Понимание влияния импульсного радиоизлучения на ИМС оказывается принципиально важным для оценки эффектов и реакции, как отдельных узлов, так и ЭА в целом.
В реальных случаях происходит взаимодействие СВЧ излучения с множеством компонентов, плат, блоков и узлов, составляющих данное электронное устройство (персональные компьютеры (ПК), GPS приемники [40] и т.п.). Установлено [22], что наращивание структурной сложности исследуемых устройств и вариации уровней СВЧ воздействия приводит к увеличению числа возможных типов сбоев в функционировании системы и понижению пороговых уровней их возникновения. Остановимся на анализе работы ПК в условия воздействия радиоизлучения.
Уровни уязвимости ПК, не защищённого электромагнитным экраном, сильно зависит от параметров воздействующего радиоизлучения и может составлять всего 30 В/м [41].
Исследования воздействия импульсный радиоизлучения (?=10-см) ПК типа PC 386DX-40, работающего в режиме тестирования ячеек памяти, показали, что особенностью наносекундного диапазона длительностей импульса является увеличение порога функциональных сбоев при уменьшении длительности импульсов и частоты повторения СВЧ импульсов [42].
Частота повторения радиоимпульсов играет в некоторых случаях существенную роль - она определяется частотами повторения, свойственными работе исследуемой аппаратуры. Низкая частота повторения импульсов ведет к низкой вероятности нарушения работы и требует более высоких уровней излучения.
Воздействие сверхширокополосного сигнала с ?f/f ? 1 связано с большим числом размерных резонансов, возникающих у различных типов ЭА. Так в работе [43] были проведены исследования с ПК (тактовыми частотами процессора от 166 до 1400 МГц) и сделали вывод о том, что существуют частоты (может быть резонансные) в диапазоне 0.7…0.9 ГГц (что соответствует длительности излучаемых импульсов - 0.5 нс), на которых уязвимость компьютеров наивысшая.
В результате облучения излучением СК ЭМИ работающего ПК наблюдались различные эффекты [44]: от искажений на экране монитора (Eпор ? 0.8 В/м, f = 0.5…2 ГГц) до функциональных сбоев и "зависания" устройства. Любой из сбоев был связан с необходимостью повторного запуска ПК. При минимальной импульсной мощности (Eпор ? 0.025 В/м,f = 0.5…2 ГГц) источников, достигалось блокирование клавиатуры ПК. Очевидно, для ПК этот узел является, наиболее уязвимым местом с точки зрения воздействия радиоизлучения.
Следует отметить, что уровни уязвимости для самых неэффективных режимов воздействия в 4…6 раз превысили уровни уязвимости, характерные для наиболее эффективных режимов.
Выводы
Проведена систематизация результатов экспериментальных и теоретических исследований воздействия радиоизлучения на ИМС.
Исследования показали, что, как обратимые отказы для микросхем, так сбои в работе современной электронной аппаратуры в значительной мере определяются взаимным расположением микросхем, аппаратуры и поля радиоизлучения («антенный эффект»).
При воздействии радиоизлучения на КОМП микросхемы наблюдается эффект «защелкивания». Функционирование ИМС, как правило, нарушается и не восстанавливается после окончания воздействия. Только отключение питания позволяет ликвидировать «защелкивание» и похожее зависание у ПК и GPS-навигаторов.
Как у высокоскоростной ИМС наблюдаются внутренние паразитные резонансы, так и у РЭА большее число размерных резонансов. Так в результате облучения излучением работающей аппаратуры, например, СК ЭМИ ПК наблюдались различные эффекты: от искажений на экране монитора до функциональных сбоев и "зависания" устройства.
Экспериментальные исследования эффектов воздействия радиоимпульсов на типовые устройства ЭА (в частности на ПК) показали, что основными причинами функциональных сбоев являются обратимые отказы ИМС, приводящие к нарушению целостности информации находящейся в обработке, а так же к нарушению режимов функционирования.
Сопоставление уровней обратимых отказов в работе ИМС с уровнями функциональных сбоев неэкранированной ЭА в целом позволяют констатировать их хорошее совпадение.
Частота повторения импульсов играет в некоторых случаях существенную роль - низкая частота повторения импульсов ведет к низкой вероятности нарушения работы и требует более высоких уровней излучения.
Литература
1. Antinone R.J. Young P.A., Wilson D.D., and et al. Electrical overstress protection for electronic devices. - Noyes Publications, 1986. - 394 p.
2. Messenger G.C., Ash M. S. The Effects of radiation on Electronic System's. - Van Nostrad, Reinhold Co. N.-Y. 1986. - 183 p.
3. Риккетс Л.У., Бриджес Дж. Э., Майлетта Дж. Электромагнитный импульс и методы защиты. - М., Атомиздат, 1979. - 328 с.
4. Антипин В.В., Громов Д. В., Годовицин В.А. и др. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и микросхемы // Зарубежная радиоэлектроника. - 1995. - Вып.1. - С. 37-53.
5. Григорьев Е.В., Борисов А.А. Старостенко В.В., Таран Е.П. Воздействие электромагнитных полей на интегральные микросхемы. // Измерительная техника, 1998, № 4, с. 65-67.
6. Грибский М.П. Физика процессов напряженных токовых и тепловых режимов микросхем при воздействии импульсных СВЧ полей: Дисc. к.ф-м.н. - Симферополь, ТНУ, 2009, - 155с.
7. Магда И.И., Блудов Н.И., Гадецкий Н.П. и др. Механизм деградации ИЭТ в полях мощного СВЧ излучения. // Петерб. журнал электроники, 1995, №3, с. 55-59.
8. Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В. Исследование стойкости интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. // РиЭ, 2011, т. 56, № 3, с. 375-378.
9. Korte S., Garbe H. Breakdown behavior of electronics at variable pulse repetition rates. // Adv. Radio Science, 2006, N 4, pp. 7-10.
10. Taylor C.D., Harrison C.W. On the coupling of microwave radiation to wire structures. // IEEE Trans., 1992, vol. EMC-34, N 3, pp. 183-188.
11. Дементьев Ю.В, Каплун В.Г, Кучеров Ю.С, Сытник А.Ф. Влияние длины волны внешнего СВЧ излучения на стойкость элементной базы радиоэлектронной аппаратуры. // Радиотехника, 1996, №2, c.125-126.
12. Amdory R.A., Puglielly V.C.G., Richardson R.E. Microwave interference effect in bipolar transistors. // IEEE Trans.,1975,vol.EMC-19, N2, pp.49-56.
13. Forchier M.L., Richardson R.E. Microwave-rectification RFI response in field-effect transistors. // IEEE Trans., 1979, vol. EMC-21, N4, pp. 312-315.
14. Антипин В.В.,. Годовицын В.А, Громов Д.В., Раваев А.А. Деградация малошумящих СВЧ полевых транзисторов с затвором Шотки на арсениде галлия при воздействии мощных импульсных микроволновых помех. // Радиотехника, 1994, №8, с.34-38.
15. Бобрешов А.М. Усков Г.К. и др Исследование обратимых отказов GaAs ПТШ при импульсных перегрузках. // Известия ВУЗов. Электроника, 2006, N5, с.69-77.
16. Листопад Н.И., Поборцев П.Н., Ясюля Г.И. Влияние помеховых сигналов на характеристики цифровых ИС. // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника, 1988, вып.1(125), с.130-132.
17. Бригидин А.М., Титович Н.А., Кириллов В.М., Влияние электро-магнитных помех на цифровые интегральные схемы. // Эл. техника. Сер. Упр. качеством, стандартизация, метрология, испытания. 1989, вып.5 (137), c. 55-57.
18. Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В. Методические аспекты исследования стойкости интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. // Журнал радиоэлектроники, 2010, №8, с. 1-27.
19. Strickland B.R., Auden N.F. Numerical analysis technique for diode-loaded dipole antennas. // IEEE Trans. EMC, 1993, v. 35, N4, p. 480-484.
20. Залешин А.В., Ключник А.В., Пирогов Ю.А., Солодов А.В. Работа детекторных диодов под действием коротких радиоимпульсов. // РиЭ, 2011, т. 56, № 6, с. 760-764.
21. Clayborne D. Taylor, Nicolas H. Younau. Effects from high power microwave illumination. // Microwave Journal, 1988, vol.35, №6, pp.80-96.
22. Бердышев А.В., Ивойлов В.Ф., Исайкин А.В. и др. Экспериментальные исследования воздействия СВЧ импульсов на содержащие интегральные микросхемы радиоэлектронные устройства. // Радиотехника, 2003, №6, c.85-88.
23. Грибский М.П., Ахрамович Л.Н., Григорьев Е.В. и др. Воздействие импульсных электромагнитных полей на интегральные микросхемы памяти. // Радиоэлектроника и информатика, 2006, т. 35, № 4, с. 15-17.
24. Грибский М.П., Григорьев Е.В., Старостенко В.В. и др. Воздействие импульсных электромагнитных полей на современные микро-контроллеры. / Прикладная радиоэлектроника, 2006, т. 5, № 2, с. 294-297.
25. Hong J. I., Hwang S. M., Huh C. S. Susceptibility of Microcontroller Devices due to coupling effects under narrow-band high power electromagnetic waves by magnetron. // J. of Electromagn. Waves and Appl., 2008, v.22, p. 2451-2462.
26. Цифровые интегральные микросхемы: Справочник/ П.П. Мальцев, Н.С. Долидзе, М.И. Критенко и др. - М.: Радио и связь, 1994, 240 с.
27. Kim K., Iliadis A.A. Latch-up effects in CMOS inverters due to high power pulsed electromagnetic interference. // Solid-State Electronics, 2008, vol.52, pp. 1589-1593.
28. Camp M., Garbe H., Nitsch D. Influence of the Technology on the Destruction Effects of Semiconducters by Impact of EMP and UWB Pulses. // IEEE Intern. Symp. on EMC, 2002, vol.1 pp.87-92.
29. Camp M., Garbe H., Nitsch D. UWB and EMP Susceptibility of Modern Electronics. // IEEE International Symposium on EMC, 2001, vol.2, рр. 1015 - 1020.
30. Camp M., Garbe H. Influence of Operation and Program-States on the Breakdown Effects of Electronics by Impact of EMP and UWB. // [Электронный ресурс]. URL:homepage.alice.de/camp/publikation18.pdf.
31. Whalen J.J., Trout J.G., Larson C.E., Roe J.M. Computer-aided analysis of RFI effects in digital Integrated circuits. // IEEE Trans. on EC., 1979, vol.21, N4, pp.291-297.
32. Tront J.G. Predicting URF upset of MOSFET digital IC's. // IEEE Trans., 1985, vol.EMC-27, N2, pp.64-69.
33. Gong K., Feng H., Zhan R., Wang A.Z.H. A Study of Parasitic Effects of ESD Protection on RF ICs. // IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, 2002, vol. 50, N.1, pp. 393-402.
34. Rodgers J., Firestone T. M., Granatstein V. L., Walter M. Experimental Study of EMP Upset Mechanisms in Analog and Digital Circuits. // [Электронный ресурс]. URL:http://www.ipr.umd.edu/MURI-2001/Review_8June 02/09_ Rodgers.pd.
35. Rodgers J., Firestone T.M., Granatstein V.L. Diffusion Model of Nonlinear HPM Effects in Advanced Electronics. // [Электронный ресурс]. URL: http://www.ipr. umd.edu /MURI-2001/FinalReview-071406/05_Rodgers.pdf.
36. Garver R.V., Tatum J.T. Assessment Methodology for radio frequency effects. //IEEE National Symposium on electromagnetic compatibility, 1989, р.137-142.
37. Methodology guidelines for high power microwave (HPM) susceptibility assessments. Ed. By N.J. Chesser. Report. Chairman-A.Pesta.Jan.1990г. ДСП.
38. Вдовин В.А., Кулагин В.В., Черепенин В.А. Помехи и сбои при нетепловом воздействии короткого электромагнитного импульса на радиоэлектронные устройства. // Электромагнитные волны и электронные системы, 2003, т. 8, №1, с. 64-73.
39. Зиглин С.Л., Репецкая Л.В., Черепенин В.А. Воздействие мощных колебаний на импульсные устройства. // Электромагнитные волны и электронные системы, 2008, т.13, №6, с. 16-17.
40. Nilsson T., Mansson D., Backstrom M. EMI effects on some wireless systems (GPS receivers). // IEEE EMC Meeting 24-24 Aug., 2006, p.16.
41. LoVetri J., Wilbers A.T.M., Zwamborn A.P.M. Microwave Interaction with a Personal Computer: Experiment and Modeling. // Proc. of the 13th Int. Zurich Symp. on EMC, Zurich, Switzerland, February 16-18, 1999, pp. 203-206.
42. Юшков Ю.Г., Чумерин П.Ю., Артёменко С.Н. и др. Экспериментальное исследование воздействия СВЧ импульсов на работу персонального компьютера. // РЭ, 2001, т.46, №8, с.1020-1024.
43. Корнев А.Н., Сахаров К.Ю. и др. Исследование воздействия сверхкоротких электромагнитных импульсов на персональные компьютеры. // Технологии ЭМС.- 2006.- № 2.- С. 44-49.
44. Гадецкий Н.П., Кравцов К.А., Магда И.И. Функциональные сбои персонального компьютера при воздействии электромагнитных импульсов сверхкороткой длительности. // [Электронный ресурс]. URL: http://www.modtop.ru/node/33849.