Материал: Москатов Электроника 2010

2.2.2. Прямое и обратное включения электронно-дырочных

переходов

29

2.2.3. Ёмкости и частотные свойства электронно-дырочных

переходов

31

2.2.4. Пробои электронно-дырочных переходов

32

и обратном направлении

34

2.4. Гетеропереходы

36

2.5. Эффекты полупроводников

37

2.5.1. Эффект Ганна

37

2.5.2. Эффект поля

40

2.5.3. Эффект Суля

40

2.5.4. Эффекты Пельтье и Зеебека

41

2.5.5. Туннельный эффект

42

2.5.6. Эффект Холла

44

3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ

46

3.1. Конструкция и основные параметры полупроводниковых

диодов

46

3.1.1. Общие сведения о полупроводниковых диодах

46

3.1.2. Конструкции и простейшие способы изготовления

полупроводниковых диодов

47

3.1.3. Некоторые основные параметры полупроводниковых

диодов

49

3.2. Выпрямительные диоды

50

3.3. Импульсные диоды

51

3.4. Варикапы

52

3.5. Стабилитроны и стабисторы

53

3.6. Светодиоды

56

3.7. Полупроводниковые лазеры

57

3.8. Фотодиоды

59

4. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

61

4.1. Общие сведения о транзисторах

61

4.2. Конструкция некоторых биполярных транзисторов

62

4.3. Принцип действия биполярных транзисторов

64

4.4. Схемы включения биполярных транзисторов

68

4.4.1. Схема включения транзистора с общим эмиттером

68

4.4.2. Схема включения транзистора с общим коллектором

70

4.4.3. Схема включения транзистора с общей базой

71

4.5. Биполярные фототранзисторы

72

4.6. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных

транзисторов

73

4.7. Влияние температуры на режимы работы биполярных

транзисторов

74

5. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

76

5.1. Общие сведения о полевых транзисторах

76

5.2. Полевые транзисторы с управляющим переходом

77

5.2.1. Конструкция полевых транзисторов с управляющим

переходом

77

5.2.2. Принцип действия полевых транзисторов с управляющим

переходом

79

5.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором

82

5.3.1. Полевые транзисторы со встроенным каналом

82

5.3.2. Полевые транзисторы с индуцированным каналом

84

5.4. Режимы работы полевых транзисторов

86

5.4.1. Динамический режим работы транзистора

86

5.4.2. Ключевой режим работы транзистора

88

6. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С

ИЗОЛИРОВАННЫМИ ЗАТВОРАМИ

90

6.1. Общие сведения о БТИЗ

90

6.2. Конструкция и принцип действия БТИЗ

92

6.3. Основные параметры БТИЗ

94

7. ТИРИСТОРЫ

95

7.1. Общая информация о тиристорах

95

7.2. Динисторы

95

7.3. Тринисторы

98

7.4. Запираемые тиристоры

100

7.5. Симисторы

101

7.6.

Фототиристоры

103

7.7.

Основные параметры тиристоров

104

8. ВАКУУМНЫЕ И ИОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

105

8.1. Общие сведения об электровакуумных приборах

105

8.2. Электровакуумные диоды

106

8.2.1. Конструкция и принцип действия электровакуумных

диодов

106

8.2.2. Основные параметры и анодная характеристика

электровакуумных диодов

107

8.3. Триоды

109

8.3.1. Конструкция и принцип действия триодов

109

8.3.2. Основные характеристики и параметры триодов

110

8.4. Тетроды

113

8.4.1. О тетродах и влиянии экранирующих сеток на их

параметры

113

8.4.2. Динатронный эффект

115

8.5. Лучевые тетроды

116

8.6. Пентоды

118

8.7. Лампы бегущей волны

118

8.8. Лампы обратной волны

120

8.9. Пролѐтные клистроны

122

8.10. Магнетроны

124

8.11. Мазеры

126

8.12. Тиратроны

127

8.13. Крайтроны и спрайтроны

128

9. ВВЕДЕНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКУ

132

9.1. Интегральные микросхемы

132

9.2. Плѐночные микросхемы

133

9.3. Гибридные интегральные микросхемы

135

9.4. Полупроводниковые микросхемы

136

10. УСТРОЙСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ

ИНФОРМАЦИИ

137

10.1. Индикаторы

137

10.1.1. Светодиодные индикаторы

137

10.1.2. Жидкокристаллические индикаторы

138

10.2. Общие сведения об электронно-лучевых трубках

140

10.3. Жидкокристаллические дисплеи и панели

142

10.3.1. Общие сведения о жидкокристаллических дисплеях

142

10.3.2. Электролюминесцентная подсветка

жидкокристаллических дисплеев

143

температуры на их работу

144