символ
^кбо
Дбо
^кэк
Uкбо
Uэбо
^кэо
1*216
^21Э
Л21Э
г'бСк
^кэз
|
|
Продолжение |
Справочник |
|
Технические условия |
определение |
символ |
определение |
Начальный |
ток |
кол |
/ко |
|||||
лекторного перехода |
|
|||||||
Начальный |
ток |
эмнт- |
Iэо |
|||||
терного перехода |
|
ко |
|
|||||
Начальный |
ток |
^кн |
||||||
роткого. замыкания |
|
|||||||
|
|
|||||||
Максимально-допусти Uкб макс |
||||||||
мое |
напряжение |
кол |
|
|||||
лектор-база |
|
|
|
|
|
|||
Максимально-допу |
</эб макс |
|||||||
стимое |
напряжение |
|||||||
эмиттер-база |
|
|
|
|
|
|||
Максимально-допусти |
и* |
|||||||
мое |
напряжение |
кол |
|
|||||
лектор-эмиттер |
при X. X. |
|
||||||
в цепи базы |
|
|
|
|
|
|||
Коэффициент |
переда |
а |
||||||
чи по току в схеме с |
|
|||||||
общей базой |
|
|
|
|
|
|||
Коэффициент |
|
пере |
Р |
|||||
дачи |
по |
току |
в |
схеме |
||||
|
||||||||
с общим |
эмиттером |
на |
|
|||||
малом сигнале |
|
|
|
|
||||
Коэффициент |
|
усиле |
Вст |
|||||
ния по току в схеме с |
||||||||
|
||||||||
общим |
эмиттером |
на |
|
|||||
большом сигнале |
|
|
|
|||||
Постоянная |
времени |
ГбСК |
||||||
цепи |
коллектора |
|
|
|||||
тран |
|
|||||||
Ток закрытого |
^кз |
|||||||
зистора |
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|||
Обратный ток коллек торного перехода
Обратный ток эмнттерного перехода
Начальный ток кол лекторного перехода
Максимально-допу стимое напряжение кол лектор-база
Максимально-допу стимое напряжение эмиттер-база
Напряжение коллек тор-база, при котором происходит переворот фазы базового тока
Коэффициент переда чи по току в схеме с общей базой
Коэффициент усиле ния по току
Статический коэффи циент усиления
Постоянная времени цепи обратной связи Ток закрытого тран зистора
Материал справочника написан:
И. Ф. Николаевским — введение и теоретическая часть (раз дел I), а также разработаны типовой справочный лист на транзи стор и перечень, содержащий минимум основных параметров и их
классификацию.
Б. Л. Перельманом — справочные листы на транзисторы ГТ109,
ГТ308, ГТ309, ГТ310, КТ312, ГТ313 и КТ601.
Т. И. Фишбейн — справочные листы на транзисторы П35—38,
ГТ108, ГТ311, ГТ320, П401—403, П414—415, П416.
С. С. Пруслиной — справочные материалы по высокочастотным параметрам на транзисторы ГТ308, ГТ309, ГТ310, ГТ311, КТ312, ГТ313, П401—403, П414—П416, МП42 и приложение.
Ю. |
М. Рубцом — справочные |
листы |
на. транзисторы П4, |
||||||
П201Э—203Э, П210, П302—304 и П307—309. |
на |
транзисторы |
ГТ321, |
||||||
Т. |
С. Машаровой — справочные |
листы |
|||||||
П601И—602АИ, |
П605—606, |
П607—609, |
ГТ701А, |
П701А, |
П701, |
П702 |
|||
иКТ801.
А.А. Розановой — справочные листы на транзисторы ГТ322,
ГТ403А—403И, КТ602, КТ802, ГТ804 и КТ805.
К. М. Брежневой — справочные листы на транзисторы МП20-21, МП25-26, МП39-41, МП114—116.
С. В. Суповым — справочные листы на транзисторы П5, П27—28, П29-30, МП111-113 и П504—505.
В справочнике использованы результаты исследований транзи сторов в инверсном включении, проведенных Д. В. Игумновым, и зависимости параметров мощных транзисторов от различных усло вий, полученные Д. Н. Воротниковой.
Авторы выражают благодарность А. С. Козыреву, Б. А. Боро дину и В. В. Нархову за ценные советы, замечания и поправки многих данных транзисторов, сделанные ими при просмотре рукописи.
Просьба все замечания и пожелания по книге присылать по адресу: Москва-центр, Чистопрудный бульвар, 2, издательство «Связь».
Р а з д е л I
ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРА, ИХ КЛАССИФИКАЦИЯ И ВЗАИМОСВЯЗЬ
Перечень основных параметров
В табл. 1.1 и 1.2 приведены параметры и данные транзисторов
иих классификация по режимам и областям работы транзистора. Параметры таблиц имеют наибольшую значимость для расчета схем
иопределения качества транзистора. Эти параметры измеряются и составляют основу типового справочного листа, принятого в на стоящем справочнике; с их помощью могут быть вычислены или определены все остальные, отсутствующие в справочнике, пара метры транзистора.
Втаблицы входит ряд ключевых параметров, состоящий из сле дующих девяти параметров:
^т^21э» ^кбо» P nv |
^м акс’ ^мнн* |
^ к б о и ^эбо* |
Дальнейший порядок изложения материала настоящего раздела |
||
соответствует порядку, принятому в табл. |
1 .1 — предельно допу |
|
стимых параметров транзисторов и табл. I. 2 — параметров транзи |
||
сторов в режимах усиления и переключения. |
1.1— расчет надежных |
|
Основное назначение |
параметров табл. |
|
тепловых и электрических режимов транзистора в схеме, табл. 1.2— расчет выходных параметров схемы.
Тепловые параметры
Максимальная и минимальная температура перехода
Максимальная температура |
перехода Тшкс — важнейший па* |
|
раметр, определяющий |
большинство предельно допустимых данных |
|
и режимов транзистора. |
Т'шкс |
устанавливается заводом-изготови- |
телем транзистора с определенным заданным коэффициентом запаса и определяется либо сопротивлением исходного материала, либо за данной величиной зависимого от температуры напряжения пробоя коллекторного перехода.
В первом случае:
т' ^ - т (т г р п ; - '} ’с•
|
|
|
Т АБЛИЦА |
I. 1 |
|
|
|
|||||
|
|
Определение |
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
Температура |
перехода: |
|
макси |
|||||||
Тепловые |
мальная и минимальная |
|
|
|
||||||||
Тепловые |
сопротивления: |
пере |
||||||||||
параметры |
ход -корпус |
и |
переход — среда |
|
||||||||
|
|
Тепловые |
постоянные переход — |
|||||||||
|
|
корпус и переход — среда |
|
|
|
|||||||
|
|
Мощности |
постоянные: |
без теп |
||||||||
Максимально- |
лоотвода и со стандартным тепло |
|||||||||||
допустимые |
отводом |
|
|
|
|
|
|
|
||||
мощности |
Мощности: |
импульсная |
и |
посто |
||||||||
|
|
янная |
при заданнрй |
температуре |
||||||||
|
|
Токи |
коллектора |
постоянные: |
в |
|||||||
|
|
режимах |
усиления |
и |
насыщения |
|
||||||
Максимально |
Токи |
коллектора |
постоянные: |
в |
||||||||
режиме |
усиления |
со |
стандартным |
|||||||||
допустимые токи |
теплоотводом и при заданной тем |
|||||||||||
|
|
пературе |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
Токи |
импульсные: |
коллектора |
и |
|||||||
|
|
базы |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Токи |
коллекторного |
эмиттер- |
||||||||
|
|
ного переходов |
|
|
|
|
|
|
||||
Начальные |
Токи |
холостого |
хода |
(сквозной |
||||||||
ток) |
и |
короткого |
замыкания |
на |
||||||||
(минимальные) |
||||||||||||
входе транзистора |
|
|
|
|
|
|||||||
токи и |
потен |
|
|
|
|
|
||||||
Ток при заданном Яб на входе |
||||||||||||
циалы |
(область |
|||||||||||
отсечки) |
|
транзистора |
и |
плавающий |
потен |
|||||||
|
|
циал |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Токи |
запертого |
транзистора: |
в |
|||||||
|
|
прямом |
и ипверсном |
включениях |
||||||||
Символ
Т° . |
Т° |
л макс* |
мин |
^пк» |
^пс |
|
тпс |
р , |
р т |
г гп' |
г тп |
|
Pm |
Лет* |
Л<нт |
Г. 1т° кт* кт
А<м* ^б2М
Асбо* ^эбо
Л<эо» ^кэк
^кэЯ’ ^эбн
Аоз* ^кэз/
Максимально
допустимые
напряжения
Напряжения |
коллектор — база и |
^кбо» ^эбо |
эмиттер — база |
при холостом ходе |
|
в цепи третьего вывода транзи |
|
|
стора |
|
|
Напряжения |
коллектор — эмит |
^кэз» ^кэк |
тер: запертого транзистора и при |
|
|
коротком замыкании на входе |
|
|
Напряжения |
коллектор — эмит |
^кэо. ^АсэR |
тер: при холостом ходе и при за |
|
|
данном Rn на |
входе транзистора |
|
Т А Б Л И Ц А |
1.2 |
Определение |
Сим |
|
|
Параметры |
четырехполюсника |
на |
||
|
|
низкой частоте в схеме с общим |
||||
|
|
эмиттером |
|
|
|
|
|
|
Коэффициент |
усиления |
транзис |
||
|
|
тора на низкой частоте в схеме с |
||||
|
|
общим эмиттером в прямом и ин |
||||
|
|
версном включениях. Коэффициент ■ |
||||
|
|
шума |
|
|
|
|
|
|
Параметры |
четырехполюсника на |
|||
Параметры ре |
высокой частоте |
в схеме |
с общим |
|||
жима усиления |
эмиттером |
|
|
|
|
|
малого |
сигнала |
|
|
|
|
|
(активная |
об |
Предельные |
частоты |
усиления: |
||
ласть) |
|
по току в прямом и |
инверсном |
|||
|
|
включениях, по мощности и шумов |
||||
|
|
Граничные |
частоты: усиления |
по |
||
|
|
току в схемах |
с общей |
базой |
и |
|
общим эмиттером и крутизны ха рактеристики
Л11э’ Л12э*
Л22э
Л219' Л21э/-
Рш
Упэ’ У12э*
У21Э’ У22Э
/ г U
/макс* /ш
//121 б* / Л21Э» / у 21Э
|
Емкости эмиттерного |
и коллек |
|
|
торного переходов, постоянная |
вре |
|
|
мени коллекторного перехода |
|
|
Параметры ре |
Коэффициент усиления |
по |
току, |
жима усиления крутизна переходной вольтампер-
большого |
сигна |
ной характеристики и мощность, |
|
ла |
(активная |
отдаваемая в нагрузку на высокой |
|
область) |
* |
частоте |
|
С3, ск. г'бСк
^21Э* У21Э* Р вых
|
|
|
Времена: фронта, |
рассасывания, |
||
|
|
|
включения и выключения |
|
||
Параметры ре |
Напряжения: насыщения |
коллек |
||||
жима |
переклю |
тор— эмиттер в |
прямом и |
инверс |
||
чения |
(область |
ном включениях |
и |
эмиттер — база |
||
насыщения |
и |
в прямом включении |
|
|
||
активная)
*ф. tp.
^ВКЛ* ^пыкл
^КЭ1Г ^ кэп!*
Uбэн
Гн’ Гщ* f /
rr rK