![]()
Область верхних частот
На высоких частотах проявляются инерционные свойства транзистора. В результате чего уменьшается коэффициент усиления транзистора β и его усилительные свойства.
Постоянная времени усилителя в области высоких
частот
определяется
из соотношения:
, где
Поскольку нагрузкой усилительного каскада будет
выступать эмиттерный повторитель, то
4. Расчёт выходного
усилительного каскада - эмиттерного повторителя
Электрическая схема эмиттерного повторителя
представлена на рисунке 5.
Рисунок 5 - Электрическая схема принципиальная
эмиттерного повторителя
4.1 Расчет эмиттерного повторителя по
постоянному току
Выбор транзистора
Выберем кремниевый n-p-n транзистор КТ315Г со следующими параметрами:
- статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером β=50;
- обратный ток коллектора IК0=1 мкА;
максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭmax=35 В;
максимальный постоянный ток коллектора IKmax=100 м А;
максимальная постоянная рассеиваемая мощность коллектора PКmax=150 мВт.
Для того, чтобы выходной сигнал имел возможно
больший размах, следует выбрать напряжение покоя на эмиттере посередине между
землёй и питанием. В схеме эмиттерного повторителя рабочая точка задаётся
резистором
, соединяющим базу
транзистора с источником питания
.
Для передачи максимальной мощности выбираем
Поскольку эмиттерный повторитель работает с
максимальным уровнем выходного сигнала, то необходимо выбрать потенциал
эмиттера в рабочей точке равным половине напряжения питания:
По закону Ома:
С помощью базового резистора смещения
в
базу транзистора подаётся базовый ток
,
достаточный для поддержания требуемого тока эмиттера:
Ток
задаётся
сопротивлением
, включенным между
базой транзистора и источником питания
.
Значение
определим
по закону Ома:
Номинальное значение напряжения источника питания ЕК =18 В.
Несмотря на то, что для задания рабочей точки
выбран простейший способ, он все же обладает свойством саморегулировки,
компенсирующей разброс значений коэффициента β
и температурные изменения тока транзистора. Это происходит следующим образом.
При увеличении тока эмиттера вследствие указанных выше факторов возрастает
напряжение на эмиттере транзистора UБЭП, что приводит к
уменьшению напряжения на сопротивлении Rб и, следовательно, к
уменьшению тока IбП. Транзистор подзапирается и напряжение на
эмиттере транзистора уменьшается почти до исходного значения.
.2 Расчет эмиттерного повторителя по
переменному току
Cоставим
эквивалентную схему эмиттерного повторителя по переменному току для области
средних частот (рисунок 6).
Рисунок 6 - Эквивалентная схема эмиттерного повторителя по переменному току для области средних частот.
Рассчитаем входное сопротивление RВХ
эмиттерного повторителя. Из эквивалентной схемы, изображённой на рисунке 6 следует,
что сопротивление усилительного каскада равно: RВХ= Rб||rВХТ,
где rВХТ - входное сопротивление транзистора, которое равно:
, тогда
.
Рассчитаем входное сопротивление RВЫХ
эмиттерного повторителя. Из эквивалентной схемы (рис.6) следует, что
сопротивление усилительного каскада равно: RВЫХ= RЭ||rЭ
.
Рассчитаем коэффициент усиления по напряжению:
5. Частотные характеристики
усилителя
Построим частотные характеристики для рассчитанного усилителя низкой частоты. При вычислении полного фазового сдвига учтем собственный фазовый сдвиг φ0=180○ усилительного каскада, построенного на транзисторе с общим эмиттером φ=φ0+φ(ω).
Результаты расчётов АЧХ и ФЧХ усилителя
представлены в таблице 1, графики характеристик представлены на рисунках 7 и 8.
Таблица 1 - Результаты расчёта частотных
характеристик усилителя
f,
Гц
10
57,832
5,06112719
8,12335E-05
5,061035456
0,1978
181,375721
20
121,664
2,530563595
0,000143469
2,530380126
0,3651
181,1944368 235,327
1,265281798
0,000264938
1,26491486
0,6212
180,9018337
80
489,655
0,632640899
0,000233576
0,631907023
0,8451
180,5635508
160
998,310
0,316320449
0,001162352
0,314852697
0,9522
180,3050268
320
1989,619
0,158160225
0,0019236504
0,155224721
0,9822
180,1539957
640
4015,239
0,079080112
0,002852358
0,073209104
0,9934
180,0730787
1280
8001,477
0,039540056
0,010235017
0,027798039
0,9964
180,0277909
2560
16054,954
0,019770028
0,022574033
-0,003714005
1,0000
179,996286
5120
32155,909
0,009885014
0,026856067
-0,037083053
0,9975
179,9629339
10240
64329,818
0,004942507
0,0719769134
-0,088993627
0,9912
179,9112402
20480
128579,635
0,002471254
0,099808767
-0,185401014
0,9853
179,8166805
40960 0,001235627
0,14670734
-0,374508908
0,9324
179,6416599
81920
514708,540
0,000617813
0,6215346069
-0,750871256
0,7964
179,3559415
163840
1029427,081
0,000308907
1,1219774538
-1,502669231
0,5524
179,016386
327680
2058564,161
0,000154453
2,9257967546
-3,005801822
0,3112
178,7503751
5.1 Амплитудно-частотная характеристика (АЧХ)
Рисунок 7 - График амплитудно-частотной
характеристики усилителя
5.2 Фазо-частотная характеристика (ФЧХ)
Рисунок 8 - График фазо-частотной характеристики
усилителя
Заключение
В результате проведенной работы рассчитан
усилитель низкой частоты на двух транзисторах со следующими основными
характеристиками:
коэффициент усиления по напряжению входное сопротивление выходное
сопротивление
постоянное напряжение
питания
Схема электрическая принципиальная усилителя
представлена в приложении А. Компоновка печатной платы усилителя представлена в
приложении В.
Список использованной литературы
1 Оформление курсовых и
дипломных проектов (работ): Методические указания / И.Е. Мясников, Ю.А. Онучин,
С.И. Тимошенко. Екатеринбург: изд. ИПК УГТУ, 2001.64 с.
2 Полупроводниковые приборы:
Транзисторы. Справочник / В.А. Аронов, А.В. Баюков и др. Под общ. ред. Н.Н.
Горюнова. - М.: Энергоиздат, 1982. - 904 с., ил.
Транзисторный усилительный
каскад: Методические указания к курсовому проекту по дисциплине
"Электротехника и электроника" / сост. И.Е. Мясников. - Екатеринбург:
УГТУ-УПИ, 2007. - 32 с.
Расчет предварительного
усилителя на транзисторе: Методические указания по курсу "Общая
электротехника и электроника" / сост. В.В. Муханов, В.И. Паутов -
Екатеринбург: УГТУ-УПИ, 2009. -22 с.
Приложение А
Принципиальная схема
Рисунок А1 - Схема электрическая принципиальна я
усилителя напряжения низкой частоты на транзисторах
Приложение Б
Выбор элементной базы и составление перечня
элементов
Таблица Б1 - Перечень элементов
Позиционное
обозначение
Наименование
Количество
Примечание
Полупроводники
VT1
Транзистор
КТ208В
1
VT2
Транзистор
КТ315Г
1
Конденсаторы
С1
К50-35
50В 2.2мкФ
1
C2
К50-35
16В 330мкФ C3
К50-35
400В 150мкФ
1
Резисторы
R1
Резистор
С2-29 0.125Вт 44.2кОм ±1%
1
R2
Резистор
С1-4 1Вт 15кОм±5%
1
R3
Резистор
С1-4 1Вт 15кОм±5%
1
R4
Резистор
С1-4 1Вт 3.6кОм±5%
1
R5
Резистор
С2-29 0.25Вт 1.89кОм ±0.5%
1
R6
Резистор
С2-23 0.5Вт 40.2Ом ±5%
1
Разъёмы
X1, X3
СШР20П2ЭШ6
2
X1 - Разъём источника
сигнала, X2 - разъём
для подключения нагрузки
X2
PWL2-02
1
Разъём
источника питания
Приложение В
Компоновка печатной платы
Рисунок В1 - Монтажная схема платы усилителя
напряжения низкой частоты на транзисторах
;
;
.