При необходимости в конце условного обозначения указываются дополнительной буквой (от А до Я, кроме 3, М, О, Т, Ш, П, Ч, Ы, Ъ) отличительные особенности одного вида ИМС от другого по электрическим характеристикам.
Для ИМС, используемых в устройствах широкого применения, в начале обозначения добавляется буква К: К1800 ВБ1, К133ЛА1.
Для бескорпусных ИМС в состав обозначения вводят дополнительно два элемента: букву Б в начале обозначения и цифру (от 1 до 6) в конце. Цифра характеризует конструктивное исполнение бескорпусных ИМС: 1 - с гибкими выводами; 2 - с ленточными выводами и выводами, выполненными на диэлектрической пленке; 3 - с жесткими (шариковыми или столбиковыми) выводами; 4 - на общей подложке, не разделенные друг от друга; 5 - то же, что и 4, но разделенные; 6 - кристаллы с контактными площадками без выводов. Например: Б 106ЛБ1А-1 - полупроводниковая ИМС серии Б106-1 (логический элемент И-Не/ИЛИ-Не) в бескорпусном исполнении с гибкими выводами.
При переводе серии микросхем для исполнения в более дешевом пластмассовом корпусе в начале обозначения ставят букву Р. Например, при переводе микросхем серии 140 в металлическом корпусе на пластмассовый корпус 201.14-1 серию стали обозначать Р140. При этом ИМС операционного усилителя, входящего в эту серию, имеет обозначение Р140УД1А.
Для обозначения ИМС повышенного качества перед цифровым обозначением серии указывают буквы ОС (а при их малом выпуске - буквы ОСМ).
Для микросхем, поставляемых на экспорт (шаг
выводов 1,27 или 2,54 м), в начале обозначения добавляют букву Э. Например,
полупроводниковая логическая ИМС серии К1500 (логический элемент И-НЕ) в
экспортном исполнении имеет обозначение ЭК1500ЛА1.
Библиографический список
трафаретный печать плата микросхема
1. Пасынков В. В., Сорокин В. С. Материалы электронной техники. -М.: Высшая школа, 1986.
. Богородицкий Н. П., Пасынков В. В., Тареев Б. М. Электротехнические материалы. -Л.: Энергоатомиздат, 1985.
. Справочник по электротехническим материалам/Под ред. Ю. В. Корицкого, В. В. Пасынкова, Б. М. Тареева. -Л.: Энергоатомиздат. Т. 1-1985. Т. 2-1987, Т. 3-1988.
. Электрорадиоматериалы/Под ред. Б. М. Тареева. -М.: Высшая школа, 1978.
. Горелик С. С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. -М.: Металлургия, 1988.
. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела: Пер. с англ/Под ред. А. А. Гусева. -М.: Наука, 1978.
. Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников/Под ред. В. М. Глазова. -М.: Высшая школа, 1982.
. Тареев Б. М. Физика диэлектрических материалов. -М.: Энергоиздат, 1982.
. Преображенский А. А., Бишард Е. Г. Магнитные материалы и элементы. -М.: Высшая школа, 1986.
Мишин Д. Д. Магнитные материалы. -М.: Высшая школа, 1981.
. Ван Флек Л. Теоретическое и прикладное материаловедение/Пер. с англ. О. А. Алексеева. -М.: Атомиздат, 1975.
. Курносое А. И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. -М.: Высшая школа, 1980.
. Антипов Б. Л., Сорокин В. С., Терехов В. А, Материалы электронной техники: Задачи и вопросы. -М.: Высшая школа, 1990.
. Шалимова К. В. Физика полупроводников. -М.: Энергоиздат, 1982.
. Калитиевский Н.И. Волновая оптика. -М.: Высшая школа, 1978.
. Сивухин Д.В. Курс общей физики. Оптика. Т.4. -М.: Наука, 1985.
. Современная кристаллография. Т.3. Образование кристаллов/ Чернов А.А. и др. -М.: Наука, 1980.
. Современная кристаллография. Т.4. Физические свойства кристаллов/ Шувалов П.А. и др. -М.: Наука, 1981.
. Меланхолин Н.М. Методы исследования оптических свойств кристаллов. -М.: Наука, 1970.
. Гонда С., Сэко Д. Оптоэлектроника в вопросах и ответах. -Л.: Энергоатомиздат, 1989.
. Ярив А., Юх П. Оптические волны в кристаллах. -М.: Мир, 1987.
. Демкина Л.И. Физико-химические основы производства оптического стекла. -Л.: Химия, 1976.
. Асадов Х.А., Касимов Ф.Д., Червяков Г.Г. Материалы и элементы оптоволоконных линий и каналов связи. Учебное пособие. - Баку: Мутарджим, 2006. - 152 с.
. Технология СБИС /Под ред. С. Зи; Пер. с англ. под ред. Ю.Д. Чистякова. -М.: Мир, 1986.
. Бушминский И.П., Морозов Г.В. Технология гибридных интегральных схем СВЧ. -М.: Высш.шк., 1980.
. Материалы микроэлектронной техники: Учебное пособие для вузов /В.М. Андреев, М.Н. Бронгулеева, С.Н. Дацко, Л.В. Яманова; Под ред. В.М.Андреева. -М.: Радио и связь, 1989.
. ВОЛС: волоконно-оптические линии связи. Справочное пособие. -М.: Сов. Радио 1990.
. Славинский О.К., Царенков В.С., Эйдинов Ю.М. Констукция толстопленочных и тонкопленочных устройств СВЧ. - В кн.: Проектирование и исследование радиоэлементов. // Труды РТИ АН СССР. - 1978. Вып. 32. - С. 40 - 47.
. Справочник по расчету м конструированию СВЧ полосковых устройств/ С.И.Бахарев, В.И. Вольман, Ю.Н. Либ и др.; Под ред. В.И. Вольмана. -М.: Радио и связь, 1982. - 328 с.
30. ГОСТ 21702-76. Устройства СВЧ. Полосковые линии: Термины и определения.
. Микроэлектронные устройства СВЧ / Н.Т. Бова, Ю.Т. Ефремов, В.В. Конин и др. -Киев: Техника, 1984. - 184 с.
. Малышев В.А. Бортовые активные устройства сверхвысоких частот. -Л.: Судостроение, 1990. - 264 с.
. Червяков Г.Г., Осадчий Е.Н. Элементы и приборы полупроводниковой электроники. -Таганрог: Изд-во Технологического института ЮФУ, 2007. - 282 с.