Материал: Транзисторы

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

 

 

 

 

Продолжение

Определение

Обозна­

Един.

Величина

 

 

 

чение

изм.

мии.

макс.

 

 

 

Постоянная времени це­

 

псек

 

14 0 0 1

пи коллектора

г'6С к

50

Коэффициент усиления

 

 

из

1100 |

по току

Л21Э

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений КТ312А.

ТРАНЗИСТОР КТ312В

ПАРАМЕТРЫ

при температуре

<окружающей

среды

т[! = +20±5‘’ С

 

Определение

Обозна­

Един.

Величина

 

 

чение

изм.

мин.

макс.

 

 

 

 

Предельная частота уси­

Мгц

[120]

 

ления по току

Постоянная времени це­

 

псек

20

|400j

пи коллектора

г'ъСк

Напряжение

коллек­

тор — эмиттер в

ре­

жиме

насыщения

при

Iк = 20 ма, / б = 2 ма

Коэффициент

усиления

по току

 

 

Входная проводимость

при

£/к=5

в,

/ к =

= 1 ма и f= 100 Мгц:

модуль

 

 

фаза

 

 

 

» ■

.............. —

 

^КЭН

в

0.1

0.45

^213

m

]~280j

1Упэ 1

моим

9

15

Фпэ

град.

40

70

 

Определение

Обозна-

 

 

 

 

чение

Входная проводимость

при

Uк= 5

в,

/,( =

= 1

ла

и f = 100

Мгц:

модуль

 

 

1Упэ1

фаза

 

 

Фпэ

Крутизна

характеристи­

ки

и п=Ь

в,

/,< =

при

*= 1 ма

и f *= 100

Мгц:

модуль

 

 

1У21Э 1

фаза

 

 

Ф21Э

Выходная

проводимость

при

Uк=*5

в,

/ на

= 1

ма

и f = 100

Мгц:

модуль

 

 

1У22Э 1

фаза

 

 

Ф22Э

Продолжение

Един.

Величина

ИЗМ.

МШ1.

макс.

 

мсим

15

30

град.

—20

—30

моим

12

20

град.

- 3 5

- 5 5

мсим

2,5

4,5

град.

55

100

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений КТ312А.

'*0

ма

i,2

 

____

Q

 

 

1,0

 

-- Л - и

 

 

 

-

h -

 

0 8

 

 

4

 

 

 

 

 

06

'

 

: :

 

 

т -

 

 

 

0.4

 

 

 

 

 

FU -

 

 

 

:::

 

 

 

 

0 .2

 

: : i

 

 

 

 

 

 

■JC

 

 

 

 

-9*

0 8 !.

0

0 , 2

С0 ,6

и эб /В

Типопые входные характеристики транзисторов КТ312А—КТ312В для схемы с общим эмиттером

Типовые выходные характеристики транзисторов КТ312А—КТ312Б для схемы с общим эмиттером

-60

-40

-20

0

4-20 4-40 +60 + 80

И00 +120

 

 

 

 

 

тоос

Типовые зависимости токов эмиттерного и коллекторного переходов транзисторов КГ312А— КТ312В от температуры окружающей среды ((/^ = 15 в, 6/эб=1 в)

Вст (Т°) Вст(20°С)

Типовая зависимость коэффициента усиления по току транзисторов KTJ12A—КТ.'Л2В от температуры окружающей среды

Зависимость емкости коллекторного перехода транзисторов КТ312А — КТ312В от напряжения на коллекторе