Материал: Перспективные композиционные и керамические материалы

ную диафрагму, находящуюся в ближней зоне источника фотонов), поляризационный силовой микроскоп (с образцом взаимодействует проводящий заряженный зонд) и т.д.

Миниатюрные размеры зонда и высокая чувствительность детектирующей системы зондовых микроскопов позволяет достигать нано- и субнанометрового пространственного разрешения при детектировании поверхностных свойств (разрешающая способность прибора, как правило, тем выше, чем более короткодействующий характер имеет взаимодействие зонда и образца.)

Общие принципы работы сканирующего зондового микроскопа.

Процесс сканирования осуществляется при помощи пьезокерамического манипулятора (или системы манипуляторов). Зонд движется последовательно, строка за строкой, вдоль поверхности (изменяются координаты X и Y). Для оцифровки данных участок сканирования разбивается на N строк, а каждая строка на M точек, таким образом, положение иглы в плоскости XY описывается двумя координатами Xi, Yj из множества {Xi, Yj} N×M точек (обычно выбирают N=M). Результатом работы сканирующего зондового микроскопа является установление соответствия между каждой парой координат из множества {Xi, Yj} и некоторым числовым значением (или рядом значений), характеризующим анализируемый параметр поверхности (или ряд параметров).

По способу движения иглы над поверхностью можно провести следующую дифференциацию работы СЗМ.

Если зонд движется над поверхностью при постоянной координате Z, то говорят, что сканирование осуществляется по способу постоянной высоты. В этом случае в каждой точке из множества {Xi, Yj} измеряется интенсивность рабочего взаимодействия Φij|Z=const. Результатом

исследования является массив {Φij|Z=const, Xi, Yj}, описывающий зависимость функции двух переменных Φ|Z=const(X,Y).

Если же система обратной связи фиксирует в процессе сканирования на заданном уровне величину рабочего взаимодействия A(X, Y, Z) вариацией вертикальной Z координаты зонда, то говорят, что сканирование осуществляется по способу постоянного взаимодействия. Резуль-

татом работы СЗМ в этом режиме будет массив {Zij|A=const, Xi, Yj}, коррелирующий с топографией исследуемой поверхности. Помимо «топо-

графического» массива, можно, проводя в каждой точке измерения

251

какого-либо дополнительного параметра (или нескольких), получать

зависимости вида Φij|A=const(Xi,Yj).

Таким образом, результатом СЗМ-исследования является получение функциональных зависимостей двух типов: по способу постоянной

высоты – Φ|Z=const(X, Y) и по способу постоянного взаимодействия – Z|A=const(X, Y) («топография»), плюс какая-либо дополнительная зависи-

мость Φ|A=const(X, Y). С помощью компьютерного программного обеспечения можно проводить анализ полученных зависимостей (анализ ха-

рактерных латеральных и вертикальных размеров поверхностных особенностей, построение сечений, фурье-анализ, оценка шероховатости и т.п.), отображать полученные зависимости на экране монитора и выводить их на принтер.

Следует учитывать отличие «топографического» массива, полу-

ченного в режиме постоянного взаимодействия: {Zij|A=const, Xi, Yj} от реальной топографии поверхности. В случае неоднородного распределения

поверхностных свойств, определяющих интенсивность взаимодействия зонда и образца, для извлечения точной информации о топографии объекта необходимо в каждой точке проводить дополнительный анализ взаимодействия зонда и образца.

Например, в туннельной микроскопии реальная геометрия поверхности и карта поверхностного распределения электронных свойств могут быть полностью реконструированы путем анализа трех измеряемых массивов: «топографии» в режиме постоянного взаимодействия, первой производной туннельного тока по напряжению смещения и первой производной туннельного тока по величине туннельного зазора.

Сканирующая туннельная микроскопия. В сканирующем тун-

нельном микроскопе взаимодействие зонда и поверхности проявляется в протекании постоянного тока в туннельном зазоре между ними. Для плотности туннельного тока (в приближении плоских металлических электродов и вакуумного туннелирования) справедлива формула

где e – заряд электрона; h – постоянная Планка; s – расстояние зондобразец; Ut – разность потенциалов на туннельном контакте; k0 – константа затухания волновых функций электронов в контакте:

252

где m – масса электрона; ϕ – эффективная высота потенциального барьера. Из анализа формулы (6.1) следует, что при изменении расстояния зонд–образец на один ангстрем величина туннельного тока изменяется на порядок. Поскольку величина взаимодействия зонд–образец столь существенно зависит от расстояния d, то это позволяет системе обратной связи поддерживать величину d постоянной в процессе сканирования с высокой точностью. Данное обстоятельство обуславливает высокое пространственное разрешение СТМ при определении «топографи-

ческой» функции Z|It=const(X,Y).

Наряду этой зависимостью – «топографией в режиме постоянного

тока» – в СТМ возможно получение зависимостей типа Φ|Z=const(X,Y) или Φ|A=const(X,Y). К первому типу относятся «токовые» изображения, полученные в режиме постоянной высоты – It|Z=const(X,Y). Ко второму типу относятся d ln(It)/d z |It=const(X,Y) и d It/d U|It=const(X,Y), связанные с поверхностным распределением работы выхода ϕ(X,Y) (1) и поверх-

ностным распределением плотности электронных состояний ρ(X,Y,Ef

±eU). Последнее определяется формулой

E f

где T(E, eU, Z) – коэффициент прозрачности барьера; Ef – уровень Фер-

ми. Получение функциональных зависимостей d ln(It)/d z |It=const(X,Y) и d It/d U|It=const(X,Y) позволяет учесть их вклад в несовпадение Z|It=const(X,Y) с реальной топографией исследуемой поверхности.

6.3.2.Атомно-силовая микроскопия

Всравнении со сканирующим электронным микроскопом (СЭМ) атомно-силовой микроскоп обладает рядом преимуществ. Так, в отличие от СЭМ, который дает псевдотрехмерное изображение поверхности образца, АСМ позволяет получить истинно трехмерный рельеф поверхности. Кроме того, непроводящая поверхность, рассматриваемая

спомощью АСМ, не требует нанесения проводящего металлического покрытия, которое часто приводит к заметной деформации поверхно-

253

сти. Для нормальной работы РЭМ требуется вакуум, в то время как большинство режимов АСМ могут быть реализованы на воздухе или даже в жидкости. Данное обстоятельство открывает возможность изучения биомакромолекул и живых клеток. В принципе АСМ способен дать более высокое разрешение, чем РЭМ. Так, было показано, что АСМ в состоянии обеспечить реальное атомное разрешение в условиях сверхвысокого вакуума. Сверхвысоковакуумный АСМ по разрешению сравним со сканирующим туннельным микроскопом и просвечивающим электронным микроскопом.

К недостатку АСМ при его сравнении с СЭМ также следует отнести небольшой размер поля сканирования. СЭМ в состоянии просканировать область поверхности размером в несколько миллиметров в латеральной плоскости с перепадом высот в несколько миллиметров в вертикальной плоскости. У АСМ максимальный перепад высот составляет несколько микрон, а максимальное поле сканирования в лучшем случае порядка 150×150 микрон. Другая проблема заключается в том, что при высоком разрешении качество изображения определяется радиусом кривизны кончика зонда, что при неправильном выборе зонда приводит к появлению артефактов на получаемом изображении.

Обычный АСМ не в состоянии сканировать поверхность так же быстро, как это делает СЭМ. Для получения АСМ-изображения требуется от нескольких минут до нескольких часов, в то время как РЭМ после откачки способен работать практически в реальном масштабе времени, хотя и с относительно невысоким качеством. Из-за низкой скорости развертки АСМ получаемые изображения оказываются искаженными тепловым дрейфом, что уменьшает точность измерения элементов сканируемого рельефа.

Кроме термодрейфа, АСМ-изображения могут также быть искажены из-за таких свойств пьезокерамики, как нелинейность, крип и гистерезис и перекрестными паразитными связями, действующими между X, Y, Z-элементами сканера. Для исправления искажений в реальном масштабе времени современные АСМ используют программное обеспечение (например, ориентированное сканирование) либо сканеры, снабженные замкнутыми следящими системами, в состав которых входят линейные датчики положения. Некоторые АСМ вместо сканера в виде пьезотрубки используют XY и Z-элементы, механически не связанные друг с другом, что позволяет исключить часть паразитных связей.

254

Силовое взаимодействие зонда и образца. В атомно-силовом мик-

роскопе взаимодействие A(X,Y,Z) является силовым взаимодействием зонда и образца.

Характер данного взаимодействия в общем случае достаточно сложен, поскольку определяется свойствами зонда, образца и среды, в которой проводится исследование. В случае исследований незаряженных поверхностей в естественной атмосфере (на воздухе) основной вклад в силовое взаимодействие зонда и образца дают: силы отталкивания, вызванные механическим контактом крайних атомов зонда и образца, вандерваальсовы силы, а также капиллярные силы, связанные с наличием пленки адсорбата (воды) на поверхности образца.

Силы Ван-дер-Ваальса. Зонды для атомно-силового микроскопа имеют форму конуса или пирамиды (рис. 6.15), кончик характеризуется радиусом кривизны R, лежащим, согласно данным фирм-производите- лей, в диапазоне 5–40 нм (табл. 6.1).

Вычисляя дисперсионное взаимодействие зонда, изображенного на рис. 6.15, и плоского образца в приближении аддитивности дисперсионного взаимодействия, а также

пренебрегая членами порядка d/R и более высокого порядка малости, для величины силы вандерваальсового притяжения имеем формулу, совпадающую с полученной Гамакером для взаимодействия сферы и плоскости,

где d – расстояние между зондом и образцом; R – радиус кривизны зонда; А – константа Гамакера,

Здесь ρ1 и ρ2 – плотности материалов зонда и образца; β – константа в законе Лондона для энергии дисперсионного взаимодействия двух нейтральных атомов в вакууме.

и α2 – поляризуемости взаимодействующих атомов; Eатом me4/(h/2π)2 –

255