Материал: Типовые задачи расчета цепей, содержащих электронные элементы
Тогда действующее значение тока
нагрузки равно:
мA.
Коэффициент трансформации равен:
, 
А.
Промежуточный ток через диод равен:
А.
Обратное напряжение на диоде:
В.
Фильтр
Среднее значение выпрямленного
напряжения равно:
.
Следовательно, действующее значение напряжения
на нагрузке равно:
В.
Действующее значение тока нагрузки
равно:
.
Среднее значение тока нагрузки
равно:
.
Тогда действующее значение тока
нагрузки равно:
мA.
Коэффициент трансформации равен:
, 
мА.
Промежуточный ток через диод равен: А.
Обратное напряжение на диоде:
В.
Ф.
Среднее значения напряжения на
нагрузке равно:
Из полученного выражения следует,
что
В.
Аналогично для тока
А.
Определим 
:
Ом;
;
Ом.
Определяем действующее значение
переменного тока 
:
;
А.
и 
получаем 
В.
Определим параметры трансформатора:
Коэффициент трансформации:
, 
А..
Мощность трансформатора: 
Вт
Задача 5. Определение h-параметров транзистора
типа ГТ322
Любой транзистор можно представить как активный четырехполюсник. Для описания четырехполюсника при малых амплитудах сигнала и при расчете и анализе соответстующих устройств используется так называемые малосигнальные параметры. Малосигнальные параметры являются дифференциальными параметрами. Наиболее употребительна система h-параметров.
Обычно в качестве независимых
переменных принимают приращение входного тока 
и выходного напряжения 
, тогда
зависимые переменные 
и 
можно найти
как
Эти уравнения соответствуют схеме
замещения транзистора:
- параметры транзистора легко могут
быть определены опытным путем из опытов холостого хода и короткого замыкания.
- коэффициент передачи тока при 
;
выходная проводимость при 
.
Конкретные значения h зависят от схемы включения транзистора и режима работы. Они могут быть определены по статическим характеристикам или схемам замещения.
Найдем параметры транзистора марки ГТ322 включенном по схеме ОБ.
Дано: входные и выходные характеристики ОБ.
Система уравнений h-параметров с общим
эмиттером:
Решение:
1. Определяем рабочую точку А:
, 
. На входной характеристике
указана точка А для того же режима, что и на выходных характеристиках. Проводим
к точке А касательную и по приращениям между 
и 
при постоянном напряжении 
, находим
. Если рассматривать 
как 
, 
как 
, а 
как 
, то 
есть
коэффициент обратной связи по напряжению, обусловленной эффектом модуляции
толщины базы:
Задав 
, определим значения 
для входных
характеристик, построенных при 
(в точке D) и при 
(в точке А).
Получаем
. На выходной характеристике
указана точка рабочая точка А, проводим к ней касательную и по приращениям между
и 
точками E и
F при постоянном токе 
, находим
5. Из выходных характеристик по
заданным приращениям 
и 
между
точками G и H при постоянном напряжении 
находим
Ответ:
,
,
,
Задача 6. Определение h-параметров
по физическим параметрам
Рисунок. Схема замещения транзистора
в физических параметрах.
Рисунок. Схема замещения транзистора
в h - параметрах.
короткое замыкание коллектор-эмиттер.
Схема в физических параметрах примет
следующий вид:
Рисунок. Короткое замыкание
коллектор-эмиттер на схеме в физических параметрах.
Учтя, преобразования имеем:
;
;
;
;
.
;
;
;
.
;
;
;
;
.
;
;
;
.
транзистор диод стабилитрон напряжение
;
.
Заключение
В данной курсовой работе были рассмотрены типовые задачи расчета цепей содержащих электронные элементы, изученных в курсе «Физические основы электроники»: были рассчитаны базовые схемы и параметры транзистора, выявлены особенности работы диода и стабилитрона.
Сопоставляя результаты, полученные в данной
курсовой работе с введением, представленным выше, можно прийти к выводу, что
все задания выполнены: в первом задании рассчитан диод, параметры цепи с
диодом. Во втором - произведен расчет стабилитрона и построены графики его
характеристик. В третьем задании определены параметры выпрямителей. В
четвертом: найдено положение рабочей точки и рассчитаны параметры транзистора в
этой точке. В пятом задании выведены h-параметры транзистора. В шестом был
произведен переход от заданных параметров к необходимым.
Список использованной литературы
1. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. - М.: Высшая школа, 1991 г. - 622 с.
. Основы промышленной электроники. Под ред. В.Г. Герасимова. - М.: Высшая школа, 1986 г. - 336 с.
. Бочаров Л.Н., Жеребятников С.К., Колесников И.Ф. Расчет электронных устройств на транзисторах. - М.: Энергия, 1978 г. - 208 с.
. Изъюрова Г.И. и др. Расчет электронных схем: примеры и задачи. - М.: В.шк.,1987 г. - 395 с.
. Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: Справочник. Под общ. ред. Н.Н. Горюнова. - М.: Энергоиздат, 1982 г. - 744 с.