ТРАНЗИСТОР МП113
|
|
|
|
ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
|
||
при |
температуре |
окружающей |
среды |
Гс= + 2 0 ± 5 °С |
|
|||||
|
|
1. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ |
|
|
||||||
Определение |
|
Обозна |
|
Един. |
|
Величина |
||||
|
|
|
|
|
||||||
|
чение |
|
изм. |
|
мин. |
| |
макс. |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Коэффициент |
усиления |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
по току |
|
|
|
h2i6 |
|
|
|
Q H |
|
|45] |
Граничная |
частота усй- |
|
|
|
Мгц |
|
|
|
||
ления по |
току |
|
f fl2\6 |
|
|i.o | |
|
3 |
|||
|
|
2. ПАРАМЕТРЫ ИНВЕРСНОГО ВКЛЮЧЕНИЯ |
|
|||||||
при |
температуре |
окружающей |
среды |
7'с= + 2 0 ± 5 °С |
|
|||||
|
|
Обозна Един. |
Величина |
Режим измерений |
||||||
Определени |
|
|
|
|
|
|
||||
чение |
|
изм. |
мин. |
макс. |
и к |
'к ('б) |
/ |
|||
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
в |
ма |
Мгц |
Коэффициент уси |
|
|
|
|
|
|
|
0,27 |
||
ления |
|
Л21э/ |
|
|
0.05 |
1.8 |
5 |
1 |
||
Напряжение |
кол |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
лектор— эмиттер |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
в режиме насы |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
щения |
при |
|
|
|
|
|
|
0 |
|
|
яг„ = оо |
|
^кэн/ |
Мв |
3.5 |
— |
— |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
(0.5) |
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли чаются от данных, параметров и режимов измерений МП111А.
ТРАНЗИСТОР МП113А
|
|
ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
при |
температуре |
окружающей |
среды |
Тс= -f20±5° С |
|
Определение |
Обозна |
Един. |
|
Величина |
|
|
|
||||
чение |
изм. |
мин. |
| макс. |
||
|
|
|
|
||
Коэффициент усиления |
^21Э |
|
ш и |
[75] |
|
по току |
|
— |
|||
Граничная |
частота уси |
|
Мгц |
|1.0| |
3 |
ления по |
току |
/Л 21б |
|||
200 |
400 |
600 |
800 |
Ибэ-мв |
Типовые |
входные |
характеристики |
транэисто- |
|
ров МП111 — МП113 для схемы с общим эмиттером
h 21a^T c ) 1.4
W 20°c )
1,2
1
0.8
0.6
0,4 |
0 +20 +40 +60 +80 +100 +120 |
-6 0 -40 -2 0 |
TJ,°C
* Кбо>мка
Типовая зависимость тока коллекторного перехода транзисто ров МП111—МП113 от температуры окружающей среды
Типовая зависимость коэффициента усиления но току транзисто- ров МП111—МП113 от тока эмиттера
Типовые выходные характеристики транзисторов МП111—МП113 для схемы с общей базой / к=/(С/кб)
Транзисторы кремниевые р-л-р сплавные МП114—МП116
А. Общие и конструктивные данные
/ . О сн овное н а зн а ч е н и е
Усиление и генерирование электрических колебаний низких частот.
2 . Г а б а р и т н ы й ч ер т еж и р а сп о л о ж ен и е вы водов
Вывод базы электрически соединен с корпусом транзистора.
3 . К о н с т р у к т и в н ы е д а н н ы е
Вес транзистора (макс.) Высота корпуса (макс.) Диаметр баллона (макс.) .
Диаметр фланца корпуса (макс.) Длина выводов (мин.)
Диаметр выводов (мин.)
2 г
8 м м
8,5 »
11,7
40
0.5
Транзистор заключен в герметичный холодносварной корпус со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.