Материал: Транзисторы

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Типовые входные характеристики трапзнсторов ГТ309Л— ГТ309Е для схемы с общим эмиттером

J К'ма

-20

+20

+40

+60 т*вс

Типовые зависимости токов коллекторного и эмиттерного переходов транзисторов ГТ309А — IТ309Е от температуры окружающей среды

Типовые зависимости Л-параметров транзисторов ГТ309А— ГТЗЭ9Е от температуры окружающее среды

Типовая зависимость предельной частоты усиления по току транзисторов ГТ309А- I T3J9E от тока эмиттера

Транзисторы германиевые р-п-р

диффузионные высокочастотные малогабаритные ГТ310А—ГТ310Е

А. Общие и конструктивные данные

/. Основное назначение

Усиление, генерирование и преобразование электрических коле* баний высокой частоты в малогабаритных радиовещательных прием* никах и других радиотехнических устройствах народно-хозяйствен­ ного и бытового применения.

2. Габаритный чертеж и располож ение выводов

3. Конструктивные данные

Вес транзистора

(макс.)

0,1 г

Высота

корпуса

(макс.)

2,57

мм

Диаметр

корпуса

(макс.)

3,7

»

Длина выводов

(мин.)

20

»

Диаметр

выводов (мин.)

0,28

»

4. У казания по эксплуат ации

При эксплуатации транзистора в условиях механических воз­ действий с ускорением свыше 2 g транзисторы необходимо крепить за корпус.