ТРАНЗИСТОР МП26А
1. МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ (в)
при температуре окружающей |
среды |
о |
|
|
||||
Гс= —55-^4-60° С |
||||||||
|
Определение |
|
|
|
|
Обозначение |
Величина |
|
Напряжение |
коллектор — база |
при |
хх в |
|
|
|70] |
||
цепи эмиттера |
|
|
|
|
|
^кбо |
||
Напряжение |
коллектор — эмиттер при |
со |
|
|
|
|||
противлении в цепи |
базы |
не |
более |
|
|
|
||
500 ом |
|
|
|
|
|
|
и «ЭР |
1701 |
Напряжение |
эмиттер — база при |
хх |
в |
це |
|
|
|
|
пи коллектора |
|
|
|
|
|
^эбо |
|7 0 ] |
|
|
|
2. ПАРАМЕТРЫ |
|
|
|
|||
при Тс= + 2 0 ± 5 °С, |
£/к= 35 в, |
/0=1,5 |
ма и / —270 гц |
|
||||
|
|
Обозна |
Един. |
Величина |
||||
Определение |
|
|
||||||
|
чение |
|
изм. |
мин. |
макс. |
|||
|
|
|
|
|
|
|
||
Входное сопротивление |
|
^11Э |
|
ОМ |
500 |
1200 |
||
Коэффициент |
передачи тока |
^21б |
|
— |
0,952 |
0,975 |
||
Коэффициент передачи тока |
Л21Э |
|
— |
Ш |
Щ |
|||
Выходная проводимость |
|
/г2гэ |
|
мксим |
4 |
30 |
||
Напряжение |
эмиттер—база |
в |
|
|
|
|
|
ГМ |
режиме насыщения при / э= |
|
|
|
в |
|
|||
= 0,1 а и /с„=2 |
|
^бэн |
|
0.2 |
||||
ТРАНЗИСТОР МП26В
1. МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ (в)
при температуре окружающей среды Тс = —5 5 6 0 ° С
|
Определен |
|
|
Обозначение |
Величина |
Напряжение |
коллектор — база |
при |
хх |
в |
170 | |
цепи эмиттера |
|
|
^кбо |
||
Напряжение |
коллектор — эмиттер при |
со |
|
||
противлении в цепи базы |
не |
более |
|
||
500 о,и |
|
|
|
|
И |
Напряжение |
эмиттер — база при хх |
в |
це |
I 70I |
|
пи коллектора |
|
|
^эбо |
||
|
|
|
|
|
2. ПАРАМЕТРЫ |
|
при Тс= 4 -20±5°С, |
1/к= 35 в, |
/ к=1,5 ма |
||||
Определение |
|
Обозна |
Един. |
|||
|
чение |
изм. |
||||
Входное |
|
сопротивление |
^119 |
ОМ |
||
Коэффициент |
передачи |
h2\t |
|
|||
тока |
|
|
|
|
— |
|
Коэффициент |
передачи |
|
|
|||
тока |
|
|
|
|
^119 |
_ |
|
|
|
|
|
||
Граничная |
частота |
ко |
|
|
||
эффициента |
передачи |
|
Мгц |
|||
тока |
|
|
|
|
/л 21б |
|
Граничная |
частота |
ко |
|
Мгц |
||
эффициента |
передачи |
/т |
||||
Напряжение |
эмиттер — |
|
|
|||
база |
в |
режиме насы |
|
|
||
щения |
при /к —0,1 |
а и |
|
|
||
Кц= 2 |
|
|
|
|
^6Э„ |
в |
и /=270 гц
Величина 1
мин. махе.
600 1600
0,968 0,987
Ш%|8 0 |
105| 1,0
0,42 0,83
—м
-II К Э “ £
- -ООв
О |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
и бэ,в |
Типовые входные характеристики транзисторов МП25—МП25Б
а) для схемы с общей базой, б) для схемы с общим эмиттером
б |
10 |
16 |
20 |
26 |
30 |
36 |
и Кэ/В |
Типовые выходные характеристики транзисторов МГ125
Зависимость максимально допустимого напряжения транзисторов МП25—МП25Б от сопротивления в базе
---- типовая зависимость,
— границы 80*процентиого разброса
Зависимость коэффициента передачи тока транзисторов МП25—МП26Б от тока коллектора
Зависимость коэффициента передачи тока транзисторов МП25—МП25Б от темпера*, туры окружающей среды.