Материал: 2219
- метод самосравнения используется для повышения разрешающей способности дефектоскопии. Данный метод выполняется с помощью 2-х комплектов излучающих и приемных устройств, которые максимально приближены друг к другу. В данном методе результирующий сигнал определяется разностью амплитуд и фаз сигналов приемников каждого канала. При этом наличие дефектов приводит к изменению условий распространения волны в одном канале и появ-
Сления разностного сигнала. В том числе анализ динамики изменения сигнала, при периодическом прохождении дефектов через зону контроля рад оволнового дефектоскопа, позволяет снизить порог его чувств тельности;
- метод отраженного излучения позволяет обнаружить дефекты типа нарушен я сплошности. Данный метод прозвучиванием определяет коорд наты сплошности, их размеры и ориентацию, это проис- в результате прозвучивания объектов контроля, и приёма отра-
темы (резонанснойобъектовчастоты, до ротности, числа возбуждаемых типов колебаний и т. д.). ДаннымАметодом осуществляется контроль разме-
женного от дефектов эхо сигналов.
- резонансный метод радиоволнового контроля качества основан
на введен |
контроля в резонатор, волновод или длинную |
ходит |
|
линию рег страц ю |
зменений параметров электромагнитной сис- |
ров, электромагнитных свойств, деформации. Реже данный метод применяется для о наружения зоны коррозионного поражения, непропаев и расслоений в тонких местах объектов контроля из метал-
именно: Д - при пассивных методах контроля качества предполагается соб-
лов. Чаще резонансный метод контроля качества используется для контроля уровня жидкостей в резервуарах и параметров движения различных объектов контроля.
При этом в зависимости от источника излучения методы радио-
волнового контроля качества разделяются на активные и пассивные, а И
ственное излучение как самих контролируемых объектов, так и сред, расположенных за объектами контроля, в сверхвысоких частотдиапазонах;
- при активных методах контроля используются, как правило, маломощные источники сверхвысоких частот-излучений, с интенсивностью излучения равной 1 Вт.
Данные методы радиоволнового неразрушающего контроля качества в настоящее время еще редко используются.
76
По расположению датчиков относительно объектов контроля различаются 3-и основных варианта радиоволнового неразрушающего контроля качества, а именно:
- одностороннее расположение датчиков; - двухстороннее расположение датчиков;
- расположение датчиков под прямым углом оптических осей
|
друг к другу (способ фиксации параметров рассеянного излучения). |
|
|
||||||
С |
|
|
|
|
|
|
|||
|
При этом резонансные сверхвысокие частот-методы подразде- |
||||||||
|
лятся по типу резонансного эффекта, а именно: |
|
|
|
|
||||
|
- электронный парамагнитный; |
|
|
|
|
|
|||
|
- ядерный магн тный; |
|
|
|
|
|
|||
|
При |
|
|
|
|
|
|||
|
- ферромагн тный; |
|
|
|
|
|
|||
|
-ядерный квадрупольный. |
|
|
|
|
|
|||
|
По характеру зменения магнитного поля сверхвысокие частот- |
||||||||
|
методы подразделяются на: |
|
|
|
|
|
|||
|
|
бА |
|
|
|
|
|||
|
- с постоянным магнитным полем; |
|
|
|
|
|
|||
|
- с меняющ мся магнитным полем. |
|
|
|
|
||||
|
|
этом о ласти применение сверхвысоких |
частот-методов |
||||||
|
(СВЧ-методов) рад оволнового неразрушающего контроля приведе- |
||||||||
|
ны в табл. 10. |
|
|
|
|
Таблица 10 |
|||
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
Название |
Область |
Факторы, |
Контроли- |
|
Чувствитель- |
По- |
|
|
|
метода |
применения |
ограничивающие |
руемые |
|
ность |
греш- |
|
|
|
|
|
|
область |
параметры |
|
|
ность |
|
|
|
|
|
применения |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ампли- |
Толщиномет- |
Сложная конфигу- |
Толщина до |
|
1-3 мм |
|
|
|
|
тудный |
рия |
полуфаб- |
рация. Изменение |
И |
5% |
|
||
|
100 мм |
|
|
|
|||||
|
|
рикатов, изде- |
зазора между ан- |
Д |
|
|
|||
|
|
лий из радио- |
тенной преобразо- |
|
|
|
|
|
|
|
|
прозрачных |
вателя и поверхно- |
|
|
|
|
|
|
|
|
материалов |
стью объекта кон- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
троля |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Дефектоскопия |
|
Дефекты: треТрещины |
|
|
|||
|
|
полуфабрика- |
|
щины, расслоеболее |
|
|
|||
|
|
тов, изделий из |
|
ния, включения, 0,1х1х1 мм |
|
|
|||
|
|
радиопрозрач- |
|
недопрессовки |
|
|
|
|
|
|
|
ных |
материа- |
|
|
|
|
|
|
|
|
лов |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
77
|
Фазовый |
Толщиномет- |
Волнистость |
про- |
Толщина до |
5·10 |
|
|
мм |
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
рия |
листовых |
филя или поверх- |
0,5 |
|
|
|
|
|
|
|
1% |
|
|||||||
|
|
материалов |
и |
ности объекта кон- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
полуфабрика- |
троля при шаге ме- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
тов, |
слоистых |
нее 10 . |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
изделий и кон- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
Отстройка |
от |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
струкций |
из |
влияния |
|
амплиту- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
диэлектрика |
ды сигнала |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
С |
|
|
|
|
|
|
|
Толщина до |
|
|
|
0,1° |
|
|
|
||||||
|
|
Контроль |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
"электрической" |
|
|
|
|
|
|
0,5 |
|
|
|
|
|
|
|
1° |
|
|||
|
|
(фазовой) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
толщ ны |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
териала |
|
|
о ъектов |
Толщина |
|
|
|
0,05 мм |
|
|
||||||||||
|
Амплиту |
Толщ номет- |
Неоднозначность |
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
дно- |
р я |
матер а- |
отсчета |
при |
изме- |
0-50 мм |
|
|
|
|
|
|
0,1 мм |
|
||||||
|
фазовый |
лов, |
полуфаб- |
нениях |
|
толщины |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
р катов, |
зде- |
олее 0,5 |
. Изме- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
л й |
|
конст- |
нение |
диэлектри- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
рукц й |
з |
ди- |
ческих свойств ма- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
электр |
ков, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
контроль зме- |
контроля величи- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
нен й |
толщи- |
ной |
олее |
2%. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
ны |
|
|
|
Толщина |
олее 50 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
мм |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
Дефектоскопия |
Изменение |
зазора |
Расслоения, |
Включения |
|
- |
|
||||||||||||
|
|
слоистых |
ма- |
между |
|
антенной |
включения, |
порядка |
|
нет |
|
||||||||||
|
|
териалов и из- |
преобразователя и |
Д |
|
|
|
||||||||||||||
|
|
трещины, изме- |
0,05 |
|
|
. Тре- |
|
|
|||||||||||||
|
|
делий |
из |
ди- |
поверхностью объ- |
нения |
плотно- |
щины |
с |
рас- |
|
|
|||||||||
|
|
бА |
|
|
|||||||||||||||||
|
|
электрика |
и екта контроля |
сти, |
|
неравно- крывом поряд- |
|
|
|||||||||||||
|
|
полупроводни- |
|
|
|
|
|
|
мерное распре- ка 0,05 мм. |
|
|
||||||||||
|
|
ка |
толщиной |
|
|
|
|
|
|
деление состав- Разноплот- |
|
|
|
||||||||
|
|
до 50 мм |
|
|
|
|
|
|
|
ных компонен- ность порядка |
|
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
тов |
|
|
0,05 г/см |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
Геомет- |
Толщиномет- |
Сложная |
конфигуТолщина |
1,0 мм |
|
|
|
|||||||||||||
|
рический |
рия |
изделий и рация |
|
объектов |
0-500 мм |
|
|
|
|
|
3-5% |
|
||||||||
|
|
конструкций из контроля; |
непарал- |
|
И |
|
|
||||||||||||||
|
|
диэлектриков: лельность поверх- |
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
контроль абсоностей. |
|
Толщина |
|
|
|
||||||||||||||
|
|
лютных значеболее 500 мм |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
ний |
толщины, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
остаточной |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
толщины |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
78
|
|
Дефектоскопия |
Сложная |
|
Определение |
|
1,0 мм |
|
|
|||||||
|
|
полуфабрика- |
конфигурация |
глубины залега- |
|
|
3-5% |
|
||||||||
|
|
тов и изделий: |
объектов контроля |
ния |
дефектов |
в |
|
|
|
|
||||||
|
|
контроль |
рако- |
|
|
|
пределах до |
|
|
|
|
|
||||
|
|
вин, |
расслое- |
|
|
|
500 мм |
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
ний, |
инород- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
ных |
включе- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
ний в изделиях |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
С |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
из |
диэлектри- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
ческих |
мате- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
р алов |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Времен- |
Толщ номет- |
Наличие "мертвой" |
Толщина |
более |
5-10 мм |
|
|
||||||||
|
ной |
р я |
конструк- |
зоны. Наносекунд- |
500 мм |
|
|
|
|
5% |
|
|||||
|
|
ц й |
сред, |
яв- |
ная техника. При- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
ляющ хся |
- |
менение |
генерато- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
электр ками |
|
ров |
мощностью |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
олее 100 мВт |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
б |
Определение |
|
5-10 мм |
|
|
|||||||||
|
|
Дефектоскоп я |
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
дисред з |
|
глубины залега- |
|
|
5% |
|
|||||||||
|
|
д электр |
ков |
|
|
|
ния |
дефектов |
в |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
пределах |
выше |
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
А |
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
500 мм |
|
|
|
|
|
|
|
|
Спектра- |
Дефектоскопия Ста ильность часИзменения |
|
в |
Микродефекты |
|
|
|||||||||
|
льный |
полуфабрика- |
тоты |
|
генератора структуре и фи- |
и |
микронеод- |
нет |
|
|||||||
|
|
тов |
и изделий |
олее 10 |
. |
зикохимиче- |
нородродности |
|
|
|||||||
|
|
из |
радиопро- |
|
|
Д |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
ских |
свойствах значительно |
|
|
||||||||
|
|
зрачных |
мате- |
Наличие источника материалов |
|
меньшие рабо- |
|
|
||||||||
|
|
риалов |
|
|
магнитного поля. объектов кончей |
длины |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
Сложность созда- троля, включеволны |
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
ния чувствительно- ния |
И |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
го тракта преобра- |
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
зователя |
в диапа- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
зоне |
перестройки |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
частоты более 10% |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
ПоляризаДефектоскопия Сложная |
конфигуДефекты струкДефекты |
|
|
||||||||||||
|
ционный |
полуфабрика- |
рация. |
|
Толщина туры и технолоплощадью |
нет |
|
|||||||||
|
|
тов, |
изделий и |
более 100 мм |
гии, |
вызываюболее |
|
|
||||||||
|
|
конструкций из |
|
|
|
щие |
анизотро- 0,5-1,0 см |
|
|
|||||||
|
|
диэлектриче- |
|
|
|
пию |
свойств |
|
|
|
||||||
|
|
ских |
материа- |
|
|
|
материалов |
|
|
|
|
|
||||
|
|
лов |
|
|
|
|
|
|
(анизотропия, |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
механические |
и |
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
термические |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
79
|
|
|
|
|
|
|
|
напряжения, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
технологиче- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ские нарушения |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
упорядоченно- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
сти структуры) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
Гологра- |
Дефектоскопия |
Стабильность час- |
Включения, |
Трещины |
|
||||
|
фический |
полуфабрика- |
тоты |
генератора |
расслоения, |
с раскрывом |
нет |
|||
С |
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
тов, |
изделий и |
более 10 |
|
. |
разнотолщин- |
0,05 мм |
|
|
|
|
конструкций из |
Сложность созда- |
ность, измене- |
|
|
||||
|
|
диэлектриче- |
ния опорного пуч- |
ния формы объ- |
|
|
||||
|
|
ск х |
|
полу- |
ка или поля с рав- |
ектов |
|
|
||
|
|
проводн ко- |
номерными ампли- |
|
|
|
||||
|
|
вых |
матер а- |
тудно-фазовыми |
|
|
|
|||
|
|
лов с создани- |
характеристиками. |
|
|
|
||||
|
|
ем |
в мого |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(объемного) |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
зображен |
|
|
|
|||||
|
|
|
|
я |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Сложность и высо- |
|
|
|
||
|
дикая стоимость ап- |
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
паратуры |
|
|
|
||
Примечание: 
- длина волны в контролируемом объекте;
- размер раскрыва антенны в направлении волнистости.
При этом недостатком сверхвысоких частот-методов является |
|
|
Д |
сравнительно низкая разрешающая способность устройств, которые |
|
реализуют данный методА. Это обусловлено малой глубиной проник- |
|
новения радиоволн в металлы. |
|
Примером реализации радиоволнового контроля качества, при |
|
обследовании зданий и сооружений является контроль плотности, В |
|
|
И |
том числе при оценке качества и надежности изделий, строительных конструкций, и соответственно в целом зданий и сооружений (объекты контроля) необходимо знание ряда физико-механических параметров материалов, из которых данные объекты контроля выполнены.
При этом для измерения плотности материалов часто используется фазовый проходной метод в зоне радиоволн сверхвысоких частот. Этот метод базируется на взаимосвязи между контролируемыми физическими параметрами среды и ее диэлектрической проницаемостью. Основным элементом схем, которые реализуют данный метод, является симметричная диэлектрическая призма, основание которой контактирует с исследуемым объектом контроля.
80