Материал: 551

Томский межвузовский центр дистанционного образования

Л.Р. Битнер

МАТЕРИАЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

Учебное пособие

ТОМСК – 2003

Корректор: Красовская Е.Н.

Битнер Л.Р.

Материалы и элементы электронной техники: Учебное пособие. - Томск: Томский межвузовский центр дистанционного образования, 2003. - 169 с.

5

1. ВВЕДЕНИЕ

Повышение параметров и качества продукции электронной и радиотехнической промышленности невозможно без применения высококачественных исходных материалов. Электротехника и особенно электроника и микроэлектроника предъявляют наиболее высокие требования к используемым материалам.

Для правильного выбора материала, способов и методов его обработки необходимо знать строение материала, физическую природу его свойств, а также влияние на эти свойства различных внешних воздействий и условий эксплуатации.

Материалы, применяемые при производстве изделий электронной техники, делятся по свойствам и назначению на следующие основные группы: проводниковые (низкоомные – для проводников, высокоомные – для резисторов), полупроводниковые (для создания диодов, транзисторов, выпрямителей и т.п.), диэлектрические (используются в качестве изоляторов, а также для изготовления конденсаторов, пьезоэлектрических преобразователей, резисторов и т.п.), магнитные (применяются в качестве магнитопроводов, трансформаторов, дросселей, магнитных головок и носителей записи, ЗУ в вычислительных машинах).

Качество материалов и изделий из них необходимо контролировать. Причем контроль осуществляется на всех этапах изготовления изделия, так как только при этих условиях можно обеспечить высокий процент выхода качественных изделий и надежность их в работе.

Учебное пособие представляет собой конспект лекций по дисциплине «Материалы и элементы электронной техники» и предназначено для самостоятельного изучения студентами дистанционной формы обучения по соответствующим специальностям.

6

2.СТРОЕНИЕ МАТЕРИАЛОВ И ИХ СВОЙСТВА

2.1.Строение твердых тел

Основными элементарными частицами, из которых строятся все известные нам вещества, являются протоны, нейтроны и электроны.

Из протонов и нейтронов состоит атомное ядро, электроны заполняют оболочки атома, компенсируя положительный заряд ядра. Строение ядра атома, периодичность заполнения оболочек электронами можно находить с помощью таблицы Д.И. Менделеева.

Газы, жидкие и твердые тела состоят из атомов, молекул или ионов. Размеры атомов около 0,1 нм, размеры положительных ионов, получившихся из атомов, лишившихся части электронов, меньше, чем размеры атомов, а размеры отрицательных ионов, присоединивших дополнительные электроны, больше, чем размеры соответствующих атомов. Ионами могут быть и группы атомов, потерявших или присоединивших электроны.

Молекулы газов содержат различное число атомов. В зависимости от строения внешних электронных оболочек атомов могут образовываться различные виды связи.

Наиболее часто встречаются молекулы, в которых существуют ковалентные и ионные химические связи.

Ковалентная связь возникает при обобществлении электронов двумя соседними атомами. Ковалентная связь может быть как в молекулах (в трех агрегатных состояниях вещества), так и между атомами, образующими решетку кристалла (например, алмаз, кремний, германий.

Второй вид связи – ионная связь – определяется силами притяжения между положительными и отрицательными ионами. Твердые тела ионной структуры характеризуются повышенной механической прочностью и относительно высокой температурой плавления. Типичными примерами ионных кристаллов являются галогениды щелочных металлов, например, NaCl.

Третий вид связи – металлическая связь, которая также приводит к образованию твердых кристаллических тел. Металлы можно рассматривать как системы, построенные из расположенных в узлах решетки положительно заряженных ионов, находящихся в среде свободных электронов. Притяжение между положительными атомными остовами и электронами является причиной монолитности металла. Наличием свободных электронов объясняется высокая электропроводность и теплопроводность металла, что также является причиной блеска ме-

7

таллов. Ковкость металла объясняется перемещением и скольжением отдельных слоев атомных остовов.

Четвертый вид связи – молекулярная связь (связь Ван-дер- Ваальса). Такая связь существует в некоторых веществах между молекулами с ковалентными внутримолекулярными связями. Межмолекулярное притяжение в этом случае обусловливается согласованным движением валентных электронов в соседних молекулах. Связь Ван-дер-Ваальса непрочная, наблюдается между молекулами некоторых веществ, например парафина, имеющих низкую температуру плавления.

По степени упорядоченности материалы можно разделить на монокристаллические, поликристаллические и аморфные. Для монокристаллов характерна анизотропия, т.е. зависимость физических свойств от направления, в поликристаллических и аморфных материалах свойства изотропны. Для моно- и поликристаллических тел характерно наличие определенной температуры плавления. По этому признаку их легко отличить от аморфных тел, которые не имеют фиксированной температуры плавления и при нагревании постепенно переходят в жидкое состояние, размягчаясь при повышении температуры.

Причина образования каким-либо элементом или соединением данной пространственной решетки в основном зависит от размеров атома и электронной конфигурации его внешних оболочек.

Рисунок2.1 − Схематическое двумерноеизображениестроения: а) кристалла; б) аморфноготела

К аморфным телам относятся стекла и многие неметаллические материалы, к поликристаллическим – металлы. Примеры монокристаллов: кварц, алмаз, специально выращенные полупроводники.

8

Рисунок 2.2 − Элементарные кристаллические ячейки: а) объемноцентрированная кубическая (ОЦК); б) гранецентрированная кубическая (ГЦК); в) гексагональная плотная (ГП)

В кристалле можно выбрать элементарную ячейку: куб, параллелепипед, шестигранник с ионами в каждой вершине, перемещая ко-

торую в пространстве, получаем кристаллическую решетку. Расстояние между ионами по ребру кристаллической ячейки - параметр решетки - имеет порядок 10-10 м, т.е. десятых долей нанометра (нм). Металлы имеют в основном решетку (структуру) объемноцентрированную кубическую (ОЦК) (α-Fe, Mo, W, β-Ti и др.); гранецентрированную кубическую (ГЦК) (Ni, Ag, Cu, AI, γ-Fe н др.) или гексагональную плотную (ГП) (Mg, α-Ti, α-Zr, Zn, Be и др.). Эти элементарные ячейки представлены на рисунке 2.2.

Германий и кремний имеют структуру алмаза. Ее можно представить как две ГЦК, ячейки, сдвинутые одна относительно другой на 1/4 пространственной диагонали.

Полупроводниковые соединения имеют структуру, в которой атомы одного сорта расположены в определенных узлах, образуя свою подрешетку.

Дефекты кристаллов

В реальных кристаллах всегда есть дефекты. К дефектам твердого тела относятся любые нарушения периодичности электростатического поля кристаллической решетки: нарушение стехиометрического состава, наличие посторонних примесей, механически напряженные участки структуры, дополнительные кристаллографические плоскости (дислокации, трещины, поры) и т.д. Хотя бы один размер дефекта должен быть соизмерим с межатомным расстоянием. Дефекты делят на статические, т.е. постоянные во времени, и динамические (колебания атомов в узлах кристаллической решетки).

Точечные дефекты – вакансии, примесные атомы внедрения и замещения и межузельные атомы. Вакансия представляет собой незаполненный узел в решетке. Если в кристалле много вакансий, легче

9

проходит диффузия. Число вакансий увеличивается с температурой. Между узлами могут располагаться атомы примеси, если они имеют малый размер по сравнению с атомами, составляющими решетку, - это примесные атомы внедрения. Если атом примеси по размеру близок к атому решетки, он замещает атом основного элемента в узлах решетки − это примесный атом замещения. Между узлами могут также располагаться атомы основного вещества – межузельные атомы. Точечные дефекты есть в кристаллах всегда. Кристалл, в котором есть только точечные дефекты, считается совершенным.

тепловые

колебания

примесь

Рисунок2.3 - Идеальная(а) иреальная(б) кристаллическаярешетка

Линейные дефекты − дислокации − часто образуются при сдвигах в решетках. Если сдвиг был неполным и не прошел до конца кристалла, дислокацию можно представить как границу сдвинутой и несдвинутой областей. Тогда внутри кристалла образуется лишняя незаконченная плоскость, край ее и будет линией краевой дислокации. Дислокация простирается от одной границы кристалла до другой или замыкается в кристалле. Характеристикой количества дислокации в кристалле является плотность дислокации или длина всех линий дислокации в единице объема кристалла. Дислокации образуются уже при выращивании кристаллов или затвердевании кристаллических материалов. Их число резко возрастает в результате холодной пластической деформации.

Кроме дислокаций к линейным дефектам относятся трещины и поры.

Границы зерен. Если материал выращен из одного центра, то его плоскости имеют примерно одинаковую ориентировку во всем объеме,

10

т.е. весь объем такого материала представляет собой один кристалл и называется монокристаллом. Такие монокристаллы можно вырастить, если иметь уже кусок (затравку) монокристалла и вести кристаллизацию при очень медленном отводе теплоты. Большое число полупроводников применяют в технике в виде монокристаллов. Металлы, за редким исключением, представляют собой поликристаллические материалы. Они состоят из большого количества кристаллов, которые при охлаждении металла из расплава росли из разных точек и ориентированы произвольно друг относительно друга. Размер их обычно составляет доли миллиметра, форма неправильная, их называют зернами или кристаллитами. Границы между зернами представляют собой области в кристалле, где атомы (ионы) имеют неправильное расположение. Если взять кусок металла, зачистить на нем плоскую площадку, отшлифовать ее и отполировать, а затем протравить такой шлиф какимлибо реактивом (обычно раствором кислот), то границы зерен взаимодействуют с травителем более активно, чем объем, под микроскопом они хорошо видны в виде темных полосок. Поскольку в поликристаллическом теле содержится множество произвольно ориентированных кристаллов, свойства его обычно изотропны.

2.2. Структура и ее влияние на свойства материалов

Все свойства и характеристики, присущие материалам, можно разделить на функциональные (служебные) и технологические (способность к обработке).

Функциональными называют свойства, определяющие пригодность материала для создания изделий высокого качества. Это могут быть электрические, механические, теплофизические, оптические, магнитные, химические свойства.

Свойства, характеризующие поведение материала при обработке, называются технологическими. В зависимости от методов обработки (механическая, термическая, химическая и т.п.) большое значение могут приобретать такие свойства, как твердость, пластичность, растворимость, паяемость, адгезионная способность и др. В случае, если комплекс этих свойств благоприятен для обработки материала, говорят, что материал технологичен.

Можно классифицировать свойства и по степени зависимости их от состава и структуры материала. Выделяют две группы: структурночувствительные и структурно-устойчивые.

Структурно-чувствительные свойства – те, на которые незначи-