Материал: Сегнетоэлектрики – структура свойства и применение

В сдвигающих регистрах и счетчиках вычислительных машин матричная селекция не употребляется, поэтому здесь можно использовать импульсы напряжения большей амплитуды. Это обстоятельство уменьшает указанный выше предел времени срабатывания. При малой емкости выходного конденсатора напряжение с выхода одной ячейки может быть непосредственно приложено к другой ячейке. Подобные регистры были построены с применением монокристаллов титаната бария и транзисторных управляющих цепей. Были также созданы регистры и накопители на керамиках. Одно из устройств, допускающих неразрушающее считывание информации с ячейки памяти, описано Кауфманом. Принцип его работы заключается в том, что при переполяризации ячейки в результате изменения знака спонтанной поляризации фаза выходного сигнала изменяется так, что последний находится или в фазе, или в противофазе с опорным переменным пьезоэлектрическим сигналом, вырабатываемым при ультразвуковой вибрации ячейки.

Сегнетоэлектрическая резонансная пара может служить основой бистабильных элементов вычислительных машин. Если частота срабатывания магнитных феррорезонансных пар составляет примерно 20 кГц, то с сегнетоэлектриками можно получить большее быстродействие. В одном из типов таких устройств применяются два контура последовательного резонанса, подключенных параллельно источнику переменного напряжения. В каждой такой цепи последовательно соединены нелинейный сегнетоэлектрический конденсатор и линейная индуктивность. Условие резонанса нелинейной цепи зависит от амплитуды. Если амплитуда напряжения мала, то в обоих плечах может иметь место линейный резонанс, но имеется такой интервал амплитуд, для которого осуществляется нелинейный резонанс, при котором заряд, протекающий в одном плече, много больше, чем в другом. Больший ток может протекать в любом из плеч. Переключение с одного состояния нелинейного резонанса на другое осуществляется при помощи индуктивной связи.

Заключение

. Диэлектрические свойства сегнетоэлектриков характеризуются нелинейными зависимостями между D и Е, гистерезисом, зависимостью e от напряженности поля, что связано с наличием электрических доменов.

. Электропроводность сегнетоэлектриков в определенном отношении также связана с доменной структурой. Как и у некоторых других диэлектриков, при включении постоянного поля в сегнетоэлектриках наблюдается спад тока, связанный в частности, с сегнетоэлектрической релаксационной поляризацией.

. Сегнетоэлектрики находят широкое практическое применение. Наиболее широко применяют сегнетоэлектрики в малогабаритных конденсаторах большой емкости; причем обычно используют в виде керамики твердые растворы, которые выбирают так, чтобы получался размытый фазовый переход для сглаживания температурных зависимостей.

4 Сегнетоэлектрики применяют также в качестве нелинейных элементов. На основе  разработаны и серийно выпускаются вариконды, предназначенные для управляемых фильтров, частотных модуляторов, генераторов развертки, умножителей частоты и т. д. Имеются как объемные, так и пленочные варианты элементов. Развиваются применение сегнетоэлектриков в качестве запоминающих элементов и ячеек памяти в вычислительных устройствах.

Список использованной литературы

1. Дж. Барфут, Введение в физику сегнетоэлектрических явлений, изд-во «Мир»,352 стр., 1970.

. Ф. Иона Д. Ширане, Сегнетоэлектрические кристаллы, изд-во «Мир»,556 стр., 1965.

3. В.А. Овчинников, Общая физика электричества и магнетизма, М., 248 стр., 1975.

. А.С. Сонин Б.А. Струков, Введение в сегнетоэлектричество М., 438 стр.,1970.

. В.М. Гуревич, Электропроводность сегнетоэлектриков М., 359 стр., 1969.

. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков. М.:Мир, 1968, с-463.

. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М.: Мир, 1965, с-555.

. Струков В.А. Сегнетоэлектричество. М.: Наука, 1979, с.-96.