Материал: elektronik_smotret_39_online

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№1 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

1. Собственные полупроводники. Соб­ственные полупроводники - это полупроводники, элек­тро­­про­водность которых определяется  собственными но­сителями за­­ря­да, появившимися в результате перехода носителей под дей­ст­ви­ем температуры из валентной зоны в зону про­во­ди­мо­сти по­лу­­про­во­д­ника.  Уравнение электрической нейтральности. Уравнение термодинамического равновесия.

2. Интегрально-групповой метод изготовлений полупроводниковых ис. Принцип планарно-эпитаксиальной технологии.

1. Определить какие элементы РЭА имеют данные статические характеристики:

На 1 изображении полевой транзистор. Выходные характеристики (рис. 4.9) представляют собой зависимость тока в цепи стока /с от приложенного напряжения на канале Ucvl при постоянном (фиксированном) напряжении на затворе ?/зи. При коротком замыкании затвора с истоком (иш = 0) и малых значениях напряжения на канале Ucvl ширина канала велика по сравнению с запирающим слоем /?-«-перехода. Поэтому с увеличением напряжения Ucvl ток стока возрастает почти линейно (участок от 0 до точки а). Наклон характеристики на этом участке прямо пропорционален проводимости канала. При дальнейшем росте напряжения Ucvl резко увеличиваются скорость перемещения электронов

На 2 изображении биполярный транзистор. При u_КЭ< u_БЭ открывается коллекторный переход, и транзистор переходит в режим насыщения. В этом режиме вследствие двойной инжекции в базе накапливается очень большой избыточный заряд электронов, их рекомбинация с дырками усиливается, и ток базы резко возрастает

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№2 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

1. Примесные полупроводники. Примесный полупроводник - это полупроводник, элек­т­ро­­­фи­зи­­чес­кие свойства которого определяются, в основном, при­ме­ся­­ми дру­гих химических элементов.  Процесс вве­дения примесей в по­­лу­­про­водник называется леги­ро­ва­нием полупроводника, а са­ми при­­­­меси называют леги­ру­ю­щи­ми. Для равномерного распре­де­­ле­­ния легирующей примеси в объ­еме полупроводника ле­ги­ро­ва­­ние осу­­щест­в­ля­ет­ся в процессе вы­ращивания монокристалла по­лу­­про­вод­ника из жидкой или га­зо­образной фазы. Локальное ле­ги­­ро­ва­ние части объема полу­про­водника­, например, при­по­ве­р­х­ностной об­­ла­сти, производится методом диффузии при силь­ном нагреве полупроводника или низкотемпературными методами ион­ного ле­ги­ро­вания. Зонная диаграмма. Уровень Ферми в примесных полупроводниках.

Сравнение входных характеристик БТ в схемах с ОБ и ОЭ. http://radio-samodel.ru/xarakter%20tranzistora.html Эффект Эрли. Влияние эффекта Эрли на статические характеристики.

Изобразить структуру полупроводниковой ИС:

Но я очень сильно сомневаюсь в правильности!

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№3 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

1. Импульсные свойства биполярного транзистора. Переходные процессы при включении и выключении БТ. Временные диаграммы Uвх=f(t), Iк=f(t). https://studopedia.su/15_187928_impulsnie-svoystva-bipolyarnogo-tranzistora.html

2. Формирование пассивных элементов полупроводниковой ИС (R, C, D) по планарно-эпитаксиальной технологии. http://ргр-тоэ.рф/electrical-engineering/173-planarno-epitaksialnaya-tehnologiya-izgotovleniya-integralnyh-mikroshem.html

3. Определить какому элементу РЭА соответствует данная статическая характеристика:

МоП транзистор

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№4 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

1. Емкости p-n перехода. Зависимость емкости от приложенного напряжения. https://studopedia.su/5_13253_emkosti-p-n-perehoda.html

2. Модель Эберса-Молла для определения токов в биполярном транзисторе. Параметры модели. https://studme.org/83094/tovarovedenie/model_ebersa-molla

1. Изобразить структуру данной электрической схемы по планарной технологии для ИС:

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№5 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

1. Носители зарядов и токи в полупроводниках. Основные формулы. https://poisk-ru.ru/s1886t2.html https://siblec.ru/radiotekhnika-i-elektronika/elektronika/1-poluprovodnikovye-pribory/1-3-toki-v-poluprovodnike

2. Частотные свойства БТ. Основные параметры. Графическая зависимость a, b от f (Гц). Дрейфовый транзистор. https://infopedia.su/17xda2b.html

3. Изобразить принципиальную схему данной структуры:

транзистор, диод и проводник

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№6 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

1. Биполярные транзисторы. Условное обозначение, конструкция, назначение областей. Токи в транзисторе. Основное соотношение токов. Коэффициенты структуры. Назначение БТ. https://studopedia.ru/7_31925_bipolyarnie-tranzistori.html

Пассивные элементы R и C на основе МДП-структуры ИС. 3.4. Пассивные элементы ИС

В настоящее время пассивные элементы (R, C, L) в ИС почти не применяются. При разработке ИС ограничиваются использованием, по возможности, одного – двух типов элементов. Этим достигается минимизация количества технологических операций, упрощение технологии изготовления и, тем самым, низкая себестоимость и высокий процент выхода годных, т.е. минимальный брак.

Некоторые типы пассивных элементов могут быть изготовлены «заодно» с транзисторами, что не потребует усложнения технологии.

Примером такого элемента является МДП-конденсатор, рис. 11.

Рис. 11

На этом рисунке изображен фрагмент ИС на МДП-транзисторах, где одновременно с МДП-транзистором (слева) можно изготовить МДП- конденсатор (справа). Как и в обычном конденсаторе, верхней «обкладкой» является слой металла, изготавливаемый одновременно с металлическими контактами и затвором транзистора. Как и в обычном конденсаторе, под верхней обкладкой расположен диэлектрический слой, в данном случае SiO₂. Затем следует нижняя «обкладка» в виде n⁺-слоя, изготавливаемого заодно с истоком и стоком транзистора. Хотя это не металл, (как в конденсаторе), но полупроводник с высокой концентрацией примесей, т.е. с высокой, как у металлов, электропроводностью.

1. Определить какому элементу РЭА соответствует данная статическая характеристика:

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№7 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

1. Схема включения БТ с ОБ. Основные параметры. Статические характеристики. Такая схема дает только усиление по напряжению, но обладает лучшими частотными свойствами по сравнению со схемой ОЭ: те же транзисторы могут работать на более высоких частотах.

2. Инвертор на МДП-транзисторах с резистивной нагрузкой. Схема, структура ИС, логическая функция. https://studfile.net/preview/3991495/

3. Поясните какому прибору соответствует данная графическая зависимость:

Вольтампермерная характеристика диода (обратное смещение)

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№8 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

1. МДП с индуцированным каналом. Принцип действия, структура ИС, статические характеристики. https://helpiks.org/3-43003.html

2. Эмиттерно-связанная логика. Принципиальная схема. Принцип действия. https://studopedia.ru/8_171194_emitterno-svyazannaya-logika.html

3. Определить какая характеристика и для какого элемента изображена на графике:

Передаточная характеристика ТТЛ-инвентора (транзисторно-транзисторной логики)

Министерство связи российской федерации по связи и информации Московский технический университет связи и информации

Билет Утверждаю

№9 Зав. кафедрой

Факультет МЭС Курс Дисциплина - Электроника

1. Виды электрических пробоев в p-n переходе. https://studopedia.ru/3_44353_proboy-p-n-perehoda.html

2. Работа транзистора с нагрузкой – усилительный режим в схеме с ОЭ. Построить нагрузочную прямую. https://studopedia.ru/13_131570_rabota-bipolyarnogo-tranzistora-s-nagruzkoy.html

3. Какой элемент ИС изображен на рисунке. Особенности его работы.