С1 - емкость конденсатора С1, Ф.
Рекомендуется Uгпн =8 В, а С1=1 мкФ.
Мощность
сопротивления R2 определяется по формуле
Р≥
(Вт)
Р≥
|
0,125 |
|
МЛТ |
где R2 - выбранное номинальное значение резистора.
Тип и номинальная мощность резистора R2 выбирается по табл.7.
Тип и номинальное напряжение конденсатора С1 выбирается по табл.8.
Таблица 8
|
Тип |
Номинальная емкость, мкФ |
Допускаемые отклонения, % |
Максимальное напряжение, В |
Частота, Гц |
Диапазон температур,0С |
|
МБМ |
0,1; 0,25; 0,5; 1,0 |
10, 20 |
160 |
5…100 |
-60…+70 |
|
К50-12 |
10, 50, 100, 200, 500, 1000, 4000 |
от +80 до -20 |
12, 25, 50, 100 |
- |
-10…+70 |
3.2 Расчет элементов компаратора
3.2.1 Выбор транзистора VT2
Выбор транзистора VT2 производится по максимальным напряжению Uкэ и току коллектора Iк , коэффициенту усиления по току β и мощности Рдоп.
Учитывая, что условия работы транзистора соответствуют условиям работы
предварительного каскада усиления (малая мощность Рдоп≤ 0,3
Вт, ток коллектора Iк≥ 0,05 А, коэффициент усиления β
≥20),напряжение
питания СИФУ (Uп = 24 В) и вид транзистора (p-n-p), выбираем
транзистор VT2 из табл.5.
|
Тип транзи-стора |
Максимальное напряжение «коллектор-эмиттер», Uкэ ,В |
Максима-льный ток коллектора, Iк , А |
Коэффици-ент усиления по току (β) |
Мощ-ность, Рдоп , Вт |
Макси-мальная частота, мГц |
Видтранзи-стора |
Мате-риал |
|
КТ361Д |
40 |
0,05 |
20-90 |
0,15 |
100 |
p-n-p |
кремний |
3.2.2 Выбор транзистора VT3
Выбор транзистора усилителя сигнала компаратора VT3 производится по максимальным напряжению Uкэ и току коллектора Iк , коэффициенту усиления по току β и мощности Рдоп.
Учитывая, что условия работы транзистора соответствуют условиям работы
промежуточного каскада усиления (малая мощность Рдоп≤ 0,3 Вт, ток
коллектора Iк≥ 0,1 А, коэффициент усиления β
≥20),напряжение
питания СИФУ (Uп = 24 В) и вид транзистора (n-p-n), выбираем
транзистор VT3 из табл.5.
|
Тип транзи-стора |
Максимальное напряжение «коллектор-эмиттер», Uкэ ,В |
Максима-льный ток коллектора, Iк , А |
Коэффици-ент усиления по току (β) |
Мощ-ность, Рдоп , Вт |
Макси-мальная частота, мГц |
Видтранзи-стора |
Мате-риал |
|
КТ315В |
40 |
0,1 |
20-90 |
0,15 |
100 |
n-p-n |
кремний |
3.2.3 Выбор ограничивающего резистора R3
Резистор R3 ограничивает ток базы транзистора VT3.
Сопротивление резистора R3
определяется по формуле
R3 ≥
(Ом)
3
≥
где Uп- напряжение питания СИФУ, В;
Iк- максимальный ток коллектора выбранного транзистора VT3, А;
βмин - минимальный коэффициент усиления VT3 из табл.5.
P≥0,12(Вт)
3.2.4 Выбор резистора смещения R4
Резистор R4 подает необходимое напряжение смещения на базу транзистора VT3 для наилучшего усиления выходного напряжения компаратора.
Сопротивление резистора R4 определяется по формуле
4=0,2∙ R3 (Ом).
4=0,2∙ 4800=960(Ом)
P≥0,6(Вт)
МТЛ
1,0
3.2.5 Выбор ограничивающего резистора R5
Резистор R5 ограничивает ток коллектора транзистора VT3.
Сопротивление резистора R5 определяется по формуле
5
≥
(Ом)
5
≥
где Uп- напряжение питания СИФУ, В;
Iк- максимальный ток коллектора выбранного транзистора VT3, А.
P≥0,12(Вт)
МДТ
0,125
3.3 Расчет элементов усилителя-формирователя
импульсов управления
.3.1 Выбор транзистора VT4
Выбор транзистора VT4 производится по максимальным напряжению Uкэ и току коллектора Iк , коэффициенту усиления по току β и мощности Рдоп.
Учитывая,
что условия работы транзистора соответствуют условиям работы выходного каскада
усиления (большая мощность Рдоп≥ 3 Вт, ток коллектора Iк≥
1,5 А, высокий коэффициент усиления β ≥20),напряжение питания СИФУ (Uп = 24 В) и вид транзистора (p-n-p),
выбираем транзистор VT4 из табл.5.
|
Тип транзи-стора |
Максимальное напряжение «коллектор-эмиттер», Uкэ ,В |
Максима-льный ток коллектора, Iк , А |
Коэффици-ент усиления по току (β) |
Мощ-ность, Рдоп , Вт |
Макси-мальная частота, мГц |
Видтранзи-стора |
Мате-риал |
|
КТ814В |
60 |
1,5 |
≥40 |
10 |
3 |
p-n-p |
кремний |
3.3.2 Расчет формирователя коротких импульсов управления С2, R6
Сначала задаются емкостью конденсатора С2, а затем определяют
сопротивление резистора R6 из
следующего соотношения:
R6 =
6
=
где tвкл- время включения тиристора, с;
С2 - емкость конденсатора С2, Ф. R6 возьмем 300 Ом.
Рекомендуется выбрать С2=0,25 мкФ, а tвкл указано в табл.4.
Мощность
сопротивления R6 определяется по формуле
Р≥
(Вт)
Р≥
(Вт)
где R6 - выбранное номинальное значение резистора.
Тип и номинальная мощность резистора R6 выбирается по табл.7.
МЛТ 1
Тип и номинальное напряжение конденсатора С2 выбирается по табл.8.
|
Тип |
Номинальная емкость, мкФ |
Допускаемые отклонения, % |
Максимальное напряжение, В |
Частота, Гц |
Диапазон температур,0С |
|
МБМ |
0,25 |
10,20 |
160 |
5…100 |
-60…+70 |
3.4 Выбор элементов гальванической развязки
импульсов управления
В качестве устройства гальванической развязки рекомендуется импульсный трансформатор типа Т103 (ТИ1). Трансформатор имеет одну первичную и две вторичные обмотки, намотанных на кольцевом ферритовом сердечнике и залитых эпоксидным компаундом. Все обмотки имеют одинаковое количество витков (100), поэтому коэффициент трансформации равен 1. Клеммы первичной обмотки ТИ1 (входные) подключены между выводом «-» источника питания СИФУ и эмиттером транзистора VT4; клемма 1 (3) вторичной обмотки (выходная) подсоединяется к управляющему электроду, а клемма 2 (4) - к катоду тиристора.
Учитывая, что диоды VD2-VD4 должны иметь малое прямое падение
напряжение Uпр ≤ 1 В, максимальное напряжение Uобр>
1,41U2 и максимальный прямой ток Iпр ≥ 0,3
А, выбираем диоды из табл.6.
|
Тип |
Максимальный прямой ток, А |
Максимальное напряжение, В |
Прямое падение напряжения, В |
Материал |
Диапазон температур,0С |
|
2Д222ЕС |
3 |
40 |
0,65 |
Кремний |
-60…+125 |
3.5 Выбор элементов блока питания и задатчика
напряжения управления
Принципиальная схема блока питания (БП) и задатчика напряжения управления для системы управления УВ приведена на рис.П1.
Понижающий трансформатор блока питания (TV2) выбирается из табл.2 исходя из следующих условий: напряжение первичной обмотки U1н =220 В, напряжение вторичной обмотки U2н = 24 В; СИФУ потребляет ток не более 1 А, номинальная мощность (Sн) рассчитывается по формуле (3).
т = kи ×Iн ×Uн
т
= 1,1× 1*2× 24=52,8 (ВА)
|
Тип |
Номинальная мощность (Sт), кВА |
Номинальные напряжения обмоток, В |
Мощ-ностьКЗ (DPкз), Вт |
Uкз, % |
|
|
ОСМ-0,063-УХЛ3 |
0,063 |
220 |
24 |
5 |
12 |
3.5.2 Выбор выпрямителя и сглаживающего фильтра блока питания
Диоды выпрямительного моста (VD5 - VD8) необходимо выбирать исходя из
того, что СИФУ потребляет ток не более 1 А. Расчет и выбор VD5 - VD8 производится по формулам (1) - (2).
|
Тип |
Максимальный прямой ток, А |
Максимальное напряжение, В |
Прямое падение напряжения, В |
Материал |
Диапазон температур,0С |
|
КД203А |
10 |
400 |
1 |
Кремний |
-60…+125 |
Величина емкости сглаживающего конденсатора С4 определяется как
С4=1,5∙106
С4=1,5∙106
(мкФ)
где f - частота сети,
U2н -напряжение вторичной обмотки трансформатора,
Iн -ток нагрузки (ток, потребляемый СИФУ),
КП - допустимый коэффициент пульсаций (допустимый КП =0,2).
В
качестве емкости сглаживающего фильтра (С4) рекомендуется конденсатор типа
К50-12 *3шт. (табл.8).
|
Тип |
Номинальная емкость, мкФ |
Допускаемые отклонения, % |
Максимальное напряжение, В |
Частота, Гц |
Диапазон температур,0С |
|
К50-12 |
4000 |
от +80 до -20 |
25 |
- |
-10…+70 |
3.5.3 Выбор элементов задатчика напряжения управления
Задатчик напряжения управленияСИФУ состоит из потенциометра R7, ограничивающего резистора R8 и развязывающей емкости С4. Исходя из условий Uгпн =8 В и Uп=24 В, приходим к соотношению R8=2∙R7.
Принимаем значение R7=1 кОм. Тогда R8=2 кОм.
Мощность резистора R7
определяется по формуле
Р≥
(Вт)
Р≥
(Вт)
В качестве резистора R7 рекомендуется использовать переменное сопротивление типа СП-0,5.
Мощность резистора R8 определяется по формуле
Р≥
(Вт)
Тип
и номинальная мощность резистора R8 выбирается по табл.7.
|
Рн, Вт |
0,5 |
|
Тип |
МЛТ |
В качестве развязывающей емкости С4 рекомендуется использоватьконденсатор
типа К50-12 емкостью 10 мкФ и напряжением 50 В (табл.8).
|
Тип |
Номинальная емкость, мкФ |
Допускаемые отклонения, % |
Максимальное напряжение, В |
Частота, Гц |
Диапазон температур,0С |
|
К50-12 |
10 |
от +80 до -20 |
50 |
- |
-10…+70 |
3.5.4 Выбор выключателей QF1-QF2
4. РАСЧЕТ ХАРАКТЕРИСТИК УВ
4.1 Регулировочная характеристика
Uвых = Ud0×(1+cos)/2 вых = Ud0×(1+cos)/2
d0=0,9*260=235(В)
где Ud0 - напряжение преобразователя при нулевом угле управления (В);
угол управления ( 0о£a£ 180о ).
Регулировочная характеристика УВ показана на рис.10.
Рис.10.
4.2 Выходная характеристика
вых = Ud0 - I×Rп, (18)
Uвых =234-1,8*0,2=233,64 (В)
где I - текущий ток.
Выходная
характеристика УВ показана на рис.11.
Рис.11.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В этой работе по данным двигателя 4ПО80А2 были рассчитаны параметры элементов, которые необходимо использовать в схеме управляемого тиристорного выпрямителя.
Управляемый выпрямитель включает в себя: силовую схему однофазного тиристорного выпрямителя, систему управления выпрямителя, блок питания системы управления.
Результаты расчета показали, что спроектированное устройство
удовлетворяет требованиям технического задания.
Библиографический список
1. Промышленная электроника в электроприводе: Учебное пособие для бакалавров направления 140400. - Иркутск, 2011. 123 с. ЭИ.
2. М.П.Дунаев. Промышленная электроника в электроприводе: Методические указания по выполнению лабораторных работ. -Иркутск: ИрГТУ, 2011. 30 с.
. М.П.Дунаев. Промышленная электроника в электроприводе: Методические указания к выполнению практических занятий. -Иркутск: ИрГТУ, 2011. 31 с.
. М.П.Дунаев. Промышленная электроника в электроприводе: Методические указания к самостоятельной работе.- Иркутск: ИрГТУ, 2011. 7 с.
. Силовая электроника: учебник по направлению "Электротехника, электромеханика и электротехнологии" / Ю. К. Розанов, М. В. Рябчицкий, А. А. Кваснюк. - 2-е изд., М.: Изд. дом МЭИ, 2009. - 631 с.
. М.П.Дунаев.
Преобразовательная техника / Учебное пособие.- Иркутск: ИрГТУ, 2001. 77 с.
Приложение
Перечень элементов принципиальной схемы УВ
|
Позиция |
Обозначение |
Кол. |
Примеч. |
|
|
Резисторы: |
|
|
|
R1 |
МЛТ 0,25 12кОм |
2 |
СИФУ |
|
R2 |
МЛТ 0,125 30кОм |
2 |
СИФУ |
|
R3 |
МЛТ 0,125 5,1кОм |
2 |
СИФУ |
|
R4 |
МЛТ 1,0 1кОм |
2 |
СИФУ |
|
R5 |
МЛТ 0,125 5,1кОм |
2 |
СИФУ |
|
R6 |
МЛТ 0,125 0,3кОм |
2 |
СИФУ |
|
R7 |
СП-0,5 1кОм |
1 |
Задатчик СИФУ |
|
R8 |
МЛТ-0,25 2кОм |
1 |
Задатчик СИФУ |
|
|
Конденсаторы: |
|
|
|
С1 |
МБМ 1,0*160В |
2 |
СИФУ |
|
С2 |
МБМ 0,25*160В |
2 |
СИФУ |
|
С3 |
К50-12 10,0*25В |
1 |
Задатчик СИФУ |
|
С4 |
К50-12 4000,0*25В |
3 |
Блок питания СИФУ |
|
|
Диоды: |
|
|
|
VD1 |
2Д222ЕС |
2 |
СИФУ |
|
VD2...VD4 |
2Д222ЕС |
6 |
СИФУ |
|
VD5...VD8 |
КД203А |
4 |
Блок питания СИФУ |
|
|
Транзисторы: |
|
|
|
VT1,VT2 |
КТ315В |
4 |
СИФУ |
|
VT3 |
КТ315В |
2 |
СИФУ |
|
VT4 |
КТ814В |
2 |
СИФУ |
|
|
Тиристоры: |
|
|
|
VS1…VS4 |
T112-16-3 |
4 |
Силовая схема УВ |
|
|
Трансформаторы |
|
|
|
TV1 |
ОСМ-1,0-УХЛЗ, 220/130 |
1 |
На входе УВ |
|
TV2 |
ОСМ-0,063-УХЛЗ 220/24 |
1 |
Блок питания СИФУ |
|
ТИ1 |
Т103 |
2 |
На выходе СИФУ |
|
|
Измерительные приборы |
|
|
|
рV1 |
М4200, 150В |
1 |
На выходе УВ |
|
рА1 |
М4200, 10А |
1 |
На выходе УВ |
|
|
Автоматич. выключатели |
|
|
|
QF1 |
ВА47-29-2С, 6А |
1 |
На входе TV1 |
|
QF2 |
ВА-47-29-2С, 10А |
1 |
На выходе УВ |