Промыть пластины в деионизованной воде.
Жидкостное удаление фотомаски
Данная операция предназначена для удаления фотомаски.
Для начала проведем жидкостное удаление фотомаски в серно-пероксидном растворе. Затем нужно удалить фотомаску с диоксида кремния. Далее промыть пластины деионизованной водой.
Пересыпать пластины из рабочей кассеты в транспортировочную.
Заполнить сопроводительный лист.
Данная операция предназначена для передачи изображения с фотомаски на диоксид кремния путем травления.
Для начала погрузим кассету с пластинами в раствор HF. Затем диссонирующий в растворе фторид аммония связывает газообразный тетрафторид кремния в устойчивый ион, что предотвращает бурное выделение пузырьков тетрафторида кремния, которые оказывают гидромеханическое воздействие на маску и способствует ее отслаиванию.
Промыть пластины в деионизованной воде.
Данная операция предназначена для удаления кремния путем травления.
Погружаем кассету с пластинами в раствор HF: NH4F:H2O. Диссонирующий в растворе фторид аммония связывает газообразный тетрафторид кремния в устойчивый ион, что предотвращает бурное выделение пузырьков тетрафторида кремния, которые оказывают гидромеханическое воздействие на фотомаску и способствует ее отслаиванию.
Затем промыть пластины в деионизованной воде.
Заполнить сопроводительный лист и передать партию на следующую операцию.
Данная операция предназначена для создания оксидной пленки на поверхности кремниевой подложки.
Для начала поместим пластины из транспортировочной кассеты в пазы кварцевой кассеты - лодочки. Далее лодочку с пластинами установить на площадку загрузочного устройства установки.
Запрограммировать устройство и запустить программатор. С запуском программатора автоматически выполняются технологические переходы оксидирования: продувка камеры азотом, нагрев рабочей зоны до предварительной температуры 1050ºC, загрузка лодочки с пластинами в рабочую зону установки кварцевым толкателем со скоростью 30 см/мин, нагрев печи со скоростью 20ºC/мин до рабочей температуры 1200 ºC, подача парогазовой смеси сухой - влажный - сухой O2, выдержка пластин в течении 1 часа, охлаждение печи со скоростью 8 ºC/мин. Выгрузка пластин кварцевым толкателем со скоростью 30 см/мин.
После выгрузки пластин, переставить их в транспортировочную кассету;
Заполнить сопроводительный лист.
Данная операция предназначена для создания окна для проведения операции ионного легирования.
Операция выполняется в соответствии с п. 2.4 пояснительной записки.
Данная операция предназначена для образования высоколегированного n - скрытого слоя.
Для начала пластины из транспортной кассеты с помощью вакуумного пинцета нужно поставить в пазы кварцевой кассеты-лодочки, планарной стороной друг к другу через один паз. Затем установить кварцевую лодочку на загрузочное устройство установки и на программаторе выставить значения: предварительную температуру 1050ºC, рабочую температуру 1200 ºC. Далее запустить.
По завершению поместить пластины из кассеты-лодочки в транспортировочную кассету. Заполнить сопроводительный лист.
Операция выполняется в соответствии с п. 2.6 пояснительной записки
Операция выполняется в соответствии с п. 2.3 пояснительной записки.
Данная операция предназначена для заполнения канавок поликристаллическим кремнием.
Для начала с помощью вакуумного пинцета переместить пластины из транспортной кассеты в кварцевую лодочку и нажимаем кнопку «пуск». Лодочка с пластинами переместится в рабочую камеру. На программаторе задаем температуру в реакторе 400ºC. Главное камеру продуть азотом.
В качестве получения поликристаллической пленки используется тетрохлорид, который при температуре до 1000 ºC осаждает поликристаллическую пленку. Операцию проводить один час.
После окончания операции заполнить сопроводительный лист и передать
партию на следующую операцию.
Данная операция предназначена для проведения операции нанесение ФСС.
Операция выполняется в соответствии с п. 2.4 пояснительной записки.
Силикатное стекло имеет повышенную теплостойкость и твердость, но мало применимо из-за хрупкости и трудности придания ему формы, имеющей сложную кривизну.
Для начала пластины помещаем в центрифугу и начинаем центрифугирование и за счет центробежных сил раствор разбивается на мелко дисперсионные (менее 10 мкм) капли композиции. На металлической площадке под головкой находится полупроводниковая пластина, на которую подается противоположный потенциал. Заряженные капли золь-гель раствора двигаются по направлению к пластине и конформно и равномерно наносятся по всей плоскости пластин. Для качественного испарения спиртов, входящих в состав золь-геля, пластины предварительно подогреваются с помощью нагревателя до 45°С.
Заполнить сопроводительный лист и передать партию на следующую операцию.
Данная операция предназначена для проведения операции нанесение БСС. Операция выполняется в соответствии с п. 2.4 пояснительной
записки.
Силикатное стекло имеет повышенную теплостойкость и твердость, но мало применимо из-за хрупкости и трудности придания ему формы, имеющей сложную кривизну.
Для начала пластины помещаются в центрифуга и начинают центрифугирование
и за счет центробежных сил раствор разбивается на мелко дисперсионные (менее 10
мкм) капли композиции. На металлической площадке под головкой находится
полупроводниковая пластина, на которую подается противоположный потенциал.
Заряженные капли золь-гель раствора двигаются по направлению к пластине и
конформно и равномерно наносятся по всей плоскости пластин. Для качественного
испарения спиртов, входящих в состав золь-геля, пластины предварительно
подогреваются с помощью нагревателя до 45°С. Заполняем сопроводительный лист и
передать партию на следующую операцию.
Данная операция предназначена для создания окна для проведения операции для операции диффузия.
Операция выполняется в соответствии с п. 2.4 пояснительной записки.
Данная операция предназначена для образования высоколегированного n+, p+ - скрытых слоев.
Для начала пластины из транспортной кассеты с помощью вакуумного пинцета поставить в пазы кварцевой кассеты-лодочки, планарной стороной друг к другу через один паз. В паз между пластинами устанавливаем пластину легированного сурьмой. Затем устанавливаем кварцевую лодочку на загрузочное устройство установки.
На программаторе выставляем значения: предварительную температуру 1050ºC, рабочую температуру 1200 ºC, загрузка пластин со скоростью 30см/мин, нагрев печи со скоростью 20 ºC/мин, время диффузии два часа, охлаждение печи 8 ºC/мин, выгрузка пластин 30см/мин.
Запускаем программатор.
После окончания операции помещаем пластины из кассеты-лодочки в транспортировочную кассету.
Заполняем сопроводительный лист.
Это операция служит для удаления ФСС и БСС.
Для начала погружаем кассету с пластинами в раствор HF: NH4F:H2O.
Диссонирующий в растворе фторид аммония связывает газообразный тетрафторид кремния в устойчивый ион, что предотвращает бурное выделение пузырьков тетрафторида кремния, которые оказывают гидромеханическое воздействие на ФСС и БСС и способствует ее отслаиванию.
Промыть пластины в деионизованной воде.
Заполнить сопроводительный лист и передать партию на следующую операцию.
Операция выполняется в соответствии с п. 2.3 пояснительной записки.
Данная операция предназначена для проведения операции напыления Al. Операция
выполняется в соответствии с п. 2.4 пояснительной записки.
Это операция служит для напыления металла на поверхность пластины.
Для начала перемещаем пластины в рабочую кассету и погружаем на платформу. Затем задаем нужную программу на панели управления. После окончания операции переместить пластины в транспортировочную кассету.
Операция выполняется в соответствии с п. 2.4 пояснительной записки.
Фотолитография - метод получения определенного рисунка а поверхности материала, широко используемый в микроэлектронике и других видах микротехнологий. Один из основных приемов планарной технологии, используемой в производстве полупроводниковых приборов.
Настоящая операция предназначена для удаления защитной маски фоторезиста с полупроводниковых пластин химическим методом.
Снятия фоторезиста м кремния, окисла кремния, поликремния, нитрида кремния проводиться в смеси КАРО (смеси серной кислоты и перекиси водорода) с последующей отмывкой ПАР-5 (перекисно-аммиачном растворе).
Снятия фоторезиста с металла, контактов между металлами, ванадия и
пассивации проводиться в смеси диметилформамида с моноэтанолами.
Установка химической обработки А1 ЩЦМ 3.240.023 предназначена для объемной химической обработки кремниевых пластин в различных невзрывоопасных химических реактивах с последующей промывкой в деионизованной воде.
В установке пластины обрабатываются групповым методом в тефлоновых импортных кассетах типа KM-40N.
В каждой ванне одновременно могут обрабатываться две кассеты с пластинами 100 мм.
Питание установки осуществляется от трехфазной четырехпроводной сети переменного тока напряжением 380В и 220В частоты 50 Гц.
Установка должна быть подключена к вытяжной вентиляции производительности не менее 1500 м3/ч.
Так же в ней содержаться установки сушки. Установка сушки предназначена для сушки пластин центрифугированием в среде нагретого азота.
В установке пластины обрабатываются групповым методом в стандартных фторопластовых кассетах.
Установка не является источником радиопомех.
Таблица 1 - Материалы и оснастка
|
Материалы и оснастка |
Государственный стандарт |
|
Кислота кремниевая |
дРО.038.845 МК |
|
Перекись водородная |
дРО.038.845 МК |
|
Демитилформамид “ч” |
ГОСТ 20289-74 |
|
Спирт этиловый технический высший сорт |
ГОСТ 18300-87 |
|
Ткань хлопчатобумажная |
ГОСТ29298-1005 |
|
Пинцет |
7690-8200 |
|
Пенал |
7800-4845 |
|
Контейнер |
7800-7726 |
|
Флакон цилиндрический |
ТУ6-19-110-78 |
|
Перчатки резиновые |
ГОСТ 20010-93 |
|
Напальчники резиновые |
ТУ38 106567-88 |
|
Одежда и принадлежности технологические |
СТПТ4.7-96 |
|
Воздух |
СТПТ4.34-96 |
|
Вода деионизованная марки А |
СТПТ4.59-2011 |
|
Азот |
СТПТ4.34-96 |
Технологическая одежда травильщика должна соответствовать требованиям.
Не допускается загромождать рабочее место лишними предметами, не выполнять лишних движений в чистой зоне, не наклоняться над пластинами.
Подготовить установки химической обработки, установки обработки в органических растворителях, установки отмывки и сушки согласно технологической инструкции.
Использовать растворы согласно таблице:
Таблица 2 - Виды снятия
|
Вид снятия |
Обрабатываемые слои |
|
Смесь КАРО + ПАР-5 |
Знаки совмещения, карман, подлегирование подложки, подлегирование, контакты 1, легирование поликремния, затвор, травление поликремния с обратной стороны, подлегирования кармана, глубокий коллектор, разделение, база, эмиттер, резистор, конденсатор. |
|
Смесь КАРО + ПАР-5 |
Исток-сток n-канального транзистора, исток-сток p-канального транзистора, слои с ионным легированием (энэргия более 60 кэВ). |
|
Смесь КАРО |
Слои с СТФСС и БФСС. |
|
Смесь диметилформамида с моноэтаноламином |
Металлизация, межслойные контакты, пассивация. |
При несоответствии с мерами вернуть на предыдущую операцию.
Проинформировать технолога или мастера, партию взять в работу после устранения
несоответствия.
Снятия фоторезиста в смеси серной кислоты и перекиси водорода и перекисно - аммиачном растворе:
) залить в ванну серную кислоту в количестве 7.5 л в каждую ванну.
) подогреть серную кислоту до температуры (135±10)°С;
) долить в каждую ванну по 0.5 л перекиси водорода;
) убедиться по сопроводительному листу, что все предыдущие операции выполнены и срок хранения пластин соответствует дРо.045.500;
) записать в лист время начала операции;
) открыть крышку контейнера и перезагрузить пластины с помощью пинцета или перегрузчика в рабочую кассету;
) поместить кассеты с (помощью захвата) с пластинами в первую ванну со смесью и выдержать 1 мин, контролируя время по секундомеру;
) перенести кассеты с пластинами с помощью захвата в ванну установки с горячей водой и выдержать пластины 3 мин. Контролировать температуру с помощью термометра;
) перенести кассету с пластиной в первую ванну рецикла установки и отмыть до дельного сопротивления не менее 5мОм;
) перенести кассету с пластиной в другую ванну рецикла и отмывать 15 мОм, но не менее 5 мин;
) поместить пластины в ванну с ПАР-5 и выдержать 2 мин. В ванне обрабатывать не более 1000 пластин;
) перенести кассету с пластинами в стоп-ванну, наполненную водой. Промыть пластину до слива воды из ванны и заполнения ее с помощью душа;
) перенести с помощью захвата кассету с пластиной к установки отмывки и сушки;
) открыть крышку центрифуги и поместить кассету с пластинами. При обработке пластин в установке отмывке и сушки противостоящие кассеты должны быть уравновешенны балластами. Разница в противостоящих кассетах не допускается;
) провести процесс сушки пластин в автоматическом режиме.
) открыть крышку центрифуги после окончания сушки и извлечь кассеты с пластинами;
) поместить пластины с помощью пинцета или перегрузчика из рабочей кассеты в транспортную;