Параметры этой схемы связаны с физическими параметрами
транзистора следующими соотношениями. |
|
|
||||
|
|
L |
|
Сопротивление эмиттера: |
|
|
|
|
216 |
|
|
|
|
|
|
|
|
г3= |
Т° |
(38) |
|
|
|
|
8,7 • 10- 2 —г—. |
||
|
|
|
|
|
' Э |
|
|
|
|
|
Сопротивление базы: |
|
|
|
|
|
|
г6 = гй + гб |
|
|
Р и с. |
4. |
Т-образная схема за |
г ' = |
(0 ,1 ч - 1 ) - ^ |
(39) |
|
мещения |
транзистора |
при ра |
|
|
|
|
боте его на малом сигнале н |
|
|
|
|||
включении по схеме |
с обшей |
г 6 = |
~2 Гз (1 + Л21э) |
|
||
|
|
базой |
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
Сопротивление коллектора: |
|
|
|
|||
|
|
гк |
(2 ч -6 ,7 )-10” 7 Ц _ V и к6 |
(40) |
||
|
|
|
|
Ур6 |
/.^ |
|
Емкость коллектора: |
|
|
|
|||
Ск = |
3 • 10~55 к |
— для |
сплавных транзисторов |
|
||
|
|
|
|
|
|
.(41) |
Ск |
1,5 • Ю_75 к |
— для диффузионных транзисторов |
|
|||
В этих формулах: |
|
|
|
|||
Т° — температура, 0 К; |
|
|
|
|||
|
/ э — ток эмиттера, ма; |
|
|
|
||
|
Рб — удельное сопротивление базы, ом • см; |
|
||||
UKб — напряжение коллектор — база, в; |
|
|||||
|
W — толщина базы, см; |
неосновных носителей в базе, |
см\ |
|||
|
L6 — диффузионная длина |
|||||
—плотность примеси в базе, слг3; N 2— градиент мощности примеси, слг4;
—площадь коллекторного перехода, см2.
Все сопротивления г — в омах, емкости С — в пикофарадах.
Кроме Т-образных схем замещения могут быть использованы П-образные схемы замещения (рис. 5).
Рис. 5. П-образиая схема замещения транзи стора при работе его на малом сигнале и включении по схеме с общим эмиттером
Параметры П- и Т-образных схем связаны между собой сле дующими соотношениями:
гэб = _ 2 гэ 0 + Л21э)
гкб = 2гк
2г„ |
(42) |
|
|
1 + Л 21Э |
|
1 |
|
3ЛГз1/1Пб
В табл. I. 3 и I. 4 в рамки заключены параметры, измерение ко торых осуществляется наиболее просто и точно. Как следует из таб лиц и схем замещения, через эти шесть параметров может быть вычислен любой из 34 параметров малого сигнала на низких ча стотах. Эти же параметры и положены в основу соответствующего раздела справочного листа на транзистор.
Коэффициенты усиления по току в прямом Л21э и в инверсном Л21э1 включениях связаны между собой. Для сплавных маломощных транзисторов эта связь выражается приближенной формулой:
|
|
о-85» (‘— §г) + Аг..^ - |
<«> |
|
где |
---- отношение |
площадей эмиттера и |
коллектора |
(обычно оно |
|
составляет |
0,15 -j- 0,5). |
|
|
|
Приведенные формулы, схемы и таблицы позволяют вычислить |
|||
параметры при различных температурах, |
токах и |
напряжениях. |
||
В справочном листе приводятся параметры при заданной темпера туре и режиме, с их помощью по формулам можно очень просто определить эти же параметры при другом режиме и другой темпе-
ратуре, при этом нет необходимости определять входящие в них постоянные величины ре, Wt Le, Nu N2 и SK.
В определенных диапазонах температур, токов и напряжений зависимости Л-параметров с точностью, достаточной для практиче ских расчетов, аппроксимируются прямыми («хордами» к действи
тельным кривым измерений). На рис. 6 , 7 и 8 приведены такие аппроксимированные, нормализованные зависимости.
Параметры на высоких частотах
Для определения параметров |
на высоких |
частотах и расчета |
схем усилителей высоких частот |
могут быть |
использованы Т- и |
П-образные схемы рис. 4 и 5.
Вслучае Т-образной схемы появляется частотная зависимость
параметров гэ, |
гк и Л21б,которые теперь должны |
быть заменены |
||
соответственно |
на <гэ, z 6, z K и |
Л21б. Для |
частот до |
8//,2i6 эти пара* |
метры вычисляются по формулам: |
|
|
||
*, = r9 \F2\ t - ‘b |
|
|
|
|
г К= Гц—---—------- J -' |
Л2,б = |
Л216 I ^ 1 1 е |
|
|
|
1 + ^ 21Э7 — |
|
|
|
|
/ Т |
|
|
|
модули и фазы определяются по кривым рис. 9 и 10.