Материал: лаб_раб 1

Таблица 2.

Тип диода: плоскостной –Д223А(точечный-КД552А)

Аналогично выполнить измерения для точечного диода (КД522А) и внести их в таблицу 2.

3.3. Исследование частотных свойств диодов.

Собрать схему, показанную на рисунке 5.

Рисунок 5-Схема исследования частотных свойств диодов.

R1=100 Oм, R23D 1000 Ом.

Изменяя частоту генератора НЧ зарисовать осцилограммы при частотах 1кГц, 10кГц, 30 кГц, 50 кГц, для каждого типа диода.

4.Выполнение лабораторной работы на ПК.

Лабораторная работа выполняется при помощи пакета программ Workbench EDA 5.0. Для выполнения л.р. необходимо открыть файл Эл.устр.1.1.ewb, находящийся по адресу

Lab/Эл. устр./1

4.1. Снятие прямой ветви вольтамперной характеристики полупроводникового диода.

Схема, содержащаяся в данном файле показана на рис 6. Вольтамперные характеристики снимаются для температуры корпуса диода +20ºС. Для снятия прямой ветви вольтамперной характеристики, после запуска процесса моделирования, необходимо изменять значение напряжения источника Е и наблюдать за показаниями амперметра А.

При снятии характеристик диодов, обязательно отметить значения напряженийпор при котором наблюдается резкое увеличение тока.

Результаты внести в таблицу 1. Изменение напряжение производить с шагом 0, 1 В. Данные занести в таблицу 1 с указанием типа исследуемого диода.

Рисунок 6-Схема снятия прямой ветви ВАХ диода.

4.2Снятие обратной ветви вольтамперной характеристики полупроводникового диода.

Для выполнения данного пункта л.р. необходимо открыть файл Эл.устр_1.2.ewb, находящийся в каталоге Workbench EDA 5.0. по адресу Lab/Эл.устр/1/ Эл.устр_1.2.ewb.

Схема, содержащаяся в данном файле показана на рисунке 7. Для снятия обратной ветви вольтамперной характеристики, после запуска процесса моделирования, необходимо изменять значение напряжения источника Е и наблюдать за показаниями амперметра А.

Рисунок 7-Схема снятия обратной ветви ВАХ полупроводникового диода.

Изменения напряжения производить:

-с 0 до 0,2B с шагом 0,02B;

-с 0,2В до 1B с шагом 0, 1B%;

-с 1B и далее до резкого увеличения тока (I= mA) с шагом 1B, что позволит определить пор.

Данные занести в таблицу 2 с указанием типа исследуемого диода.

4.3. Исследование частотных свойств полупроводниковых диодов.

Для выполнения данного пункта л.р. необходимо открыть файл Эл.устр_1.3.ewb, находящийся в каталоге Workbench EDA 5.0 по пути Lab/Эл.устр/1/ Эл.устр 1.3.ewb.

Схема, содержащаяся в данном файле показана на рис 8.

В процессе выполнения данного пункта работы необходимо изменять частоту генератора G1, устанавливая последовательно частоты: 1кГц, 10кГц, 30 кГц, 50 кГц и зарисовать соответствующие для диода точечного типа осциллограммы с экрана осциллографа для диода точечного типа (KD522A) и плоскостного типа (D223A).

Рисунок 8-Схема исследования частотных свойств полупроводниковых диодов.

5. Обработка материалов измерений.

1. По данным измерений таблицы 1, 2 построить вольтамперные характеристики исследуемых диодов.

тивления диодов. Порядок определения параметров показан на рисунке 2.

6. Содержание отчета

1.Титульный лист, оформленный в соответствии с шаблоном.

2.Содержание отчета.

3.Краткие теоретические сведения по лабораторной работе.

4.Принципиальные схемы для снятия статических характеристик диодов.

5.Таблицы с данными измерений и осцилограммы.

6.Графики вольтамперных характеристик для каждого типа диода.

7.Расчет дифференциальных сопротивлений диодов для прямой и обратной ветви характеристики.

8. Выводы по каждому пункту работы.

Список литературы

1.Шилейко А. В. Электронные устройства железнодорожной автоматики, телемеханики и связи. -М.: Транспорт, 1989.

2.Либерман Ф. Я. Электроника на железнодорожном транспорте: Учебное пособие для вузов ж.-д. трансп. М.: Транспорт, 1987. -

288 с.

3.Лачин В. И., Савелов Н. С. Электроника. -Ростов-на-Дону: Фе-

никс, 2004.