При изготовлении СВЧ ИМС на основе кремния термическое окисление затрудняет формирование прецизионных структур, так как не позволяет формировать точные конфигурации областей изгибов.
Для преодоления этих недостатков в технологии
ИМС были разработаны методы формирования диэлектрических пленок осаждением их
из газовой или паровой фаз при помощи химических реакций или термовакуумного
испарения.
Литература
1. Парфенов О.Д. «Технология микросхем: Учеб. пособие для вузов». - М.: Высш. шк., 1986. - 320 с., ил.
. Черняев В.Н. «Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: учебник для вузов». - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Радио и связь, 1987. - 464 с.: ил.
. Курносов А.И., Юдин В.В. «Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб. пособие для студентов вузов». 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высш. школа, 1979. - 367 с., ил.
1. Иваново-Есипович Н.К. «Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры: Учеб. пособие для вузов. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высш. школа, 1979. - 205 с