16
Цитируемая литература
1.Ambridge, T. Electrochemical technique for the continuous automatic plotting of semiconductor donor concentration over large depths [Text] / T. Ambridge, M.M. Faktor // Electronics Letters. — 1974. — Vol. 10, no. 10. — P. 204–205.
2.Blood, P. Capacitance-voltage profiling and the characterisation of III-V semiconductors using electrolyte barriers [Text] / P. Blood // Semicond. Sci. Technol. — 1986. — Vol. 1. — P. 7–27.
3.Blood, P. The electrical characterization of semiconductors: majority carriers and electron states [Text] / P. Blood, J.W. Orton. — London: Academic Press, 1992. — 735 p.
4.Л. С. Берман. Емкостная спектроскопия глубоких ценров в полупроводниках [Текст] / Л. С. Берман, А. А. Лебедев. — Л.: Наука, 1981. — 176 с.
5.Коноров, П.П. Физика поверхности полупроводниковых электродов [Текст] / П.П. Коноров, А.М. Яфясов. — СПб.: Изд-во С.-Петерб. ун-та, 2009. — 529 с.
6.Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в лазерных структурах InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми точками [Текст] / М.М. Соболев, А.Р. Ковш, В.М. Устинов [и др.] // ФТП. — 1997. — Т. 31, № 10. — С. 1249–1255.
7.Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs [Текст] / П.Н. Брунков, А.А. Гуткин, М.Э. Рудинский [и др.] // ФТП. — 2011. — Т. 45, № 6. — С. 829–835.
8.Простой метод восстановления тонкой структуры легирования полупроводников из C-V измерений в электрохимической ячейке [Текст] / В.И. Шашкин, И.Р. Каретникова, А.В. Мурель [и др.] // ФТП. — 1997.
— Т. 31, № 8. — С. 926–930.
9.Bebb, H.B. Numerical Tabulation of Integrals of Fermi Functions Using k·p Density of States [Text] / H.B. Bebb // J. Appl. Phys. — 1971. — Vol. 42, no. 8. — P. 3189–3194.
17
ПУБЛИКАЦИИ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ
Визданиях, рекомендованных ВАК:
1.Frolov, D. Measurements of Doping Density in InAs by CapacitanceVoltage Techniques with Electrolyte Barriers [Text] / D. Frolov, G. Yakovlev,
V.Zubkov // J. Phys. Conf. Ser. — 2015. — Vol. 643. — P. 012086.
2.Frolov, D. Investigation of Delta-Doped pHEMT InGaAs/GaAs/AlGaAs Structures by the Electrochemical Capacitance-Voltage Technique [Text] /
D.Frolov, G. Yakovlev, V. Zubkov // J. Phys. Conf. Ser. — 2016. — Vol. 690, no. 1. — P. 012015.
3.Диагностика морфологии и электронного спектра pHEMT-гетероструктур [Текст] / Д.С. Фролов, Г.Е. Яковлев, В.И. Зубков [и др.] // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". — 2016. — № 2. — С. 6–11.
4.Frolov, D. Estimation of Doping Density in Low Doped n-InAs by Electrolyte-Based Capacitance-Voltage Measurements in the Deep Depletion Mode [Text] / D. Frolov, V. Zubkov // J. Phys. Conf. Ser. — 2016. — Vol. 690, no. 1. — P. 012001.
5.Исследование ионно-имплантированных фоточувствительных кремниевых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования [Текст] / Г. Е. Яковлев, Д. С. Фролов, А.В. Зубкова [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 2016. — Т. 50, № 3. — С. 324–330.
6.Electrochemical Profiling of Heterostructures with Multiple Quantum Wells InGaN/GaN [Text] / V. Zubkov, O. Kucherova, D. Frolov, A. Zubkova //
Phys. Status Solidi C. — 2013. — Vol. 10, no. 3. — P. 342–345.
7. Фролов, Д.С. Автоматизированная установка для измерения неравновесных вольт-фарадных характеристик в системе электролит−полупроводник [Текст] / Д.С. Фролов, В.И. Зубков // Приборы и техника эксперимента. — 2017. — № 1.
Другие публикации:
8.Electrochemical Profiling with Verifying by Atomic Force Microscopy of Heterostructures with Multiple Quantum Wells InGaN/GaN [Text] / D. Frolov, V. Zubkov, O. Kucherova, A. Zubkova // 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides. — St. Petersburg, Russia, July 16-19, 2012. — P. 281.
18
9.Фролов, Д.С. Исследование методом электрохимического вольтфарадного профилирования имплантационных профилей в пластинах
кремния через |
различные покровные слои [Текст] / |
Д.С. Фролов, |
Г.Е. Яковлев // |
67-я Научно техническая конференция |
профессорско- |
преподавательского состава университета: сборник докладов студентов, аспирантов и молодых ученых. — СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2014.
—С. 33–37.
10.Frolov, D. The Measurements of Doping Density in InAs by CapacitanceVoltage Techniques with Electrolyte Barriers [Text] / D. Frolov, G. Yakovlev, V. Zubkov // 2nd International School and Conference “Saint-Petersburg OPEN 2015”. — St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. — P. 249–250.
11.Яковлев, Г.Е. Исследование полупроводниковых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования [Текст] / Г.Е. Яковлев, Д.С. Фролов // Труды VIII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению “Диагностика наноматериалов и наноструктур”: сборник. — Т. III. — Рязань: РГРТУ, 2015. — С. 27–32.
12.Фролов, Д.С. Диагностика GaAs pHEMT гетероструктур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования [Текст] / Д.С. Фролов, Г.Е. Яковлев, В.И. Зубков // Электроника и микроэлектроника СВЧ. — Т. 1.
—СПб.: Изд-во СПБГЭТУ «ЛЭТИ», 2016. — С. 15–18.