После того как накопленный заряд рассосется,
диод переходит в стационарное состояние, характеризуемое напряжением Uобр и
током насыщения I нас (рисунок 15). Переход совершается за время, называемое
временем восстановления t3. Как время рассасывания, так и время восстановления
зависят от среднего времени жизни избыточных носителей.
. Маркировка стабилитронов
Полупроводниковые стабилитроны маркируются семиэлементным кодом:
-й элемент - буква (для приборов широкого применения) или цифра (для приборов специального применения), указывающие на исходный полупроводниковый материал: 1 или Г - германий; 2 или К - кремний; 3 или А - арсенид галлия; 4 или И - соединения индия;
-й элемент -С - стабилитроны;
-й элемент - цифра (или буква) определяет основные параметры прибора (в приборах, разработанных за 1978 г., может отсутствовать);
,5 и 6-й элементы - трехзначное число, обозначающие порядковый номер разработки;
-й элемент - буква, определяющая классификацию диодов, изготовленных по единой технологии, по некоторым основным параметрам (обратному напряжению, допустимому току и т. д.).
Например: 2С162А - стабилитрон кремниевый, 162
номер разработки, группа А; КС113Б - стабилитрон кремниевый, 113 номер
разработки, группа Б.
Литература
1. Электроника: Энциклопедический словарь. Гл. редактор В.Г. Колесников. М.:Советская энциклопедия. 2001. 688с.
. Барыбин А.А. Электроника и микроэлектроника. М.: Физматлит, 2006, 423 с.
. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1980.424 с.
. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1964. 655 с.