Материал: Система управління імпульсного перетворювача постійної напруги

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Підсилювач неузгодженості ПН містить операційний підсилювач (ОП) , дільник зсуву (,), елементи паралельного зворотного зв'язку (,,,) та обмежуючий дільник , . Резистори ,  та  можна класифікувати також як дільник напруги ДН. Стабілітрон  разом з резистором  є джерелом опорної напруги . Резистором  встановлюється задавальна напруга , що визначає необхідну вихідну напругу ІППН.  необхідне для обмеження зміни . Конденсатор  разом з резистором  визначає постійну часу зростання задавальної напруги с.

ОП  у даній схемі включення являє собою інвертуючу пропорційно-інтегруючу ланку. Необхідна амплітудно-частотна характеристика (АЧХ) створюється елементами , та . Дільник ,  обмежує максимальну напругу  у відповідності з умовою . Поступаючий на вхід ПН сигнал з напругою  визначає напругу дільника  в точці з'єднання , , , що прикладена до інвертуючого входу ОП.

2. Вхідні дані

Початкові дані

П1

Номінальна вхідна напруга , В-


Нестабільність середнього значення вхідної напруги 0.2


Амплітуда пульсацій на вході 0.1


Значення вихідної напруги  , В15; 18; 24


Змінна складова вихідної напруги , В0.5


ККД

0.92

Частота перетворення , кГц10



3. Розрахунок силової частини імпульсних перетворювачів постійної напруги

.1 Визначення вхідної напруги та коефіцієнтів заповнення імпульсів

Оскільки вхідна напруга не задана, задаємося максимальним коефіцієнтом заповнення:

Визначаємо мінімальну вхідну напругу:


де попередньо взяте  - напруга насичення регулюючого транзистора VT6, - стала складова напруги uL на дроселі (спадання напруги на його активному опорі).

Номінальна вхідна напруга:


Максимальна вхідна напруга:

Мінімальне і номінальне значення коефіцієнтів заповнення імпульсів:


.2 Визначення індуктивності дроселя і ємності фільтрувального конденсатора

Мінімальна індуктивність дроселя, при якій струм залишається безупинним при мінімальному струмі навантаження, повинна задовольняти нерівності :


Номінальна індуктивність дроселя визначається виразом:


де  - розмах пульсацій струму в дроселі фільтра.

Візьмемо , тоді


Ємність конденсатора фільтра:


.3 Визначення струмів реактивних елементів

Амплітудне та діюче значення струмів через конденсатор П1:


Мінімальні, максимальні та середні значення струму дроселя:


3.4 Визначення амплітуди викиду вихідної напруги (максимально можливе значення без компенсації регулюванням та урахування втрат)

Викид вихідної напруги відбувається при різкому зменшенні струму навантаження від  до . Енергія, накопичена в дроселі при проходженні

більшого струму, при зменшенні навантаження віддається до фільтрувальної ємності, яка заряджається при цьому до більшої напруги.


.5 Вибір регулюючого транзистора VT6

Умови для вибору транзистора такі:


Відповідно до цього вибираємо як VT6 транзистор типу KT847А, n-p-n, з параметрами:


.6 Вибір комутуючого діода VD3

Умови для вибору діода:


Обираємо діод типу 2Д213А з параметрами:


.7 Розрахунок струмів регулюючого транзистора

Відпорний і запірний струми регулюючого транзистора. Базовий струм транзистора відповідно визначається так:


Амплітуда запірного струму дорівнює:

де .

.8 Визначення часу вмикання і вимикання регулюючого транзистора

де .


.9 Визначення втрат потужності на регулюючому транзисторі

Втрати потужності на регулюючому транзисторі складаються в основному із втрат потужності в режимі насичення (статичні втрати) та при вмиканні - вимиканні транзистора (динамічні втрати):


Потужність втрат повинна бути меншою за потужність, яку здатен розсіяти транзистор: .

.10 Визначення втрат потужності на комутуючому діоді

Втрати потужності на комутуючому діоді складаються також із статичних та динамічних утрат:


.11 Розрахунок максимальної потужності



де  - максимальна температура середовища;

 - тепловий опір перехід-середовище(повітря).

.12 Розрахунок параметрів і вибір транзистора VT5

Струм колектора транзистора можна оцінити таким чином:


Умови для вибору транзистора VT5 такі:


Вибираємо: транзистор типу КТ814Г, p-n-p, з параметрами:

 

4. Розрахунок системи управління

.1 Розрахунок параметрів і вибір елементів формуючого каскаду ФК

Струм колектора транзистора VT4:


де взято  .

За умовами

 

вибираємо як VT4 транзистор типу КТ3151В9, n-p-n, з параметрами:


Напругу живлення Uж СУ обрано рівною 12 В.

Як VD2 підходить будь-який малопотужний кремнієвий діод з допустимим прямим струмом, не меншим за максимальний струм колектора VT4 (). Вибираємо діод КД522 з параметрами: . Резистор R21 необхідний для обмеження струму колектора відкритого транзистора VT4 на рівні :

 

де  .

Резистор R16 є колекторним навантаженням компаратора DA3 і задає струм бази транзистора VT4:


Максимальний вихідний струм компаратора 521СА3 . Тому для величини R16 існує обмеження:

.

.2 Розрахунок генератора

Якщо прийняти, що ширина зони переключення компаратора DA2 у даній схемі становить 1/3 від перепаду напруги на його вході , то період коливань: , де  - стала часу.

Вихідна напруга  має коливання, симетричні відносно половинного рівня напруги . Тому опори подільника, який задає режим, .

Струм подільника, який підключається до аналогового входу мікросхеми, звичайно обирається з умови:. Для компаратора 521СА3 (554СА3): . Візьмемо: . Тоді:


На неінвертувальний вхід DА4 через резистор R13 передається 1/3 перепаду вихідної напруги, тому R13 = R11=R12 = 6,2 кОм.

Задаємося умовою R14 = R13 і знаходимо значення частотозадавальної ємності С3:


Уточнюємо значення R14:


Опір колекторного навантаження компаратора DA2 обираємо з умови:


Передбачається, що точні значення частот перетворення встановлюються під час настройки ІППН, оскільки елементи схеми мають деякий розкид параметрів.

.3 Розрахунок підсилювача неузгодженості

Підсилювач неузгодженості ПН виконаний на ОП DA1 загального призначення з параметрами, які відповідають умовам  або ,

де  - залишкова напруга ОП, яка при класичній схемі включення визначається за співвідношеннями:


Як DA1 вибираємо ОП типу 140УД6 з параметрами:


Режим DA1 у схемі ІППН задає джерело опорної напруги на стабілітроні VD1 з баластовим резистором R5 Рекомендується . Візьмемо Uоп = 9 В. Вибираємо придатний за напругою стабілізації малопотужний стабілітрон типу Д818Г з параметрами . Баластовий резистор можна визначити так:


Мінімальна задавальна напруга визначає мінімальну синфазну напругу на входах DA1, тому візьмемо .