где - производная от функции Ханкеля;

- производная от функции Бесселя.

Расчёты и построения графиков будут проводиться для частот от 1 до Гц, с См/м и м=1

График зависимости сопротивления магнитного поля диэлектрика от частоты приведён на рисунке 8.2, остальные графики воздействия на экран приведены на рисунках 8.3-8.9.

Рисунок 8.2 - Зависимость сопротивления магнитного поля диэлектрика от частоты

График зависимости сопротивления электрического поля диэлектрика от частоты приведён на рисунке 8.3.

Рисунок 8.3 - Зависимость сопротивления электрического поля диэлектрика от частоты

График зависимости волнового сопротивления латуни от частоты приведён на рисунке 8.4.

Рисунок 8.4 - Зависимость волнового сопротивления от частоты.

График зависимости затухания поглощения от частоты приведён на рисунке 8.5.

Рисунок 8.5 - Зависимость затухания поглощения от частоты

График зависимости затухания отражения магнитного поля от частоты приведён на рисунке 8.6.

Рисунок 8.6 - Зависимость затухания отражения магнитного поля от частоты

График зависимости затухания отражения электрического поля от частоты приведён на рисунке 8.7.

Рисунок 8.7 - Зависимость затухания отражения электрического поля от частоты

График зависимости общего коэффициента экранного затухания магнитного поля от частоты приведён на рисунке 8.8.

Рисунок 8.8 - Зависимость общего коэффициента экранного затухания магнитного поля от частоты

График зависимости общего коэффициента экранного затухания электрического поля от частоты приведён на рисунке 8.9.

Рисунок 8.9 - Зависимость общего коэффициента экранного затухания электрического поля от частоты

Заключение

В ходе выполнения курсового проекта были произведены расчеты контура заземления, различных видов влияний от ЛЭП и контактной сети на оборудование связи. Рассмотрены основные методики расчета.

Также рассмотрены возможные элементы защиты, которые в последующем были применены для построения схем защиты от импульсных перенапряжений и грозовых разрядов. Рассчитали характеристики экрана кабеля. В диапазоне частот от 1 Гц до 10⁷ Гц были простроены такие характеристики как общий коэффициент экранного затухания, затухание поглощения и отражения, как электрической составляющей, так и магнитной и сопротивление диэлектрика магнитного поля и электрического поля.

Полученные в ходе выполнения проекта знания являются базой для дальнейшего изучения специальных дисциплин и могут быть применены в дальнейшем при разработке различных схем защиты. И знание основ электромагнитной совместимости просто необходимо не только мне, как будущему специалисту, но и людям, занимающимся любой радиоэлектроникой.

Библиографический список

1 Мартышевский Н.Е., Хоров А.С., Правила защиты устройств проводной связи, железнодорожной сигнализации и телемеханики от опасного и мешающего влияний линии электропередачи. Ч.1. 1966г.

2 Харламов В.Ф. Испытания эффективности и расчет защитного заземления / В.Ф. Харламов, Б.П. Баталов, Л.Я. Уфимцева. Омск: Омский государственный университет путей сообщения, 1993. 42 с.

3 Н.А. Володина, Р.Н. Карякин и др. Основы электромагнитной совместимости. Барнаул - 2007.

4 Стандарт предприятия. СТП ОмГУПС-3.1-05.

5 Кравченко В.И. Грозозащита радиоэлектронных средств: Справочник- М.:Радио и связь 1991.-264 с. ил.

6 Гост 33398 железнодорожная электросвязь. Правила защиты проводной связи от влияния тяговой сети электрифицированных железных дорог постоянного и переменного тока, Москва. 2016г.

7 Варистор: http://www.fotorele.net/pdf/varistory_CH-2A_CH2-2B_SN2-2G_SN2-2D.pdf.

8 Предохранители(плавкие вставки): http://www.chipdip.ru/catalog/fuses/.

9 Разрядники: http://www.vaco.ryazan.ru/HTMLs/gaps/p-125.htm.

10 Варисторы: http://www.eandc.ru/catalog/detail.php?ID=14719.

11 Защитный диод: http://www.chipdip.ru/product/1.5ke22ca/.

ПРИЛОЖЕНИЕ А

(обязательное)

Поперечное сечение кабелей

Рисунок А1 - Сечение кабеля МКПАБп

Рисунок А2 - Сечение кабеля ТПП

Рисунок А3 - Сечение кабеля СБПБ

Рисунок А4 - Сечение волновода