Определение |
|
|
Напряжение |
коллек |
|
тор — эмиттер |
в |
ре |
жиме насыщения |
|
|
Напряжение |
коллек |
|
тор — эмиттер |
в |
ре |
жиме насыщения
Напряжение эмиттер — база в режиме насы щения
Напряжение эмиттер — база в режиме насы щения
Время включения в схеме с общим эмит тером (генератор то ка на входе)
Граничная частота ко эффициента передачи тока
Предельная частота ко эффициента передачи тока в схеме с об щим эмиттером
|
|
|
|
Продолжение |
||
|
|
Величина |
|
Режим |
|
|
Обо- |
Един. |
|
измерений |
|
||
|
|
|
|
|||
значе |
изм. |
|
|
UK,e V ма и - ма |
||
ние |
|
мин. |
макс. |
|||
Uкэн |
в |
0.01 |
0.2 |
|
10 |
1 |
^кэн |
в |
0.2 |
0.7 |
_ |
150 |
40 |
^кбн |
в |
0,25 |
0.4 |
_ |
10 |
1 |
^эбн |
в |
0.6 |
1.7 |
_ |
150 |
40 |
^в; |
мсек |
|
1.0 |
15 |
10 |
|
/Л21б |
Мгц |
2.0 |
_ |
5 |
— |
1 |
/ т |
Мгц |
1.67 |
— |
5 |
— |
1 |
Остальные данные и параметры не отличаются от данных и параметров МП42.
1ц| ма
Типовые входные характеристики транзисторов МГ142—МП42Б для схемы с общей базой
Типовые входные характеристики транзисторов МП42—МП42Б для схемы с общим эмиттером
и „э
Типовые выходные характеристики транзисторов МП42—МП42Б для схемы с общей базой
1б,ма
11эб.е
Типовая зависимость коэффициента усиления по току транзисторов МП42—МГ142Б от тока коллектора
Типовые выходные харак теристики транзисторов МП42 для схемы с общим эмиттером
1И'ма
Типовые выходные характеристики транзисторов МП42А для схемы с общим эмиттером
1к,ма
Выходные характеристики транзисторов МП42Б для схемы с оощим эмиттером