Материал: elektronik_smotret_39_online

Скачать

Заказать новую работу

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№10 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

  1. Электронно-дырочный переход в прямом и обратном включении. https://electroandi.ru/elektronika/elektronno-dyrochnyj-perekhod.html

  2. Параметры электронных ключей. Указать в каких режимах работают БТ и МДП, если принимают импульсный сигнал. https://studopedia.ru/13_131602_tema--elektronnie-klyuchi.html

  3. Изобразить структуру данной схемы для ИС:

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№11 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

  1. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии. Контактная разность потенциалов. Ширина перехода. https://sites.google.com/site/sluzebnyjdom/elektronika-1/elektronika/elektronno-dyrocnyj-perehod-v-ravnovesnom-sostoanii

  1. Передаточная характеристика электронных ключей. Параметры, которые можно определить по данной характеристике.

  1. Изобразить структуру полупроводниковой ИС, содержащей цепь данной схемы:

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№12 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

  1. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом. Принципы действия. Статические характеристики. https://ru.wikipedia.org/wiki/Полевой_транзистор#Транзисторы_с_управляющим_p-n-переходом

  2. Основные базовые физико-химические процессы получения ИС по планарной технологии.

  1. Определить к каким схемам включения БТ относятся данные статические характеристики:

1 – с общ эмиттером 2 – с общ базой

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№13 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

  1. Эффект Эрли. Его влияние на конструкцию БТ и статические характеристики.

  2. Электрическая модель МДП-транзистора. Параметры модели. https://infopedia.su/8x99c0.html

  3. Изобразить структуру полупроводниковой ИС:

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№14 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

  1. Зонная диаграмма полупроводников из Si, Ge. ВАХ-ти для этих полупроводников. Пояснить влияние ширины запрещенной зоны на ВАХ. https://studopedia.ru/5_119017_energeticheskie-zonnie-diagrammi-poluprovodnikov.html

  2. Полевые транзисторы. Условное обозначение. Назначение областей. Основные параметры, применение. http://electrik.info/main/praktika/1388-polevye-tranzistory.html

  3. Определить по структуре, какой элемент РЭА изображен. Изобразить его условное обозначение в электрических схемах:

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№15 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

  1. Математическая модель диода. Реальная и идеальная ВАХ. Уравнение Шокли. https://pue8.ru/silovaya-elektronika/828-matematicheskie-modeli-diodov-i-ikh-ispolzovanie-dlya-analiza-elektronnykh-skhem.html http://hightolow.ru/diode2.php

  2. Комплементарный ключ на МДП-транзисторах. Схемы, структура, особенности работы. https://lektsii.org/7-23181.html

  1. Определить какая статическая характеристика БТ изображена. Указать схему включения, участки режимов работы Выходная ВАХ транзистора это зависимость тока коллектора (IК) от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ).

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№16 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

  1. Схема включения БТ с ОЭ. Статические характеристики. Основные параметры схемы. Схема включения с общим эмиттером (ОЭ) характеризуется наибольшим усилением тока и напряжения, соответственно и мощности. При данном подключении происходит смещение выходного переменного напряжения на 180 электрических градусов относительно входного. Основной недостаток – это низкая частотная характеристика, то есть малое значение граничной частоты, что не дает возможность использовать при высокочастотном входном сигнале.

  2. Пять базовых физико-химических процессов получения транзисторной структуры БТ.

  1. Показать на диаграмме времена tзд, tнр, tрас, tси переходных процессов для бт:

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№17 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

  1. Пояснить физический процесс контакта металл-полупроводник. https://studopedia.su/10_116396_tema-kontakt-metall--poluprovodnik.html

  2. Цифровые ИС, назначение, основные параметры, элементная база. Условное обозначение. https://studref.com/432859/tehnika/klassifikatsiya_tsifrovyh_integralnyh_mikroshem_tsims https://studopedia.ru/3_113802_osnovnie-harakteristiki-i-parametri-tsifrovih-is.html https://studfile.net/preview/5760138/page:4/

  3. Изобразить структуру полупроводниковой ИС данной электрической схемы:

Смотрите также:

«ДОХОДЫ, РАСХОДЫ И ПРИБЫЛЬ КОММЕРЧЕСКОГО БАНКА.»
«ДОХОДЫ, РАСХОДЫ И ПРИБЫЛЬ КОММЕРЧЕСКОГО БАНКА.»
Значение, сущность и содержание социально — педагогической деятельности в организации для детей-сирот и детей, оставшихся без попечения родителей
Проактивные методы PR-деятельности российских авиационных компаний «Россия», «Азимут»
__RGR2
__RGR2
_10_Эмиль Золя для эл версии
_11_А. Франс для эл версии
_2 тема-Дефекты (тезисы)