Материал: Транзисторы

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Типовые входные характеристики транзисторов ГТ320А—ГТ320В для схемц с общей базой

Зависимость остаточного напряжения транзисторов ГТ320А—ГТЗ-’UB от тока эмиттера

Зависимость предельно допустимого напряжения ^К9К транзисторов ГТ320А—ГТ320В

от температуры окружающей среды:

---- типовая зависимость, —- — границы 80-процентного разброса

Транзисторы германиевые р-п-р

конверсионные, импульсные ГТ321А—ГТ321Е

А. Общие и конструктивные данные

/ . О сн овн ое н а з н а ч е н и е

Усиление и генерирование электрических колебаний высокой частоты и работа в импульсных схемах.

2 . Г а б а р и т н ы й ч е р т еж и р а с п о л о ж е н и е вы во д о в

 

 

3. К о н с т р у к т и в н ы е д а н н ы е

 

 

Вес транзистора

(макс.)

 

2 г

Высота

корпуса

(макс.)

 

8м м

Диаметр

фланца

(макс.)

11,7

»

Длина выводов (мин.)

30

»

Транзистор заключен в металлический герметичный корпус со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

4 . У к а з а н и я по э к с п л у а т а ц и и

Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 3 лш от корпуса транзистора. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора.

Паять следует паяльником мощностью 50—60 вт в течение не более 10 сек (температура пайки не должна превышать +260°С). Должен быть обеспечен теплоотвод между местом пайки и корпу­ сом транзистора.

При эксплуатации транзисторов в условиях механических уско­

рений более 2 g транзисторы необходимо

крепить за корпус.

 

5 . У ст ой ч и вост ь п р о т и в в н е ш н и х во зд е й с т в и й

 

Диапазон температур окружающей среды

—55 4- +60° С

Атмосферное

давление

 

 

.от 2,7-Ю1 до3.105я/ж2

Относительная

влажность при

+40° С

954-98 ?б

Термоциклирование в диапазоне

температур

—554-60°С

Постоянные ускорения

(макс.)

 

25

g

Многократные

удары

(макс.)

 

150

g

Вибрация в диапазоне

10 4 -2 0 0 0

гц

15 g

6 . К л а с с и ф и к а ц и о н н ы е п а р а м е т р ы

 

CJ

 

g

 

V

Наименование

sr

еа

параметра

£

«

 

оО

 

О

Коэффи­

 

циент уси­

 

ления по

 

току

^21Э

Максималь­

 

но допу­

 

стимое на­

 

пряжение

 

коллек­

 

тор — база

^кбо

Максималь­

 

но допу­

 

стимое на­

 

пряжение

 

коллек­

 

тор эмит­

 

тер — при

 

/?б>Ю 0 ом

^кэ *

Максималь­

 

но допу­

 

стимое на­

 

пряжение

 

эмиттер —

 

база

^эбо

Един, изм

 

 

Величина

для транзисторов

 

ГТ321А

ГТ321Б

ГТ321В

ГТ321Г

ГТ321Д

ГТ321Е

 

 

 

 

 

|

 

20ч-60

О+юо804-200 204-60 404-120 804-200

в

60

60

60

45

45

45

в

50

50

50

40

40

40

в

4

4

4 . 2,5

2,5

2.5

7. Тепловые параметры

 

Определение

 

Обозна­

Един.

Величина

 

 

чение

изм.

Наибольшая

температура

перехода

^макс.

°с

+85°

Наименьшая

температура

перехода

С и .

°с

—55°

Тепловое сопротивление

переход —

^пс

°с

0.25

окружающая среда

 

мет

 

 

 

 

 

Б. Электрические параметры и данные транзистора ГТ321А

/. М аксимально допустимые данные

при температуре окружающей среды Т°с= —55-ь-+45° С

1. МОЩНОСТИ (вт)

 

Определение

Обозначение Величина

Постоянная

мощность, рассеиваемая

тран­

 

|0.1б|

зистором

без теплоотвода

 

 

Р m

Импульсная

мощность при

/н< = 3 0

мксек

Р и

Щ

В диапазоне температур Тс—+45-j- +60°С

мощность

Р т рас­

считывается по формуле

 

 

 

 

 

 

Р

 

85° С - Т ° к

 

 

 

— _________ _

 

 

 

 

гп

0,25

 

 

мощность Р м снижается на 0,32 вт/\°С.

25 Зак. 1142