Материал: Транзисторы

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

ТРАНЗИСТОР П307А

 

 

ПАРАМЕТРЫ

 

 

 

при температуре окружающей

среды Тс = +20±5° С

 

 

 

Обозна­

Един.

Величина

 

Определение

 

 

 

 

 

чение

изм.

 

макс.

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициент усиления по -току

 

^219

|3 0 |

|90]

Сопротивление насыщения

 

Гн

ОМ

12001

Коэффициент

усиления

при

Тс =

 

Щ

| 270

= +70° С

 

 

 

Л2,э

Коэффициент

усиления

при

Тс =

 

 

90

= —40е С

 

 

 

Л21Э

 

 

 

 

 

 

 

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­

чаются от данных, параметров и режимов измерений П307.

 

 

ТРАНЗИСТОР П307Б

 

 

 

 

 

ПАРАМЕТРЫ

о

 

 

 

 

 

 

 

 

 

при температуре окружающей среды Гс = + 2 0 ± 5 С

 

 

 

 

 

Обозна­

Един.

Величина

 

Определение

 

 

 

 

 

 

 

чение

изм.

мин.

макс.

 

 

 

 

 

 

Коэффициент

усиления

по току

 

й2\ъ

|50]

11501

Сопротивления насыщения

 

Гн

ОМ

1 1 2 0 1 1 3 3 0 1

Коэффициент

усиления

по току при

^21Э

jlo ]

14 5 0 1

Тс= +70° С

 

 

 

 

 

 

То же, при Т°с= —60±2°С

 

Л21Э

Щ

11501

ТРАНЗИСТОР П307В

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей среды Гс = + 20±5°С

' —ЦТ

■-—=------ —---------------------

 

 

 

 

 

 

 

Величина

 

 

Определс1ше

Обозна­

Един.

 

 

 

чение

изм.

 

 

 

 

 

мин.

макс.

Ток

коллекторного

перехода при

хх

в

цепи эмиттера

и UKб = 60 в

 

То же, при Т°с = 4-70±2° С

 

Ток

коллекторного

перехода

при

R96 ^\Q ком, (/« = 60 в

 

Сопротивление насыщения

Коэффициент усиления по току

Напряжение

коллектор — база

Напряжение

коллектор — эмиттер

при У?эб< Ю ком

^кбо

^кбо

Гн

/*21Э

U кбо

мка 0,005 i~20]

мка 2

1ю о!

мка 0,01 Щ

ом

60

| 2501

— |50] 11501

вн о

вГбоТ

ТРАНЗИСТОР П307Г

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей

среды

Т°с = 4-20±5э С

■- я

 

 

 

 

 

Обозна­

Един.

Величина

Определение

 

 

чение

изм.

мин.

макс.

 

 

 

Сопротивление насыщения

Гн

ОМ

100

250

Входное сопротивление

Лц

ОМ

70

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений П307.

ТРАНЗИСТОР П308

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей среды 7,° = + 20±5°С

 

Обозна­

Величина

Определение

Един.

 

чение

изм.

макс.

 

 

мин.

Ток

коллекторного

перехода

при

мка

 

 

£У„б = 120

в

 

^кбо

0,02

Щ

То

же, при

7\! = + 70±2°С

^кбо

мка

2

|100|

Ток

коллекторного

перехода

при

мка

 

 

RG<>Ю ком, (Укб= 120 в

Л<э/?

0,02

50

Сопротивление насыщения

га

ом

120

13301

Коэффициент усиления по току

h2\s

Ш

|8 0 |

Продолжение

 

 

Обозна­

Един.

Величина

 

Определение

 

 

 

чение

изм.

мни.

макс.

 

 

 

 

Напряжение

коллектор — база

U*6o

в

1120 |

Напряжение

коллектор — эмиттер

 

в

_

1120 |

при Яэб<Ю ком

 

Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли­ чаются от данных, параметров и режимов измерений П307.

ТРАНЗИСТОР П309

ПАРАМЕТРЫ

при температуре окружающей среды Т°с *=+ 20 ±5° С

Величина

Определение

Обозна­

Един.

чение

изм.

мин. макс.

Ток

коллекторного

перехода

при

мка

£/„б = 120

в

 

Л<бо

То же, при

Г° = +70±2°С

Лсбо

мка

Ток

коллекторного

перехода

при

 

0 ,0 2

2

Щ

|ю о |

/?эб< 1 0 ком,

£ / „ = 1 2 0 в

Л<э R

мка

0 ,0 2

I

5 0 1

 

 

 

 

Сопротивление насыщения

Гм

ом

60

|

2 0 0 1

Напряжение коллектор — база

U кбо

в

1 1 2 0 1

Напряжение

коллектор — эмиттер

 

 

 

 

 

при /?эб<^Ю ком

 

в

 

1 2 0 1

Типовые входные харак­ теристики транзисторов П307—П309 для схемы с общим эмиттером

О

0,2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4 U ,б .в

Типовые выходные характеристики / к = / ( ^ кэ) тРамзисТ0Р0в 11307—П309 для схемы с общим эмиттером