (Н, Т). Представители: железо (Fe), кобальт (Co), никель (Ni) и их сплавы, а также некоторые РЗЭ (гадолиний (Gd), эрбий (Er), диспрозий (Dy) и др.)
Температура Кюри, при которой наблюдается резкий спад µ (рис. 2.5), связанный с тепловой разориентацией магнитных моментов в доменах, приведена в табл. 2.1.
Таблица 2.1
Температура Кюри некоторых ферромагнитных материалов
Материал |
Тк, ° С |
|
|
Гадолиний (Gd) |
18 |
|
|
Никель (Ni) |
358 |
|
|
Железо (Fe) |
769 |
|
|
Кобальт (Co) |
1131 |
|
|
Ферримагнитные ЭТМ имеют µ много больше 1 (до 106) и µ = f (Н, Т). Удельное сопротивление ферромагнетика много меньше, чем удельное сопротивление ферримагнетика, то есть ферромагнетик — это проводник, а ферримагнетик — это полупроводник:
Иногда ферримагнетики называют «магнитными полупроводниками». Ферримагнетики отличаются, как было отмечено выше, от ферромагнетиков химическим составом. Они представляют собой смесь оксидов металлов; если в смеси есть оксид железа, то такой ферримагнетик называется феррит.
Общая формула феррита: МеО·Fe2O3, где МеО — оксид металла. Примеры ферритов: MnO – ZnO – Fe 2O3 — марганец-цинковый фер-
рит; NiO – ZnO – Fe 2O3 — никель-цинковый феррит; BaO·6Fe2O3 —
бариевый феррит.
Ферриты — это керамика, которая получается из порошкообразных оксидов путем формования (например, прессования) и
18
высокотемпературной обработки (спекание) в строго контролируемой газовой среде (рис. 2.6).
Рис. 2.6. Технологический цикл изготовления ферритов
Керамика значительно более дешевый материал, чем никель и кобальт. Это, а также возможность использования ферритов при высоких частотах, предопределили широкое использование ферритов в современной радиоэлектронике.
Выводы (по сильномагнитным материалам):
в технике используются сильномагнитные материалы; ферромагнетики (железо, кобальт, никель и их сплавы) приме-
няются при низких частотах, а ферриты при средних и высоких, в том числе при сверхвысоких частотах (СВЧ) (рис. 2.7);
остаточная намагниченность (Br) у ферромагнетиков больше, чем у ферримагнетиков: ферромагнетики: Br = Br max = 2,4 Тл; ферримагнетики: Br = Br max = 0,15 – 0,5 Тл. Остаточная намагниченность материала имеет большое значение, в частности, для постоянных магнитов.
Рис. 2.7. Частотная зависимость µ для сильномагнитных материалов
19
2.3. КЛАССИФИКАЦИЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ПО ПРИМЕНЕНИЮ В ТЕХНИКЕ
Критерием для классификации является область техники, в которой применяется материал и его отдельные электрофизические свойства. Исходя из существования трех, взаимно дополняющих друг друга, классификаций ЭТМ по поведению в электрическом и магнитном полях и по применению в технике, общую классификацию электротехнических материалов можно представить следующим образом
(рис. 2.8).
ЭТМ по применению в технике делятся на проводники, полупроводники, диэлектрики и магнитные материалы.
Проводники |
|
|
Полупроводники |
I классификация |
|
Диэлектрики |
по поведению в Е-поле |
III классификация |
|
|
по применению в технике |
Магнитные |
II классификация |
|
материалы |
по поведению в Н-поле |
|
Рис. 2.8. Классификация ЭТМ
Проводники (ρ20 ° С менее 10- 5 Ом·м). По применению в технике проводники делятся на:
проводники с высокой электропроводностью ρ20 ° С менее 5·10- 8 Ом·м. Эти проводники должны иметь минимальное содержание примесей, порядка 10- 4 %. Применяются для монтажных проводов, кабелей, интегральных схем, компакт-дисков и др.;
проводники с высоким удельным электрическим сопротивлением более 10- 6 и менее 10- 5 Ом·м. Данные проводники, как правило, представляют собой сплавы, например, нихром (Ni – Cr – Fe), или проводящие модификации углерода. Применяются в нагревательных приборах, резисторах, термопарах, подвижных электрических контактах.
20
Полупроводники (10- 6< ρ20 ° С < 109 Ом·м). В полупроводниках содержание примесей должно быть меньше или равно 10- 8 %, причем примеси должны быть строго контролируемыми для изменения типа проводимости. Важнейшие полупроводники: Si, Ge, SiC, GaAs. Полупроводники применяются для создания полупроводниковых электронных приборов (транзисторы, тиристоры, микропроцессоры, лазеры, солнечные элементы и другое).
Диэлектрики (ρ20 ° С более 10- 8 Ом·м). Мерой поляризации диэлектрика является относительная диэлектрическая проницаемость, обозначаемая в соответствии с ГОСТ 1494−77 символом εr (индекс r от английского слова «relative» — относительный). Далее в тексте индекс r не используется с целью упрощения индексации параметров.
Согласно одному из уравнений электромагнитного поля
D=εаЕ , |
(2.2) |
где εа — абсолютная диэлектрическая проницаемость, определяемая выражением εа = ε·ε0.
Таким образом, относительная диэлектрическая проницаемость
равна: |
|
|
|
|
ε= |
D |
, |
(2.3) |
|
ε0 Е |
||||
|
|
|
где D — электрическая индукция, (Кл/м2), которая характеризует количество заряда, протекающего через некоторую поверхность, отнесенного к этой поверхности; Е — напряженность электрического поля, (В/м); ε0 = 8,85·10- 12 Ф/м — электрическая постоянная.
Относительная диэлектрическая проницаемость (ε) показывает во сколько раз емкость конденсатора (Сд) с диэлектриком больше емкости того же конденсатора, между обкладками котороговакуум(Со):
Сд / C0 = εа / ε0 = ε. |
(2.4) |
21
По применению в технике диэлектрики делятся на пассивные и активные.
Пассивные или линейные диэлектрики характеризуются от-
сутствием зависимости относительной диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля меньшей величины электрической прочности диэлектрика (рис. 2.9).
Пассивные диэлектрики — это электроизоляционные материалы. По ГОСТ «назначение электрической изоляции — воспрепятствовать прохождению тока путями, нежелательными для данной электрической схемы». Иными словами, удельное электрическое сопротивление должно стремиться к максимуму.
Рис. 2.9. Зависимость ε и D от Е для пассивного (линейного) диэлектрика
При этом следует различать два случая:
если материал используется только как электрический изолятор, то относительную диэлектрическую проницаемость стремятся уменьшить до минимума. Это будет способствовать уменьшению вероятности возникновения паразитных наводок в электрической схеме. Кроме того, при использовании пассивного диэлектрика в печатных платах уменьшение ε способствует увеличению быстродействия;
если пассивный диэлектрик используется как конденсаторный материал, то относительную диэлектрическую проницаемость
22