Все реальные кристаллические тела не идеальны:
В них в огромных количествах существуют нарушения структуры, которые называются дефектами.
Дефекты структуры оказывают влияние на многие свойства кристалла - прочность, электропроводность, гистерезисные потери в ферромагнитных материалах.
Дефекты подразделяются на две группы:
1. энергетические дефекты.
2. кристаллографические дефекты.
Кристаллографические можно разделить:
1. точечные дефекты
- вакансии
- примесные атомы (атомы замещения или внедрения)
2. линейные дефекты – дислокации
3. поверхностные дефекты (наружная поверхность твердого тела).
4. объемные дефекты: поры, трещины
К энергетическим дефектам относятся фононы - временные искажения регулярности решетки кристалла, вызванные тепловыми колебаниями атомов или ионов в узлах этой решетки, а также временные несовершенства решетки (возбужденные состояния), вызванные воздействием различных радиаций: рентгеновское или γ-излучения, α- излучение, потока нейтронов.
Вакансии - отсутствие атома или иона. Различают два вида вакансий:
1. По Френкелю. При этом оторвавшийся атом занимает положение в междоузлии. Этот вид вакансий наблюдают в рыхлых кристаллах.
2. Более вероятно образование вакансий по Шоттки при котором атомы, покидая свои места в решетке, уходят на какие-нибудь стоки. Стоками вакансий могут служить дислокации, трещины, поверхность кристалла.
Как всякий точечный дефект, вакансии приводят к нарушению внутреннего периодического поля в кристалле - при этом возникают локальные энергетические уровни в запрещенной зоне.
Примесные атомы. Чужеродные примесные атомы могут образовывать с основным материалом либо твердые растворы замещения, либо твердые растворы внедрения.
Атомы замещения находятся в узлах кристаллической решетки, атомы внедрения – в междоузлиях.
Кол-во источников рассеяния электронов в металлах - определяют их сопротивления.
Наличие примесных атомов вызывает появление локальных энергетических уровней в запрещенной зоне.
Дислокации (смещения) - нарушение правильной структуры вдоль некоторой линии в кристалле.
Наличие дислокаций приводит к появлению системы уровней внутри запрещенной зоны или даже к непрерывному энергетическому спектру.
Поверхностные дефекты. Существование самой поверхности является нарушением периодичности и как любое нарушение приводит к возникновению локальных уровней внутри запрещенной зоны – уровней Тамма.
Очень важное значение кристаллографические дефекты имеют для полупроводниковых материалов. Такой вид дефектов, как примесные атомы , используется для изменения свойств полупроводникового материала.
Тепловые свойства радиоматериалов включают следующие понятия:
- нагревостойкость
- морозостойкость
- теплопроводность
- тепловое расширение
1. Нагревостойкость - способность материалов выдерживать воздействие повышенной температуры в течение времени, сравнимого со сроком нормальной эксплуатации изделия, без разрушений и недопустимого ухудшения основных параметров (т.е. без ухудшения эксплуатационной надежности).
Для органических диэлектриков нагревостойкость определяют по изменению механических параметров (механической прочности, эластичности и т.д.), - для неорганических диэлектриков, полупроводников и проводников - по изменению электрических параметров.
Количественно величину нагревостойкости оценивают значением температуры.
Тепловое старение - изменение свойств материалов при длительном воздействии температуры за счет медленно протекающих химических процессов. Выражается в увеличении хрупкости органических пленок, в увеличении удельного сопротивления тонкопленочных резисторов, в усилении процесса электромиграции в тонкопленочных проводниках, в полупроводниковых схемах.
Стойкость к тепловым импульсам (термоударам) – важная тепловая характеристика для хрупких материалов (стекла, керамика).
По ГОСТу для изоляционных материалов установлены классы нагревостойкости при длительном воздействии температур.
2. Морозостойкость - способность материала работать без ухудшения эксплуатационной надежности при низких температурах (-60/-70 С).
Оценка морозостойкости по изменению механических параметров часто определяется при одновременном воздействии низких температур и вибрации.
Теплопроводность – способность материалов проводить тепло.
Процесс передачи тепла в газах и жидкостях обусловлен конвекцией - направленным перемещением холодных и теплых слоев. В чистых металлах движением свободных электронов. В диэлектриках и полупроводниках обычно - фононами (колебаниями узлов кристаллической решетки). В сплавах и металлах с большим содержанием примесей кроме электро-. и теплопроводности существует и фононная.
Параметр- коэффициент теплопроводности
λ=(Q*∆l) /(t* ∆Т *S) [Вт/м*К], [Вт/м*рад], [ккал/м*ч*К]
где: Q – величина тепловой энергии,
∆T /∆l – градиент температуры,
S – площадь поперечного сечения,
t – время.
Значения теплопроводности для разных групп материалов:
диэлектрики |
полупроводники |
проводники |
воздух-0,05 стекло-0,59-0,75 ситалл-0,8-2,5 бериллиевая керамика-218 |
германий-50 кремний-80
|
серебро-419 алюминий-226 железо-74
|
Коэффициент теплопроводности численно равен количеству тепловой энергии, переданной через единицу поверхности за единицу времени, при градиенте температуры, равном единице. ∆T/∆l
Тепловое расширение- характерно для всех материалов.
Параметр, с помощью которого оценивают это явление называется температурным коэффициентом линейного расширения
Коэффициентом линейного расширения называется величина, показывающая на какую долю от начальной длины удлиняется тело, взятое при температуре 00 С при нагревании его на 10 К.
ТКЛР = αe=(lt-l0)/ l0*t [1/град], где
l0 -длина при 00 К, lt – длина при t 0 К, тогда lt= l0 *(1+ αe*t)
Монокристаллы обладают анизотропией теплового расширения, следовательно по разным направлениям ТКЛР будет иметь разные значения.
Знание ТКЛР особенно важно при сопряжении деталей из разных материалов.
Примеры величин ТКЛР.
Орг. диэлектрики |
полистирол |
(60÷80)*10-6 |
[1/град] |
полиэтилен |
200*10-6 |
[1/град] |
|
|
|
[1/град] |
|
Неорг. диэлектрики |
Стеатит |
7*10-6 |
[1/град] |
SiO2 |
0.5*10-6 |
[1/град] |
|
Полупроводники |
Германий |
6*10-6 |
[1/град] |
кремний |
4,2*10-6 |
[1/град] |
|
Проводники |
Алюминий |
24,5*10-6 |
[1/град] |
Медь |
17,2*10-6 |
[1/град] |
|
нихром |
14,5*10-6 |
[1/град] |
Кроме вышесказанного, тепловые свойства материалов характеризуются температурными коэффициентами различных параметров. (ТКС, ТКЕ).
При определении ТКЛР в диапазоне температур (не от 00 К).
l1= l0 *(1+ αet1 ), l2= l0 *(1+ αet2 ), исключая l0 получим
l2 = l1 *(1+ αe t2 )/( 1+ αe t1)≈ l1 (1+ αe(t2- t1)),
тогда αe≈( l2- l1)/ l1 (t2- t1) , т.е. αe=(1/l)*(dl/dT)
Коэффициентом объемного расширения называется величина, показывающая на какую долю начального объема увеличивается объем тела, взятого при Т=00 К, при нагревании его на 1 градус.
αv=(Vt- V0)/ V0*t; Vt= V0(1+ αv*t); αv =(1/V)*dV/dt; αv =( V2- V1)/ V1 (t2- t1)
Коэффициент объемного расширения равен приблизительно утроенному коэффициенту линейного расширения: αv≈3* αe
Влагостойкость – способность материалов сохранять свои параметры в заданных пределах при работе во влажной среде.
Влагостойкость оценивается следующими понятиями:
гигроскопичность
водопоглощаемость
влагопроницаемость
смачиваемость
1. Гигроскопичность – способность материалов абсорбировать влагу из окружающей среды в условиях 27% относительной влажности.
Гигроскопичность материала определяется структурой и химическим составом материала. Наибольшей гигроскопичностью обладают сложные и пористые материалы.
2. Водопоглощаемость – способность материала абсорбировать влагу при длительном погружении в воду.
3. Влагопроницаемость – способность материала пропускать сквозь себя водяной пар, при наличии разности давлений водяного пара с двух сторон материала. Коэффициент удельной влагопроницаемости можно определить из следующей формулы:
4. Смачиваемость (адсорбция) – явление, связанное с образованием пленки воды на поверхности. Это явление характерно для негигроскопичных материалов. Степень адсорбции зависит от соотношения сил сцепления молекул воды друг с другом и с поверхностью материала.
По степени смачивания материалы подразделяются:
смачиваемые (гидрофильные)
несмачиваемые (гидрофобные)
Высокой влагостойкостью обладают нейтрально органические диэлектрики.
Наименьшей влагостойкостью характеризуются волокнистые материалы (особенно на основе целлюлозы).
Для предохранения материалов от воздействия влаги применяют разные методы влагозащиты деталей и узлов:
покрытие или пропитка лаками
пропитка или заливка компаундами
герметизация - помещение деталей или узлов во влагонепроницаемые металлические, керамические или пластиковые корпуса.
Химические свойства материалов обычно характеризуются:
химической стойкостью
растворимостью или растворяемостью
кислотностью
стойкостью против облучения
Химическая стойкость – стойкость материалов к разъеданию (корозии) различными активными веществами (газами, водой, кислотами и т.д.).
Для определения химической стойкости образцы материалов на длительное время помещают в условия, по возможности близкие к эксплуатационным (концентрация химически активной среды, температура и др.) и затем определяют изменение внешнего вида образцов и характеристик.
Растворимость
Это свойство важно для подбора растворителей лаков.
Растворимость твердых материалов может быть оценена количеством вещества, переходящем в раствор за единицу времени с единицы поверхности материала, соприкасающегося с растворителем. Растворимость материала зависит от химической природы вещества и от химических свойств растворителя и растворяемого материала. Так, полярные вещества легче растворяются в полярных жидкостях, нейтральные в нейтральных. При повышении температуры растворимость обычно сильно увеличивается.
Кислотность материала характеризуется кислотным числом, которое показывает какое количество миллиграммов щелочи (КОН) необходимо для нейтрализации химически свободных кислот в одном грамме данного материала. Его необходимо знать при использовании диэлектриков в качестве изоляции проводов, при применении смол и т.д., т.к. наличие кислот в материале может вызвать процесс коррозии в металле и ускорить старение.
Радиационная стойкость радиоматериалов.
Радиационной стойкостью материалов называется степень сохранения электрических, механических и других свойств после воздействия на материал корпускулярных или квантовых радиоактивных излучений высокой энергии.
Виды излучений:
1. корпускулярные - быстрые и медленные нейтроны, осколки ядер, α-частицы, β-лучи.
2. квантовые- γ-лучи, жесткое и мягкое рентгеновское излучение.
Единица измерения: [рентген]
Источники излучений:
1. космическое излучение
2. рентгеновские трубки, ускорители, кинескопы и т.д.
3. ядерные реакторы
1. Основными компонентами космического излучения являются:
- первичное космическое излучение (поступающие из галактического пространства потоки протонов и α-частиц)
- солнечное космическое излучение, возникающее при вспышках на солнце (состоит, в основном, из протонов α-частиц и γ-лучи малой интенсивности)
- излучение естественных радиационных поясов земли – это обширные области околоземного космического пространства, в которых существуют потоки элементарных частиц- электронов и протонов, обладающих большой энергией.
- излучение искусственных поясов земли (образуются в результате высотных ядерных и термоядерных взрывов; состав: преимущественно электроны).
2. Эта группа является источником рентгеновского излучения, которое оказывает сильное ионизирующее воздействие при проникновении в радиоматериалы.
3. Ядерные реакторы являются источниками α-частиц, β и γ-лучей и нейтронов.
α - частицы вследствие малых скоростей имеют небольшую глубину проникновения.
β – излучение - ионизирующая способность β частиц в несколько раз меньше, чем α частиц той же энергии, но значительно больше чем у γ- излучения.
γ- лучи – ионизирующее действие γ излучения обусловлено, главным образом, вторичными электронами, которые выбиваются γ квантами при прохождении через вещество.
Нейтронное излучение - обладает самой высокой проникающей способностью, что обусловлено отсутствием у частиц электрического заряда.
Энергия излучения, попадая на поверхность материала, убывает по мере проникновения в глубину по закону:
При бомбардировке материала заряженными частицами нарушение его структуры происходит, в основном, в поверхностном слое; лишь при бомбардировке быстрыми нейтронами разрушение структуры происходит на значительную глубину.
Воздействия перечисленных излучений на радиоматериалы приводит к обратимым и к необратимым изменениям их характеристик.
Воздействие излучений может вызвать в материалах следующие явления:
в диэлектриках
- ионизацию
- химические реакции
- полимеризацию
- выделение газа
- увеличение электропроводности
- уменьшение теплопроводности и т.д.
в металлах - нарушение структуры кристаллической решетки (электропроводность уменьшается)
в полупроводниках - нарушение структуры кристаллической решетки (электропроводность увеличивается)
Диэлектрики:
Воздействие излучения вызывает:
в газах - усиленный процесс ионизации
в жидкостях – происходит ускоренное старение и выход из строя диэлектриков в результате необратимого накопления продуктов радиационно-химических реакций.
в органических полимерах - выделение газа, ухудшение механических характеристик, увеличивается tgσ (наибольшей радиационной стойкостью обладает «фторопласт 4»).
в пластмассах – снижение механической прочности, ухудшение изоляционных свойств, повышение водопоглощения.
в сложных пластмассах – выделение газов, уменьшение ρv, ρs , Епр, в фольгированных пластмассах возможно отслаивание и отрыв металлизированного слоя, в результате выделения газов (наибольшей радиационной стойкостью обладает стеклотекстолит).