Материал: Sb97812

Окончание табл. 3.2

№

Вопрос

Варианты ответа

6

Как связаны явления

а) чем выше проводимость при высоких тем-

сверхпроводимости

пературах, тем больше вероятность перехода

и электрической проводимости при

в сверхпроводящее состоянии при низких;

высоких температурах

б) чем выше проводимость при высоких тем-

пературах, тем меньше вероятность перехода

в сверхпроводящее состоянии при низких;

в) не связаны

7

Как влияют ловушки захвата или

а) увеличивают вероятность;

неглубокие примесные центры на

б) уменьшают вероятность;

вероятность рекомбинации нерав-

в) не влияют

новесных носителей заряда

в полупроводниках

8

С ростом импульса электрона

а) увеличивается;

в кристалле его скорость

б) уменьшается;

в) может, как увеличиваться, так и

уменьшаться

9

В области высоких температур по-

а) не изменяется;

ложение уровня Ферми в слаболе-

б) смещается в зону проводимости;

гированных полупроводниках

в) смещается к середине запрещенной зоны

10

Время жизни неравновесных носи-

а) временем жизни неосновных носителей;

телей в примесных полупроводни-

б) временем жизни основных носителей;

ках определяется

в) носителями обоих типов

№

Вопрос

Варианты ответа

1

Наименьшим объемом, повторением в

а) элементарная ячейка;

пространстве которого образуется

б) базис решетки;

кристаллическая структура, является

в) структурная единица

2

Наиболее прочной из перечисленных

а) ионная связь;

типов связей в кристалле является

б) ковалентная связь;

в) Ван-дер-Ваальса связь

3

С повышением температуры электри-

а) увеличивается;

ческая проводимость сильно легиро-

б) уменьшается;

ванных полупроводников

в) не изменяется

4

Минимальная энергия, необходимая

а) шириной запрещенной зоны;

для возникновения эффекта фотопро-

б) шириной валентной зоны;

водимости в химически чистом полу-

в) положением уровня Ферми

проводнике, определяется

16

Окончание табл. 3.3

№

Вопрос

Варианты ответа

5

Сравните среднюю скорость теплово-

а) средняя скорость теплового движения

го и дрейфового (за счет электриче-

много меньше дрейфовой скорости;

ского поля) движения носителей за-

б) средняя скорость теплового движения

ряда в полупроводниках

много больше дрейфовой скорости;

в) скорости одного порядка

6

Приписывание электрону в кристалле

а) использовать для описания движения

эффективной массы (m*) позволяет

электрона в кристалле выражения свобод-

ного электрона с массой m*;

б) решить уравнение Шредингера для

электрона в кристалле;

в) рассчитать реальную массу электрона

7

При образовании твердого тела энер-

а) расщепляются в зоны;

гетические уровни валентных элек-

б) не изменяются;

тронов изолированных атомов

в) изменяется только положение уровней

8

С повышением температуры электри-

а) увеличивается;

ческая проводимость металлов

б) уменьшается;

в) не изменяется

9

Создание контакта, обладающего од-

а) металл–металл;

носторонней проводимостью, воз-

б) металл–полупроводник;

можно только для системы

в) металл–диэлектрик

10

Основную роль в механизме люми-

а) примесные уровни различных типов;

несценции полупроводников играют

б) концентрация собственных носителей

заряда;

в) конфигурация кристаллической

решетки

Таблица 3.4

№

Вопрос

Варианты ответа

1

Электропроводность химически чи-

а) много больше;

стых полупроводников по сравнению

б) много меньше;

с примесными полупроводниками

в) примерно одинаковая

2

Какими носителями определяется об-

а) основными носителями заряда;

ратный ток p–n-перехода

б) неосновными носителя заряда;

полупроводникового диода

в) носителями обоих типов

3

Равновесными (находящимися в тер-

а) собственные точечные дефекты;

модинамическом равновесии с окру-

б) примесные дефекты типа внедрения;

жающей средой по концентрации) де-

в) экситоны

фектами кристаллической структуры

являются

17

Окончание табл. 3.4

№

Вопрос

Варианты ответа

4

В электропроводности кристалличе-

а) электроны, находящиеся в максимально

ского твердого тела основную роль

удаленной от ядра энергетической зоне;

играют

б) электроны, находящиеся вблизи ядра;

в) все электроны одинаково участвую в

электропроводности

5

В состоянии термодинамического

а) общий для обоих полупроводников;

равновесия уровень ферми в контакт-

б) в полупроводнике n-типа располагается

ной области полупроводников различ-

выше чем в полупроводнике p-типа;

ного типа проводимости

в) в полупроводнике p-типа располагается

выше чем в полупроводнике n-типа

6

Наиболее вероятный тип рекомбина-

а) ударная межзонная рекомбинация;

ции неравновесных носителей

б) излучательная рекомбинация;

в полупроводниках

в) безызлучательная рекомбинация

7

Время жизни неравновесных носите-

а) в собственных полупроводниках;

лей максимально

б) донорных полупроводниках;

в) акцепторных полупроводниках

8

Величина обратного тока диода Шот-

а) примерно одного порядка;

тки по сравнению с p–n-переходом.

б) значительно больше;

в) значительно меньше

9

Концентрация носителей тока в при-

а) зависит от концентрации примеси;

месных полупроводниках в области

б) не зависит от концентрации примеси;

высоких температур

в) зависит от типа примеси

10

Энергия связи валентного электрона

а) увеличивается;

атома примеси в полупроводнике

б) уменьшается;

в) не изменяется

Вариант

1-й вопрос

2-й вопрос

18. Поясните механизм нараста-

1

1

11

ния электростатического домена

в

2

2

12

арсениде галлия и причины колебаний

3

3

13

4

4

14

тока во внешней цепи.

5

5

15

19. Объясните причины возник-

6

6

16

новения потенциального барьера

на

7

7

17

8

8

18

границе тела. Какие силы удержива-

9

9

19

ют электрон, вылетающий из тела?

0

10

20