Все данные, параметры и режимы измерений транзисторов ГТ109Б—ГТ109Г не отличаются от данных, параметров и режимов ГТ109А, за исключением параметра Лгю и h21э* указанных в таб лице «Классификационные параметры».
ТРАНЗИСТОР ГТ109Д
ПАРАМЕТРЫ
о
при температуре окружающей среды / с = +20±5°С
Определение
Выходная проводимость при Uк—1,2 в, /э= =0,1 ма
Коэффициент усиления по току при UH— = 1,2 в, /а=0,1 ма
Граничная частота уси ления по току
Ток коллекторного пе рехода при (7,(=1,2 в
Ток эмиттерного пере хода при £/Эб = 1,2 в
Емкость коллекторного перехода при Г/к= = 1,2 в
Емкость эмиттерного перехода при G= = 1,2 в
' Обо-
значе
ние
^22б
^2|Э
^21б
Л<бо
^эбо
Ск
с9
Величина
Един.
нзм. мин. | макс.
мксим |
0,8 |
2,5 |
|
Щ |
]~7о] |
Мгц |
0 |
9 |
мка |
0,2 |
ш |
мка |
0,2 |
ш |
пф |
16 |
йоТ |
пф |
16 |
40 |
Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли чаются от данных, параметров и режимов измерений ГТ109А.
ТРАНЗИСТОР ГТ109Е
|
|
ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
при |
температуре |
окружающей среды |
Гс= 4 -20± 5°С |
||
|
|
Об> |
Един. |
|
Величина |
Определение |
значе |
|
|
||
изм. |
мин. |
макс. |
|||
|
|
ние |
|
||
Коэффициент |
усиления |
|
|
|
|
по току при £7и= 1,2 в, |
Л21Э |
|
|5 0 | |
|ю о | |
|
/»=0,1 ма |
|
|
|||
Продолжение
|
|
|
|
|
Обо- |
Един. |
|
Величина |
|
|
Определение |
|
значе |
|
|
|
|||
|
|
изм. |
мин. |
| |
макс. |
||||
|
|
|
|
|
ние |
||||
Граничная |
частота |
уси |
|
Мгц |
|
|
10 |
||
ления |
по току |
|
f fl2l6 |
ш |
|
||||
Ток |
коллекторного пере |
|
мка |
|
|
а |
|||
хода |
при |
£/,< = 1,2 в |
Лсбо |
0,2 |
|
||||
Ток |
эмиттерного |
пере |
|
мка |
|
|
|
||
хода при UЭб = 1,2 в |
7эбо |
0,2 |
|
щ |
|||||
Емкость |
коллекторного |
|
|
|
|
|
|||
перехода |
при |
£/,< = |
|
пф |
|
|
Но] |
||
= |
1,2 |
в |
|
|
Ск |
16 |
|
||
Емкость |
|
эмиттерного |
|
|
|
|
|
||
перехода |
при |
U0o = |
|
пф |
|
|
|
||
= |
1,2 |
в |
|
|
Сэ |
16 |
|
40 |
|
Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли чаются от данных, параметров и режимов измерений ГТ109А.
ТРАНЗИСТОР ГТ109Ж
ПАРАМЕТРЫ
при температуре окружающей среды Тс = -f 20±5° С
Определенно
Коэффициент усиления по току на большом сигнале при £/,< = 1, 5 в, / б = Ю мка
Ток коллекторного пе рехода при £/,<=1,5 в
Ток коллекторного пе рехода при КЗ выво дов база — эмиттер при £/,<о=*1,5 в
Обо |
Един. |
|
Величина |
|
|
значе |
|
|
|
||
изм. |
|
|
макс. |
||
ние |
мин. |
| |
|||
|
Л21Э |
|
1001 |
250 |
^кбо |
мка |
0.1 |
]То| |
^кэк |
мка |
0.3 |
|151 |
Максимально допустимые данные не отличаются от максималь но допустимых данных ГТ109Л.
ТРАНЗИСТОР ГТ109И
ПАРАМЕТРЫ
при температуре окружающей среды 7^ = + 2 0 ±5° С
|
Обо |
Един. |
Величина |
|
Определение |
|
|
||
значе |
изм. |
мин. |
макс. |
|
|
ние |
|
||
Коэффициент усиления по току |
Л2|9 |
— |
Гао] |
|8 0 | |
Коэффициент шума |
Лп |
дб |
4 |
ОШ |
Остальные данные, параметры и режимы измерений не отли чаются от данных, параметров и режимов измерений ГТ109А.
Типовые входные характеристики трап- |
Типовые выходные характеристики тп:1..- |
аисторои ГТ109Л—ГТ109Й для схемы |
знсторов ГТ109А для схемы с общим эмит- |
с общим эмиттером |
тером |
Типовые выходные характеристики, транзисто ров ГТ109Б для схемы с общим эмиттером
1 к , на
Тш1°вые выходные характеристики транзисто ров 1 иоэд для схемы с общим эмиттером