) поместить транспортную кассету в контейнер и перенести в установку контроля;
) проконтролировать 3 пластины из партии на качество снятия фоторезиста;
) повторить переходы 14-18 для всех пластин партии при обнаружении несоответствия качества хотя бы на одной пластине;
) заполнить сопроводительный лист, проверив соответствия номера партии и сопроводительного листа. Пластины в кассетах должны быть расположены, по возрастанию номеров в соответствии с номерами пазов кассет планарной стороны к этикетки на контейнере с номером партии;
) ввести информацию в АСОУКП;
) слить смесь серной кислоты с перекисью водорода из каждой ванны после снятия 1100 пластин;
) выполнять переходы 4-22 для всех последующих партий пластин;
) вести учет количества обработанных пластин в журнале по форме.
Снятия фоторезиста в смеси демитилформамида и моноэтаноламина:
) повторить переходы 4-6;
) поместить захватом кассету с пластинами в отсек ванны с холодным демитилформамидом;
) выдержать кассету с пластинами в демитилформамиде в течении 6 мин, Контролируя время по секундомеру;
) перенести захватом кассету с пластинами в отсек с кипящей смесью демитилформамида с моноэтаноламином и выдержать в течении 8 мин;
) перенести захватом кассету с пластинами в следующую ванну с холодным демитилформамидом и сделать пять-семь окунаний;
) перенести кассету с пластинами в ванну с горячей водой при температуре (55±10)°С, сделать пять-семь окунаний и перенести в ванну с холодной водой. Промыть пластины 15 мин, кроме слоя “Пассивация”. Данный слой промывать не более 4 мин;
) повторить переходы 16-25.
поликремниевый оксидирование фотолитография
В данной курсовой работе я разработал КМОП-КНС-ИМ с поликремниевыми затворами. Для создания данной ИМ мне потребовалось 27 операций, из которых 7 фотолитографий.
Основные факторы, ограничивающие стоимость и качество КМОП - КНС- ИМ: высокая стоимость сапфира, сложность его механической обработки, связанная с большой твердостью, жесткие требования к качеству подготовки поверхности из-за несовместимости кристаллической решетки с кремниевой. Все это привело к появлению большого числа работ по созданию структур “кремний на аморфных подложках”.
Наряду с приведенными технологическими процессами, существуют и другие. Следует отметить, что технология ИМ непрерывно совершенствуется, постоянно идет поиск новых конструктивно- технических решений.
1. Зи, С. Технология СБИС: В 2 т./ С.Зи. - M. : Мир, 1986. Т. 1-2. 2.
. Степаненко, И. П. Основы микроэлектроники : [учебное пособие] / И. П. Степаненко. 2-е изд. - М. : Лаборатория базовых знаний, 2004. - 488 с. : ил. (Технический университет). ISBN 5-93208-045-0 : 24485-00.
. Рындин, Е. А. Субмикронные интегральные схемы: элементная база и проектирование. /Е. А. Рындин, Б.Г. Коноплев. - Таганрог, 2001. - 146 с.
. Моро, У. Микролитография. В 2-х ч. / У. Моро. Пер. с англ. - М.: Мир, 1990. Ч 1- 605 с., Ч 2 - 632 с. 5.
.Плазменная технология в производстве СБИС. Пер. с англ. под ред. Н. Айспрука, Д. Брауна. - М.: Мир, 1987. - 470 с.
. Черных, А. Г. Технологические маршруты изготовления ИС [+ электр. вариант] : лаб. практикум по курсам "Маршрутная технология ИС" и "Технологические процессы микроэлектроники" для студ. спец. 1-41 01 02 "Микрои наноэлектронные технологии и системы" и 1-41 01 03 "Квантовые информационные системы" всех форм обучения / А. Г. Черных, С. В. Ригольд. - Мн. : БГУИР, 2006. - 35 с. (Кафедра микрои наноэлектроники). ISBN 985488-016-8 : б/ц
. Черных, А. Г. Технология изготовления КМОП-транзисторов [+ электр. вариант] : метод. пособие по дисц. "Технологические процессы микроэлектроники" для студ. спец. 1-41 01 03 "Квантовые информационные системы" дневной формы обучения / А. Г. Черных, Д. А. Котов. - Мн. : БГУИР, 2008. - 47 22 с. : ил. (Кафедра микрои наноэлектроники). ISBN 978-985-488-351-9 : 654400.
. Моро У. Микролитография : принципы, методы, материалы : в 2 ч. Ч. 1 / У. Моро ; пер. с англ. - М. : Мир, 1990. - 606 с. : ил. ISBN 5-03-001716-Х : 8100-00.
. Моро У. Микролитография : принципы, методы, материалы : 2 в ч. Ч. 2 / У. Моро ; пер. с англ. - М. : Мир, 1990. - 639 с. : ил. ISBN 5-03-001717-8 : 500.
. Технология СБИС : в 2 кн. Кн. 1 / под ред. С. Зи ; пер. с англ. Ю. Д. Чистякова. - М. : Мир, 1986. - 404 с. : ил.
. Технология СБИС : в 2 кн. Кн. 2 / под ред. С. Зи ; пер. с англ. Ю. Д. Чистякова. - М. : Мир, 1986. - 453 с. : ил.
. Борисенко В. Е. Наноэлектроника : учебное пособие [доп. МО РБ] / В. Е. Борисенко, А. И. Воробьѐва, Е. А. Уткина. - М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009. - 223 с. : ил. (Нанотехнология). ISBN 978-5-94774-914-4 : 3041600.
. Плазменная технология в производстве СБИС / под ред. Н. Айнспрука, Д. Брауна ; перевод с англ. Ю. М. Золотарева, В. В. Юдина ; под ред. Е. С. Машковой. - М. : Мир, 1987. - 469 с. : ил.
. Технологические процессы микроэлектроники [Электронный ресурс] : электронный учебно-методический комплекс : 1-14 01 03. - Мн. : БГУИР, 2012. (Кафедра микрои наноэлектроники). 1 электрон. опт. диск (CD-ROM). Систем. требования: IBM PC/AT, совмест. с процессором i80486 и выше; 8 Мб ОЗУ; 4х CD-ROM; Windows 95 или Windows NT 3.51 и выше. б. ц.
. Черных, А.Г. «Технологические процессы микроэлектроники» Часть 2. «Технология изготовления элементов ИС» «Маршрутная технология интегральных и больших гибридных интегральных схем», для студентов специальностей 1-41 01 03, всех форм обучения: электронный учебно-методический комплекс / А.Г.Черных. - Мн.: БГУИР, 2012.
. Сокол, В.А. Электрохимическая технология гибридных интегральных микросхем : монография / В. А. Сокол. - Мн. : Бестпринт, 2004. - 360 с. ISBN 985-6767-04-0 : 8000-00.