Число электронов, вылетающих из металла, в пересчете на один падающий фотон, называют квантовым выходом, который для металлов возрастает с увеличением частоты падающего фотона. Квантовый выход определяет чувствительность фотоэлементов к свету. Фотоэффект является безинерционным, так как время вылета электрона из металла после его освещения составляет порядка 10-9 с. Квантовый выход для всех веществ имеет селективный характер, который напоминает резонансные явления.
Селективность зависит от направления поляризации света и угла падения лучей на поверхность вещества. Если падающий свет поляризован так, что вектор Е совершает колебания параллельно
плоскости падения Е\\, то эффект резко усиливается (рис. |
8.7 |
). |
|
|
При повороте плоскости |
на |
900 |
|
, когда напряженность электри- |
||
|
ческого поля равна Е , |
эффект |
|
|
исчезает. На рис. 8.7. |
кривая 1 |
|
|
– спектральная характеристика |
||
|
фототока, когда падающий свет |
||
|
поляризован и вектор Е соверша- |
||
|
ет колебания параллельно плос- |
||
|
кости падения. |
|
|
|
|
|
|
Рис. 8.7.
Кривая 2 – спектральная характеристика фототока, когда падающий свет поляризован и вектор Е совершает колебания перпендикулярно плоскости падения.
Дальнейшие исследования подтвердили все выводы теории Эйнштейна и позволили найти величину h, которая совпала с величиной постоянной Планка. Этот эксперимент подтвердил два предположения:
а) свет состоит из частиц – квантов; б) энергия кванта равна h .
Внутренний фотоэффект.
Внутренний фотоэффект наблюдается при освещении светом полупроводников. Под влиянием фотоионизации атомов (ионов) происходит уменьшение сопротивления вещества.
При внутреннем фотоэффекте в чистых полупроводниках при получении дополнительной энергии электроны переходят из валентной зоны «В» в зону проводимости «С» (8.8), поэтому увеличивается проводимость. В валентной зоне «В» образуется дырка, которую занимает электрон с более низких уровней валентной зоны, и т.д. Число электронов в зоне проводимости растет.
|
Основным параметром, опре- |
||
|
деляющим |
фотоэлектриче- |
|
|
ские свойства вещества, яв- |
||
|
ляется ширина |
запрещен- |
|
|
ной зоны |
з. |
|
|
|
|
|
Рис. 8.8. |
|
|
|
Чем меньше ширина запрещенной зоны |
з, тем |
дальше в |
|
сторону длинных волн простирается граница внутреннего фотоэф-
фекта. Если |
на полупроводник падает |
фотон, энергия которого |
|
h |
з |
, то фотоэффект наблюдается. Сопротивления, изго- |
|
товленные |
из |
таких веществ, называются |
фотосопротивлениями. |
Существует также вентильный фотоэффект, когда под действием света нарушается баланс в запирающем слое на стыке полупроводников “р” и ”n” типа в так называемом “р –n” переходе.
Фотоэлементы с фотоэффектом в запирающем слое называются вентильными фотоэлементами.
Применение фотоэффекта и в быту, и в технике очень распространено. Так называемые фотоэлементы (рис. 8.9) применяются как оптические датчики на станках, позволяя обрабатывать сложнейшие детали, в кино. Они широко используются в солнечных батареях.
Фотоэлементом называется электровакуумный, полупроводниковый или ионный прибор, в котором воздействие лучистой энергии оптического диапазона вызывает изменение его электрических свойств. Обычно фотоэлементы используют совместно с усилителями, вследствие малого значения фототока, который может быть получен от фотоэлемента.
Рис. 8.9.