Материал: Овсянников_8204_max_3

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Санкт-Петербургский государственный

электротехнический университет

«ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)

Кафедра микро- и наноэлектроники

Курсовая РАБОТА

«Физико-химические основы технологии изделий электроники и наноэлектроники»

Тема: «Термодинамический анализ физико-химического процесса»

К ЗАЩИТЕ

температура источника Te

Анализ окисления, см. задачу в ЛК

Студент гр. 8204

Овсянников А.И.

Преподаватель

Максимов А. И.

Санкт-Петербург

2020

ЗАДАНИЕ

на курсовую работу

Студент Овсянников А.И.

Группа №8204

Тема работы: Термодинамический анализ физико-химического процесса

Исходные данные:

Провести термодинамический анализ процесса выращивания монокристаллов (или эпитаксиальных слоев) соединения SnTe заданного типа n электропроводности из газообразных компонентов:

Snгаз + ½ Te2 газ = SnTeтв

Содержание пояснительной записки:

«Содержание», «Введение», «Заключение», «Список использованных источников»

Предполагаемый объем пояснительной записки:

Не менее 24 страниц.

Дата выдачи задания: 01.09.2020

Дата сдачи курсовой работы: __.__.2020

Дата защиты курсовой работы: __.__.2020

Студент

Овсянников А.И

Преподаватель

Максимов А. И.

Аннотация

Данная курсовая работа состоит из шести частей. В первой части приведено краткое описание соединения. Во второй части проводится анализ условий протекания процесса синтеза SnTe в прямом направлении и определяются необходимые для этого термодинамические параметры. В третьей части исследуется процесс сублимации компонентов соединения. Четвёртая часть представляет собой исследование стехиометрии состава. Пятая часть работы - определение парциальных давлений паров компонентов данного соединения и температур в реакторе, необходимых для выращивания монокристаллов исходного соединения. Шестая часть работы посвящена анализу возможности процесса окисления в реакторе.