Курсовая работа (т): Расчет управляемого выпрямителя

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

С1 - емкость конденсатора С1, Ф.

Рекомендуется Uгпн =8 В, а С1=1 мкФ.

Мощность сопротивления R2 определяется по формуле

Р≥ (Вт)

Р≥

0,125

МЛТ


где R2 - выбранное номинальное значение резистора.

Тип и номинальная мощность резистора R2 выбирается по табл.7.

Тип и номинальное напряжение конденсатора С1 выбирается по табл.8.

Таблица 8

Тип

Номинальная емкость, мкФ

Допускаемые отклонения, %

Максимальное напряжение, В

Частота, Гц

Диапазон температур,0С

МБМ

0,1; 0,25; 0,5; 1,0

10, 20

160

5…100

-60…+70

К50-12

10, 50, 100, 200, 500, 1000, 4000

от +80 до -20

12, 25, 50, 100

-

-10…+70


3.2 Расчет элементов компаратора

3.2.1 Выбор транзистора VT2

Выбор транзистора VT2 производится по максимальным напряжению Uкэ и току коллектора Iк , коэффициенту усиления по току β и мощности Рдоп.

Учитывая, что условия работы транзистора соответствуют условиям работы предварительного каскада усиления (малая мощность Рдоп≤ 0,3 Вт, ток коллектора Iк≥ 0,05 А, коэффициент усиления β ≥20),напряжение питания СИФУ (Uп = 24 В) и вид транзистора (p-n-p), выбираем транзистор VT2 из табл.5.

Тип транзи-стора

Максимальное напряжение «коллектор-эмиттер», Uкэ ,В

Максима-льный ток коллектора, Iк , А

Коэффици-ент усиления по току (β)

Мощ-ность, Рдоп , Вт

Макси-мальная частота, мГц

Видтранзи-стора

Мате-риал

КТ361Д

40

0,05

20-90

0,15

100

p-n-p

кремний


3.2.2 Выбор транзистора VT3

Выбор транзистора усилителя сигнала компаратора VT3 производится по максимальным напряжению Uкэ и току коллектора Iк , коэффициенту усиления по току β и мощности Рдоп.

Учитывая, что условия работы транзистора соответствуют условиям работы промежуточного каскада усиления (малая мощность Рдоп≤ 0,3 Вт, ток коллектора Iк≥ 0,1 А, коэффициент усиления β ≥20),напряжение питания СИФУ (Uп = 24 В) и вид транзистора (n-p-n), выбираем транзистор VT3 из табл.5.

Тип транзи-стора

Максимальное напряжение «коллектор-эмиттер», Uкэ ,В

Максима-льный ток коллектора, Iк , А

Коэффици-ент усиления по току (β)

Мощ-ность, Рдоп , Вт

Макси-мальная частота, мГц

Видтранзи-стора

Мате-риал

КТ315В

40

0,1

20-90

0,15

100

n-p-n

кремний


3.2.3 Выбор ограничивающего резистора R3

Резистор R3 ограничивает ток базы транзистора VT3.

Сопротивление резистора R3 определяется по формуле

R3 ≥ (Ом)

3 ≥

где Uп- напряжение питания СИФУ, В;

Iк- максимальный ток коллектора выбранного транзистора VT3, А;

βмин - минимальный коэффициент усиления VT3 из табл.5.

P≥0,12(Вт)

3.2.4 Выбор резистора смещения R4

Резистор R4 подает необходимое напряжение смещения на базу транзистора VT3 для наилучшего усиления выходного напряжения компаратора.

Сопротивление резистора R4 определяется по формуле

4=0,2∙ R3 (Ом).

4=0,2∙ 4800=960(Ом)

P≥0,6(Вт)

МТЛ 1,0

3.2.5 Выбор ограничивающего резистора R5

Резистор R5 ограничивает ток коллектора транзистора VT3.

Сопротивление резистора R5 определяется по формуле

5 ≥ (Ом)

5 ≥

где Uп- напряжение питания СИФУ, В;

Iк- максимальный ток коллектора выбранного транзистора VT3, А.

P≥0,12(Вт)

МДТ 0,125

3.3 Расчет элементов усилителя-формирователя импульсов управления

.3.1 Выбор транзистора VT4

Выбор транзистора VT4 производится по максимальным напряжению Uкэ и току коллектора Iк , коэффициенту усиления по току β и мощности Рдоп.

Учитывая, что условия работы транзистора соответствуют условиям работы выходного каскада усиления (большая мощность Рдоп≥ 3 Вт, ток коллектора Iк≥ 1,5 А, высокий коэффициент усиления β ≥20),напряжение питания СИФУ (Uп = 24 В) и вид транзистора (p-n-p), выбираем транзистор VT4 из табл.5.

Тип транзи-стора

Максимальное напряжение «коллектор-эмиттер», Uкэ ,В

Максима-льный ток коллектора, Iк , А

Коэффици-ент усиления по току (β)

Мощ-ность, Рдоп , Вт

Макси-мальная частота, мГц

Видтранзи-стора

Мате-риал

КТ814В

60

1,5

≥40

10

3

p-n-p

кремний


3.3.2 Расчет формирователя коротких импульсов управления С2, R6

Сначала задаются емкостью конденсатора С2, а затем определяют сопротивление резистора R6 из следующего соотношения:

R6 =

6 =

где tвкл- время включения тиристора, с;

С2 - емкость конденсатора С2, Ф. R6 возьмем 300 Ом.

Рекомендуется выбрать С2=0,25 мкФ, а tвкл указано в табл.4.

Мощность сопротивления R6 определяется по формуле

Р≥ (Вт)

Р≥ (Вт)

где R6 - выбранное номинальное значение резистора.

Тип и номинальная мощность резистора R6 выбирается по табл.7.

МЛТ 1

Тип и номинальное напряжение конденсатора С2 выбирается по табл.8.

Тип

Номинальная емкость, мкФ

Допускаемые отклонения, %

Максимальное напряжение, В

Частота, Гц

Диапазон температур,0С

МБМ

0,25

10,20

160

5…100

-60…+70


3.4 Выбор элементов гальванической развязки импульсов управления

В качестве устройства гальванической развязки рекомендуется импульсный трансформатор типа Т103 (ТИ1). Трансформатор имеет одну первичную и две вторичные обмотки, намотанных на кольцевом ферритовом сердечнике и залитых эпоксидным компаундом. Все обмотки имеют одинаковое количество витков (100), поэтому коэффициент трансформации равен 1. Клеммы первичной обмотки ТИ1 (входные) подключены между выводом «-» источника питания СИФУ и эмиттером транзистора VT4; клемма 1 (3) вторичной обмотки (выходная) подсоединяется к управляющему электроду, а клемма 2 (4) - к катоду тиристора.

Учитывая, что диоды VD2-VD4 должны иметь малое прямое падение напряжение Uпр ≤ 1 В, максимальное напряжение Uобр> 1,41U2 и максимальный прямой ток Iпр ≥ 0,3 А, выбираем диоды из табл.6.

Тип

Максимальный прямой ток, А

Максимальное напряжение, В

Прямое падение напряжения, В

Материал

Диапазон температур,0С

2Д222ЕС

3

40

0,65

Кремний

-60…+125


3.5 Выбор элементов блока питания и задатчика напряжения управления

Принципиальная схема блока питания (БП) и задатчика напряжения управления для системы управления УВ приведена на рис.П1.

Понижающий трансформатор блока питания (TV2) выбирается из табл.2 исходя из следующих условий: напряжение первичной обмотки U =220 В, напряжение вторичной обмотки U = 24 В; СИФУ потребляет ток не более 1 А, номинальная мощность (Sн) рассчитывается по формуле (3).

т = kи ×Iн ×Uн

т = 1,1× 1*2× 24=52,8 (ВА)

Тип

Номинальная мощность (Sт), кВА

Номинальные напряжения обмоток, В

Мощ-ностьКЗ (DPкз), Вт

Uкз, %

ОСМ-0,063-УХЛ3

0,063

220

24

5

12


3.5.2 Выбор выпрямителя и сглаживающего фильтра блока питания

Диоды выпрямительного моста (VD5 - VD8) необходимо выбирать исходя из того, что СИФУ потребляет ток не более 1 А. Расчет и выбор VD5 - VD8 производится по формулам (1) - (2).

 

 

Тип

Максимальный прямой ток, А

Максимальное напряжение, В

Прямое падение напряжения, В

Материал

Диапазон температур,0С

КД203А

10

400

1

Кремний

-60…+125


Величина емкости сглаживающего конденсатора С4 определяется как

С4=1,5∙106

С4=1,5∙106   (мкФ)

где f - частота сети,

U-напряжение вторичной обмотки трансформатора,

Iн -ток нагрузки (ток, потребляемый СИФУ),

КП - допустимый коэффициент пульсаций (допустимый КП =0,2).

В качестве емкости сглаживающего фильтра (С4) рекомендуется конденсатор типа К50-12 *3шт. (табл.8).

Тип

Номинальная емкость, мкФ

Допускаемые отклонения, %

Максимальное напряжение, В

Частота, Гц

Диапазон температур,0С

К50-12

4000

от +80 до -20

25

-

-10…+70


3.5.3 Выбор элементов задатчика напряжения управления

Задатчик напряжения управленияСИФУ состоит из потенциометра R7, ограничивающего резистора R8 и развязывающей емкости С4. Исходя из условий Uгпн =8 В и Uп=24 В, приходим к соотношению R8=2∙R7.

Принимаем значение R7=1 кОм. Тогда R8=2 кОм.

Мощность резистора R7 определяется по формуле

Р≥ (Вт)

Р≥ (Вт)

В качестве резистора R7 рекомендуется использовать переменное сопротивление типа СП-0,5.

Мощность резистора R8 определяется по формуле

Р≥ (Вт)

Тип и номинальная мощность резистора R8 выбирается по табл.7.

Рн, Вт

0,5

Тип

МЛТ


В качестве развязывающей емкости С4 рекомендуется использоватьконденсатор типа К50-12 емкостью 10 мкФ и напряжением 50 В (табл.8).

Тип

Номинальная емкость, мкФ

Допускаемые отклонения, %

Максимальное напряжение, В

Частота, Гц

Диапазон температур,0С

К50-12

10

от +80 до -20

50

-

-10…+70


3.5.4 Выбор выключателей QF1-QF2

 

4. РАСЧЕТ ХАРАКТЕРИСТИК УВ

4.1 Регулировочная характеристика

Uвых = Ud0×(1+cos)/2 вых = Ud0×(1+cos)/2

d0=0,9*260=235(В)

где Ud0 - напряжение преобразователя при нулевом угле управления (В);

угол управления ( 0о£a£ 180о ).

Регулировочная характеристика УВ показана на рис.10.

Рис.10.

4.2 Выходная характеристика

вых = Ud0 - I×Rп,             (18)

Uвых =234-1,8*0,2=233,64 (В)

где I - текущий ток.

Выходная характеристика УВ показана на рис.11.

Рис.11.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В этой работе по данным двигателя 4ПО80А2 были рассчитаны параметры элементов, которые необходимо использовать в схеме управляемого тиристорного выпрямителя.

Управляемый выпрямитель включает в себя: силовую схему однофазного тиристорного выпрямителя, систему управления выпрямителя, блок питания системы управления.

Результаты расчета показали, что спроектированное устройство удовлетворяет требованиям технического задания.

Библиографический список

1.       Промышленная электроника в электроприводе: Учебное пособие для бакалавров направления 140400. - Иркутск, 2011. 123 с. ЭИ.

2.      М.П.Дунаев. Промышленная электроника в электроприводе: Методические указания по выполнению лабораторных работ. -Иркутск: ИрГТУ, 2011. 30 с.

.        М.П.Дунаев. Промышленная электроника в электроприводе: Методические указания к выполнению практических занятий. -Иркутск: ИрГТУ, 2011. 31 с.

.        М.П.Дунаев. Промышленная электроника в электроприводе: Методические указания к самостоятельной работе.- Иркутск: ИрГТУ, 2011. 7 с.

.        Силовая электроника: учебник по направлению "Электротехника, электромеханика и электротехнологии" / Ю. К. Розанов, М. В. Рябчицкий, А. А. Кваснюк. - 2-е изд., М.: Изд. дом МЭИ, 2009. - 631 с.

.        М.П.Дунаев. Преобразовательная техника / Учебное пособие.- Иркутск: ИрГТУ, 2001. 77 с.

Приложение

Перечень элементов принципиальной схемы УВ

Позиция

Обозначение

Кол.

Примеч.


Резисторы:



R1

МЛТ 0,25 12кОм

2

СИФУ

R2

МЛТ 0,125 30кОм

2

СИФУ

R3

МЛТ 0,125 5,1кОм

2

СИФУ

R4

МЛТ 1,0 1кОм

2

СИФУ

R5

МЛТ 0,125 5,1кОм

2

СИФУ

R6

МЛТ 0,125 0,3кОм

2

СИФУ

R7

СП-0,5 1кОм

1

Задатчик СИФУ

R8

МЛТ-0,25 2кОм

1

Задатчик СИФУ


Конденсаторы:



С1

МБМ 1,0*160В

2

СИФУ

С2

МБМ 0,25*160В

2

СИФУ

С3

К50-12 10,0*25В

1

Задатчик СИФУ

С4

К50-12 4000,0*25В

3

Блок питания СИФУ


Диоды:



VD1

2Д222ЕС

2

СИФУ

VD2...VD4

2Д222ЕС

6

СИФУ

VD5...VD8

КД203А

4

Блок питания СИФУ


Транзисторы:



VT1,VT2

КТ315В

4

СИФУ

VT3

КТ315В

2

СИФУ

VT4

КТ814В

2

СИФУ


Тиристоры:



VS1…VS4

T112-16-3

4

Силовая схема УВ


Трансформаторы



TV1

ОСМ-1,0-УХЛЗ, 220/130

1

На входе УВ

TV2

ОСМ-0,063-УХЛЗ 220/24

1

Блок питания СИФУ

ТИ1

Т103

2

На выходе СИФУ


Измерительные приборы



рV1

М4200, 150В

1

На выходе УВ

рА1

М4200, 10А

1

На выходе УВ


Автоматич. выключатели



QF1

ВА47-29-2С, 6А

1

На входе TV1

QF2

ВА-47-29-2С, 10А

1

На выходе УВ