Материал: Транзисторы

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Транзисторы кремниевые п-р-п

диффузионные высоковольтные КТ601А'

А. Общие и конструктивные данные

/. Основное назначение

Работа в видеокаскадах телевизионных приемников и в аппа­ ратуре народнохозяйственного и бытового применения.

2 . Г а б а р и т н ы й ч ер т еж и р а с п о л о ж е н и е вы водов

 

 

3. К о н с т р у к т и в н ы е д а н н ы е

 

 

Вес транзистора

(макс.)

 

3 г

Высота

корпуса

(макс.)

11,7

мм

Диаметр

корпуса

(макс.)

13,7

*

Длина выводов

(мин.)

38

%

Диаметр

выводов (мин.)

0,5

ъ

4.

У ст ой ч и вост ь п р о т и в вн еш н и х

во зд ей ст ви й

Диапазон температур окружающей среды .

20-*--f-55°C

Относительная влажность при + 40± 50°С

9 5 9 8 %

Ударные

ускорения (макс.)

50 g

Вибраиия в диапазоне частот 10-^70 гц (макс, уско­

рение)

 

3 g

5. Тепловые параметры

 

Определение

 

 

Обозна­

Един.

Величина

 

 

 

чение

изм.

Наибольшая

температура

перехода

 

 

 

°с

150

(кристалла)

 

 

 

^макс

Наименьшая

температура

перехода

 

 

 

°с

—20

(кристалла)

 

 

 

^мин

Б . Э лектрические

п ар ам етр ы и

д ан н ы е

 

/. М аксимально допустимые данные

 

при температуре окружающей

среды

Т с= —20-*. +55° С

 

1. МОЩНОСТИ (мет) И ТОКИ (ма)

 

 

Определение

 

 

 

 

Обозна­

Величина

 

 

 

 

 

чение

Постоянная

мощность, рассеиваемая

тран­

 

 

15001

зистором без теплоотвода

 

 

 

Р т

Постоянный ток коллектора

 

 

 

т

ГэоТ

 

 

 

 

 

 

 

1

 

При температуре окружающей

среды

свыше

+25° С

мощность

снижается в соответствии с формулой

 

 

 

 

 

Рm =

4 (150° С — 7*°),

мет.

 

 

 

2. НАПРЯЖЕНИЯ (в)

 

 

 

 

Определение

 

 

 

 

Обозна­

Величина

 

 

 

 

 

чение

Напряжение

коллектор — база

при

хх

в

 

 

|ю о |

цепи эмиттера

 

 

 

 

£/кбо

Напряжение

коллектор — эмиттер при

кз

 

 

|100|

в цепи базы

 

 

 

 

Укэк

Напряжение эмиттер — база

при хх в це­

 

пи коллектора

УэбО

ш

 

/ / . Н а ч а л ь н ы е т о к и (м к а )

 

 

 

 

 

 

 

 

о

 

 

 

при температуре окружающей среды Г с= + 2 0 ± 5 °С

 

 

 

 

 

 

Обозна­

 

Величина

 

 

Определение

 

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

мин.

 

макс.

 

 

 

 

 

 

 

 

Ток коллекторного перехода при кз

 

 

 

 

 

выводов

база— эмиттер

и с/иэ =

 

 

 

 

 

= 100 в

 

 

 

^кэк

25

 

15 0 0 1

То же, при С/Кэ=50 в

 

 

^кэк

10

 

щ

 

Ток эмиттерного перехода при хх в

 

 

 

 

 

цепи коллектора и U0a = 2 в

 

^эбо

8

 

fsoj

 

 

///. У с и л и т е л ь н ы е

п а р а м е т р ы

 

 

 

 

1. ПАРАМЕТРЫ ЧЕТЫРЕХПОЛЮСНИКА И ЧАСТОТЫ

 

 

 

при 7° = -f20±5°С,

UK= 20 в,

/ э=10

ма

 

 

 

 

 

 

Обозна­

Един.

Величина

 

 

Определение

 

 

 

 

 

 

 

 

чение

нам.

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

Коэффициент усиления по

току

 

h2\s

и

180

Предельная частота усиления по то­

 

Мгц

7

 

 

ку в схеме с общим эмиттером

 

f i

 

 

 

 

2. ЕМКОСТИ

 

 

 

 

при температуре окружающей среды Т °= + 20± 5°С

 

 

 

 

 

Величина

Режим измерений

 

Обозна­

Един.

 

 

 

 

 

Определение

чение

изм.

мин.

 

ик

ма

л(гц

 

 

 

 

 

 

в

Емкость

коллекторного

 

пф

3

|1 5 |

20

5

перехода

с к

Постоянная времени це­

г'6Ск

псек

100

|600|

50

6

5

пи коллектора

CD С

Типовые входные характеристики транзисторов

Типовые выходные характеристики транзисторов

КТ601А для схемы с общим эмиттером

КТ601А для схемы с общим эмиттером

Типовая зависимость тока коллекторного перехода транзисторов КТ601А от темпе­ ратуры окружающей среды

•Типовая зависимость коэффициента усиления по току тран­ зисторов КТ601А от напряжения на коллекторе