Материал: Транзисторы

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

а

Типовые выходные характеристики транзисторов ГТ403Б, Начальный участок типовых выходных характеристик транзпстоГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403И для схемы с общим эмиттером ров ГТ403Б, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403И для схемы с общим эмитте­

ром

-0.4 -0.3

*0,2 -0.1

0.3

0.4

О,В U H B,®

Начальный участок типовых выходных характеристик тран­ зисторов ГТ403А—ГТ403И для схемы с общей базой

hai3

ПС

Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор — эмиттер транзисторов ГТ403А—ГТ403И от величины сопроти базы при Яэ = 0

Транзисторы германиевые р-п~р

сплавно-диффузионные высокочастотные П414—П 415Б1)

А. Общие и конструктивные данные

/. Основное назначение

Усиление и генерирование электрических колебаний и работа

вимпульсных схемах.

2.Габаритный чертеж и располож ение вызодов

Вывод коллектора электрически соединен с корпусом

3. Конструктивные данные

Вес транзистора

(макс.)

1

Высота

корпуса

(макс.)

5.6

Диаметр корпуса

(макс.)

11.7

Длина

выводов

(мин.)

38

Диаметр выводов

(мин.)

0.6

') В настоящее время эти транзисторы сняты с производства. Взамен их выпускаются транзисторы с более высокими параметрами типа П416—IT41GB.