Материал: Расчет электронно-дырочного перехода

Расчет электронно-дырочного перехода

Министерство образования и науки Российской Федерации

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Южно-Уральский государственный университет»

(Национальный исследовательский университет)

Факультет «Компьютерных технологий, управления и радиоэлектроники»

Кафедра «Конструирование и производство радиоаппаратуры»

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА К КУРСОВОЙ РАБОТЕ

по дисциплине «Физика твердого тела»

Расчёт электронно-дырочного перехода

Руководитель В.А. Бухарин

Автор проекта студент группы КТУР-281

М.В. Колыхматов

Челябинск 2016

Исходные данные

Электронно-дырочный переход формируется диффузией фосфора в кремниевую подложку p-типа с концентрацией исходной примеси N_исх. Поверхностные концентрации примеси фосфора N_0Д. Глубина залегания p-n-перехода X. Определить вольтамперную характеристику, барьерную и диффузионную ёмкости, пробивное напряжение электронно-дырочного перехода.

Таблица 1

Исходные данные p-n перехода

№ вар.      N_исх, N_0Д,

X,

мкм
6	2

Содержание пояснительной записки:

1) Аннотация.

) Оглавление.

) Анализ технического задания.

) Введение.

) Описание технологии изготовления электронно-дырочного перехода

) Расчётная часть.

) Конструкция диода современной твердотельной САПР

) Классификация разработанного электронно-дырочного перехода по граничной частоте и рассеиваемой мощности.

) Основные особенности использования диодных структур в интегральных схемах.

) Заключение.

) Список литературы.

Календарный план

электронный дырочный переход диодный

Наименование разделов курсовой работы	Срок выполнения разделов работы	Отметка руководителя о выполнении
Выдача задания к курсовой работе	03.02.2016
Изучение литературы по теме электронно-дырочного перехода	24.02.2016
Расчёт вольтамперной характеристики, барьерной и диффузионной ёмкости, пробивного напряжения электронно-дырочного перехода в черновом виде	24.03.2016
Расчет вольтамперной характеристики, барьерной и диффузионной ёмкости, пробивного напряжения электронно-дырочного перехода в чистовом виде	21.04.2016
Оформление работы	19.05.2016

АННОТАЦИЯ

Колыхматов М. В. Расчёт электронно-дырочного перехода. - Челябинск: ЮУрГУ, КТУР, 2016, с. 32, 19 илл., Библиография литературы - 11 наименований, приложение -1.

В данной работе ставилась задача изучить литературу по теме электронно-дырочного перехода, определить вольтамперную характеристику, барьерную и диффузионную ёмкости, пробивное напряжение, граничную частоту, максимальную мощность рассеивания электронно-дырочного перехода.

В работе были рассчитаны характеристики полупроводникового диода, изготовленного по диффузионной технологии. Рассмотрены технологии изготовления, принцип действия, физические процессы в полупроводниковых диодах. Изучено применение диодных структур в интегральных схемах. Дано наглядное изображение полупроводникового диода.

ОГЛАВЛЕНИЕ

ЗАДАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

. АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ

. ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

. РАСЧЕТНАЯ ЧАСТЬ

. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ДИОДНЫХ СТРУКТУР В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ

. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

. БИБИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

ПРИЛОЖЕНИЯ

ВВЕДЕНИЕ

Полупроводниковый диод - это электро-преобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами, в котором используются свойства р-n- перехода.

Полупроводниковые диоды классифицируются:

1)      по назначению: выпрямительные, высокочастотные и сверхвысокочастотные (ВЧ- и СВЧ- диоды), импульсные, полупроводниковые стабилитроны (опорные диоды), туннельные, обращенные, варикапы и др.;

2)      по конструктивно - технологическим особенностям: плоскостные и точечные;

)        по типу исходного материала: германиевые, кремниевые, арсенидо - галлиевые и др.

Рисунок 1 Устройство точечных диодов

Для изготовления германиевых точечных диодов к пластинке германия приваривают проволочку из вольфрама, покрытого индием. Индий является для германия акцептором. Полученная область германия р-типа является эмиттерной.

Для изготовления кремниевых точечных диодов используется кремний n- типа и проволочка, покрытая алюминием, который служит акцептором для кремния.

В плоскостных диодах р-n-переход образуется двумя полупроводниками с различными типами электропроводности, причем площадь перехода у различных типов диодов лежит в пределах от сотых долей квадратного миллиметра до нескольких десятков квадратных сантиметров (силовые диоды).

Плоскостные диоды изготовляются методами сплавления (вплавления) или диффузии (2).

Рисунок 2 Устройство плоскостных диодов, изготовленных сплавным (а) и диффузионным методом (б)

В пластинку германия n-типа вплавляют при температуре около 500°С каплю индия (рис. 2, а) которая, сплавляясь с германием, образует слой германия р-типа. Область с электропроводностью р-типа имеет более высокую концентрацию примеси, нежели основная пластинка, и поэтому является эмиттером. К основной пластинке германия и к индию припаивают выводные проволочки, обычно из никеля. Если за исходный материал взят германий р-типа, то в него вплавляют сурьму и тогда получается эмиттерная область n- типа.

Диффузионный метод изготовления р-n-перехода основан на том, что атомы примеси диффундируют в основной полупроводник (рис. 2, б). Для создания р-слоя используют диффузию акцепторного элемента (бора или алюминия для кремния, индия для германия) через поверхность исходного материала.

1. АНАЛИЗ ТЕХНИЧЕСКОГО ЗАДАНИЯ

В ходе работы необходимо будет рассчитать полупроводниковый диод. В задании на курсовое проектирование приведены только основные величины, которых недостаточно для полного расчета параметров полупроводникового диода. Поэтому, в расчетной части будут указаны дополнительные величины и их значения, необходимые для проведения расчёта. Исходя из задания, следует, что полупроводниковый диод изготавливается по диффузионной технологии.

Диффузия - это взаимное проникновение соприкасающихся веществ друг в друга вследствие теплового движения частиц вещества. Диффузия происходит в направлении падения концентрации вещества и ведёт к равномерному распределению вещества по всему занимаемому им объёму (к выравниванию химического потенциала вещества). Коэффициент диффузии в твёрдых телах крайне чувствителен к дефектам кристаллической решётки, возникшим при нагреве, напряжениях, деформациях и других воздействиях. Увеличение числа дефектов (вакансий) облегчает перемещение атомов в твёрдом теле и приводит к росту коэффициента диффузии, для которого в твёрдых телах характерна резкая (экспоненциальная) зависимость от температуры. В результате диффузии носителей в полупроводниках возникает электрический ток, перемещение носителей заряда в полупроводниках обусловлено неоднородностью их концентрации. Для создания полупроводникового диода в одну из поверхностей германия вплавляют индий. Вследствие диффузии атомов индия в глубь монокристалла германия в нем образовывается р-n-переход, по которому может идти значительный ток при минимальном сопротивлении. Диффузия имеет широкое применение в повседневной жизни, используется практические во всех отраслях промышлености - от легкой до тяжелой.

2. ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНОГО ПЕРЕХОДА

Исторически первые полупроводниковые диоды изготавливались с помощью иглы (контакта), с помощью которой выбирали микрокристалл, образующий с основной массой p-n- переход. Эти диоды были относительно высокочастотными, но работали с малыми мощностями.

Первые силовые полупроводниковые диоды назывались купроксные и селеновые выпрямители. В первых - медная пластина со слоем закиси меди с нанесенной поверх металлизацией (выпрямляющий контакт Cu-Cu₂O).

Во вторых - металлическая пластина, покрытая слоем закристаллизованного селена, поверх которого нанесен слой легирующего металла (переход p-Se - n-Se).

Точечные диоды - малые емкости, высокие рабочие частоты, малые мощности:

Рисунок 3 Точечный диод

Сплавные диоды - высокие рабочие токи и напряжения, но значительные емкости и низкие рабочие частоты:

Рисунок 4 Сплавной диод

Планарная диффузионная технология:

Рисунок 5 Планарная диффузионная технология

Планарная эпитаксиальная и эпитаксиально-диффузионная технология:

Рисунок 6 Планарная эпитаксиальная и эпитаксиально-диффузионная технология

Меза-диффузионная и меза-эпитаксиальная технологии - уменьшение площади перехода (для уменьшения емкостей и увеличения рабочих частот) специальным травлением:

Рисунок 7 Меза-диффузионная и меза-эпитаксиальная технологии

Локос-технология - уменьшение площади перехода локальным объемным

Рисунок 8 Локос-технология

3. РАСЧЕТНАЯ ЧАСТЬ

Процесс диффузии выражается формулой [7, с. 260]:

 

, (1)

где  - концентрация примеси на расстоянии  от поверхности диффузии по истечении времени диффузии , см^-3;

 - концентрация примеси в начальной точке на поверхности, см^-3;

 - коэффициент диффузии, см²/с;

 - расстояние от поверхности диффузии, см;

- время диффузии, с.

Диффузия фосфора в кремниевую подложку проводится при температуре 1000 - 1200^о C. В данной работе диффузия для фосфора производится при температуре 1400 К. Энергия активации - минимальное количество энергии, которое должны получить электроны донорной примеси, для того чтобы попасть в зону проводимости. По формуле (2) рассчитываем коэффициенты диффузии фосфора. [11, с. 11]:

, (2)

где  - предэкспоненциальный множитель диффузии, м²∙с;

 - энергия активации электрона, эВ;

 - постоянная Больцмана; = 8.61∙10^-5 эВ/К;

 - температура диффузии; = 1400 К.

Значения для и  фосфора приведены в приложении 3 [ 1, c.107]:

= 10,5см²/с;

= 3,7 эВ.

Подставив все значения в формулу (2), получаем коэффициент диффузии фосфора:

м²/с.

Учитывая, что на глубине залегания p-n перехода X = 210^-6 м должно выполняться условие N_исх=510¹⁶ см^-3, N_од=210¹⁸ см^-3, для определения времени диффузии фосфора необходимо провести преобразования формулы (1) и получим:

, (3)

Подставив в формулу (3) известные величины, получим:

t = 5.529410³ с.

После окончания процесса диффузии фосфора в кремниевую подложку концентрация примеси на поверхности кристалла стала равной .

Для того, чтобы определить концентрацию сформировавшейся донорной примеси на расстоянии глубины залегания p-n перехода, обусловленной диффузией фосфора, воспользуемся формулой процесса диффузии (1):

. (4)

Суммарная концентрация доноров после процесса диффузии на глубине залегания эмиттерного перехода равна .

На рисунке (9) представлен график распределения примесей после диффузии:

Рисунок 9 Зависимость концентрации от глубины p-n перехода

На рисунке (10) представлено результирующее распределение N(x) в логарифмированном масштабе.

Рисунок 10 Логарифмированный график функции N(x)

Ширина плавного перехода находится по формуле [1, с. 25]:

 (5)

где ????₀ - диэлектрическая постоянная, ????₀=8,85∙10^-12 Ф/м;

???? - относительная диэлектрическая проницаемость, ???? = 12;

U_полн - полное напряжение на переходе, в данном случае ;

 - градиент концентрации примеси в плавном p-n-переходе.

Для расчета ширины p-n-перехода необходимо найти градиент концентрации донорной примеси, определяющейся как первая производная от концентрации соответствующей примеси и выражаются следующей формулой:

 (6)

После подстановки численных значений в формулу (6) получаем:

=1,844410²¹

Также необходимо найти  - контактную разность потенциалов. Она может быть найдена из решения трансцендентного уравнения [11, с. 25]:

, (7)

Где X - глубина залегания перехода, X=210^-6 м;

 - концентрация носителей заряда в собственном (нелегированном) полупроводнике, = см ^-3.

- параметр, зависящий от отношения , =40 Решим уравнение графическим методом.

Рисунок 11 Решение трансцендентного уравнения

Получаем =0,7096 В.

Получив неизвестные переменные, рассчитаем ширину p-n перехода по формуле (5):

3,111810^-5 м

Для того чтобы построить вольт-амперную характеристику диода, воспользуемся известной формулой Шокли:

, (8)

где - температура, 300 К;- площадь перехода, 10^-8 м;

 - постоянная Больцмана, 1,38∙10^-23 Дж/К;

 - заряд электрона, 1,6∙10^-19 Кл;

 - ток насыщения, который определяется формулой [4, с. 276]:

 (9)

где =12 см²/с, =12 см²/с коэффициенты диффузии неосновных носителей есть физические константы полупроводника (прил. 5) [1, с. 108];

, - концентрации основных и неосновных носителей заряда;

 и  - диффузионные длины носителей заряда, которые мы можем найти по формулам:

, (10)

, (11)

Время жизни неосновных носителей найдём по формулам [1, c. 30]:

, (12)

, (13)

где ,  - средние тепловые скорости электронов и дырок;

,  - сечения захвата рекомбинационных центров для электронов и дырок.

Средняя тепловая скорость электронов определяется по формуле [5, c.48]:

, (14)

где  - постоянная Больцмана, Дж/К;

 = 300 - абсолютная температура, К;

 - эффективная масса носителей заряда, кг.

Эффективная масса носителей заряда определяется по формулам [9, с. 238]:

,,     (15)                              ,            (16)

где  - эффективная масса электронов, кг;

 - эффективная масса дырок, кг;

 - масса покоя электрона, кг.

Подставив известные значения в формулы (15) и (16), получаем:

 = 2,36∙10^-31 кг,

 = 4,459∙10^-31 кг.

Подставляя в формулу (14) найденные значения, определяем тепловые скорости электронов и дырок:

 м/с =2,2911·10⁷ см/с,

 м/с =1,6689·10⁷ см/c.

Сечения захвата рекомбинационных центров для электронов и дырок:

 = 7,065*10^-19

 = 7,065*10^-21

После подстановки всех неизвестных переменных в формулы (12) и (13) получаем:

 = 4,4509·10^-12 с,

 =1,2356·10^-10 с.

Подставляем получившиеся значения в формулы (11) и (12) получим диффузионные длины носителей заряда:

= 7,1334·10^-6

= 6,4814·10^-5

Концентрации основных и неосновных носителей заряда можно найти следующим способом:

, (17)

, (18)

где  - собственная концентрация,  = 1,5∙10¹⁶ м^-3.

Подставив значения получим:

 = 4500 см^-3;

 = 112,5 см^-3.

Подставляя в формулу (9) найденные значения, определяю ток насыщения:

 = 4,0797·10^-10, А

На рисунке (12) представлена вольт-амперная характеристика идеального диода.

Рисунок 12 Вольт-амперная характеристика диода

 

 (19)

где  - ширина запрещенной зоны полупроводника, =1.11 эВ;

- градиент концентрации примесей.

В результате подстановки найденных нами переменных, подставим значения в формулу (23), в итоге:

 = 29,3339, В

Расчёт барьерной емкости буду вести по формуле [7, c. 147]:

,                          (20)

где  - площадь соответствующего перехода, 10^-4 см²;

ширина соответствующего перехода, см;

= 0,7096 - диффузионный потенциал для кремния, В;

ε = 11,8 - относительная диэлектрическая проницаемость кремния;

 - электрическая постоянная, Ф/см;

U - напряжение смещения перехода, В.

Рисунок 13 Зависимость барьерной емкости от обратного напряжения

При нулевом напряжении смещения барьерная емкость равна 0,2859 нФ.

Диффузионная емкость описывается следующим выражением [2, с. 103]:

, (21)

 

где - время жизни дырок,  = ;

- время жизни электронов,  = ;

 - температурный потенциал,  = 0,0255 В при Т = 300 К.

На рисунке (13) показана зависимость диффузионной емкости от прямого напряжения.

Рисунок 13 Зависимость диффузионной емкости от прямого напряжения

Диффузионная емкость растет с увеличением времени жизни неосновных носителей ,  или диффузионной длины ,, так как при этом происходит увеличение числа накопленных избыточных носителей в областях. Диффузионная емкость зависит от частоты. С повышением частоты емкость уменьшается, так как скопление избыточных зарядов не успевает за изменением напряжения на p-n- переходе.

Найдём граничную частоту полученного p-n перехода. Для этого воспользуемся следующей формулой:

,                                             (22)

где  - граничная частота, Гц;

 - сопротивление n-области, Ом;

 - барьерная ёмкость, = 0,33559 нФ.

Рассчитаем сопротивление n-области

,                              (23)

где  - сопротивление p-области, Ом;

 - удельное сопротивление p-области, Ом∙м;

 - толщина n-области, l=10 ^-6 м;

 - площадь p-n перехода, S=1∙10^-8 м².

Удельное сопротивление n-области находится по следующей формуле:

,                                (26)

где  - удельное сопротивление n-области, Ом∙м;

 - удельная проводимость, См.

Удельную проводимость можно найти по формуле:

,                            (27)

где  - удельная проводимость, См;

N_д- концентрация доноров на границе ОПЗ, N=N_исх;

 - подвижность электронов,  см²/В∙с.

Получим:

= 12 .

 = 0,0833 Ом∙м.

 = 8,333 Ом.

 =3,5758 МГц.

Произведём тепловой расчёт.

 

4. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ДИОДНЫХ СТРУКТУР В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ

Интегральная микросхема (ИМС) - это конструктивно законченное изделие электронной техники, выполняющее определенную функцию преобразования информации и содержащее совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (ЭРЭ), изготовленных в едином технологическом цикле. Термин «интегральная микросхема» отражает: объединение значительного числа транзисторов, диодов, конденсаторов, резисторов и соединяющих проводников в единую конструкцию (конструктивная интеграция); выполнение схемой функций преобразования информации, более сложных по сравнению с функциями отдельных ЭРЭ (схемотехническая интеграция); выполнение в едином технологическом цикле одновременно всей схемы и межсоединений и одновременное формирование групповым методом большого числа одинаковых ИМС (технологическая интеграция).

Процесс создания полупроводниковой микросхемы сводится к формированию в приповерхностном слое полупроводниковой пластины элементов (транзисторов, диодов, резисторов) и к последующему их объединению в функциональную схему пленочными проводниками по поверхности пластины (межсоединения).

Для характеристики типа применяемых в ИМС транзисторов, а также технологических методов их изготовления пользуются понятием структура ИМС. В общем случае структура ИМС определяет последовательность слоев в составе микросхемы по нормали к поверхности кристалла, различающихся материалов, толщиной и электрофизическими свойствами. Так, в практике производства ИМС используют структуры на биполярных транзисторах (в частности, диффузионно-планарные, эпитаксиально-планарные и др.) на МДП-приборах, структуры И²Л и т. д. Заданная структура ИМС позволяет установить состав и последовательность технологических методов обработки пластины и определить технологические режимы для каждого метода.

На рисунке 14 представлен фрагмент ИМС с диффузионно-планарной структурой, включающий биполярный транзистор и резистор. Для одновременного формирования транзистора и резистора необходимо, чтобы р-область резистора и изолирующая его n-область имели глубину и электрофизические свойства, одинаковые с областями соответственно базы и коллектора транзистора. Аналогичное соответствие должно обеспечиваться для всех элементов, входящих в состав ИМС. Оно является главным признаком и непременным условием применения интегральной технологии и позволяет минимизировать число технологических операций, составляющих цикл обработки.

Таким образом, интегральная технология представляет собой совокупность методов обработки, позволяющую при наличии структурного подобия (технологической совместимости) различных элементов ИМС формировать их одновременно в едином технологическом процессе.

Важно отметить, что выпускаемые в составе той или иной серии ИМС различного функционального назначения имеют единую структуру и, следовательно, единую базовую технологию. Для базовой технологии характерны не только определенная технологическая последовательность обработки и определенный комплект оборудования, но и постоянная, отработанная настройка оборудования, т. е. жесткие технологические режимы. Последнее является существенным для экономичности и эффективности процесса производства ИМС.

Очевидно, что базовая технология не зависит от размеров элементов в плане, их взаимного расположения и рисунка межсоединений. Все эти свойства конкретной ИМС определяются в процессе топологического проектирования, а обеспечиваются фотолитографией - процессом избирательного травления поверхностных слоев с применением защитной фотомаски.

Рисунок 14 Фрагмент ИМС с диффузионно-планарной структурой: T - транзистор; R - резистор

Топология микросхемы - чертеж, определяющий форму, размеры и взаимное расположение элементов и соединений ИМС в плоскости, параллельной плоскости кристалла. Поскольку элементы и соединения формируются путем последовательного отдельных слоев (коллекторный слой, базовый слой и т. д.), различают общую и послойную топологию. По чертежу базового слоя, например, может быть разработан чертеж фотошаблона, с помощью которого создают окисную маску для избирательной диффузии примеси р-типа.

При заданном наборе элементов топология ИМС (точнее, рисунок межсоединений) определяет ее функциональные свойства. Можно представить себе кристалл, содержащий некоторый универсальный набор элементов (очевидно, с некоторой избыточностью) и сплошной слой металлизации. Такие кристаллы в составе общей пластины могут быть «доработаны» по желанию заказчика до конкретных функциональных ИМС в зависимости от рисунка межсоединений, выполненного с помощью соответствующего фотошаблона. Описанная универсальная пластина-заготовка, получившая название базового кристалла, позволяет обеспечить экономичность производства ИМС более узкого, специального применения, выпускаемых в небольших количествах.

Рисунок 15 Фрагменты общей (а) и послойной (базового слоя) (б) топологии ИМС: 1 - дефекты, возникшие на этапе металлизации; 2 - дефекты, возникшие на этапе диффузии примеси

Применение полупроводниковых интегральных микросхем, однако, ограничено рядом причин. Одна из них заключается в том, что производство полупроводниковых ИМС оказывается целесообразным лишь в крупносерийном и массовом производстве, когда становятся экономически оправданными значительные затраты на подготовку производства (главным образом на проектирование и изготовление комплекта фотошаблонов). Другая причина лежит в ряде ограничений на параметры элементов и ИМС в целом: невысокая точность диффузионных резисторов (±10%) и отсутствие возможности их подгонки, невозможность получать конденсаторы достаточно больших емкостей, температурные ограничения, ограничения по мощности и др.

Наряду с полупроводниковыми ИМС поэтому разрабатывают и выпускают комбинированные гибридные интегральные микросхемы. Технологической основой таких ИМС являются процессы нанесения резисторов, конденсаторов, проводников и контактов в виде пленок соответствующих материалов на диэлектрическую пассивную подложку. Поскольку активные элементы - транзисторы, диоды - не могут быть изготовлены по пленочной технологии, их изготовляют по известной полупроводниковой технологии, а затем монтируют на общей подложке (рисунок 16).

Рисунок 16 Фрагмент гибридной ИМС: R - резистор, С - конденсатор, ПП - кристалл полупроводникового прибора

Гибридная пленочная интегральная микросхема - ИМС, которая наряду с пленочными элементами, полученными с помощью интегральной технологии, содержит компоненты, имеющие самостоятельное конструктивное оформление. В зависимости от метода нанесения пленочных элементов на подложку различают тонкопленочные (напыление в вакууме) и толстопленочные (трафаретная печать) гибридные ИМС.

Стремление расширить область применения полупроводниковых ИМС привело к созданию другого типа комбинированных микросхем (рисунок 16). При их изготовлении полупроводниковую технологию совмещают с тонкопленочной технологией для создания некоторых пассивных элементов, к которым предъявляются повышенные требования по точности и температурной стабильности.

Рисунок 17 Фрагмент совмещенной ИМС: Т - транзистор, R - пленочный резистор

Совмещенная интегральная микросхема - это комбинированная интегральная полупроводниковая микросхема, в которой некоторые элементы (обычно пассивные) наносят на поверхность пластины (кристалла) методами пленочной технологии.

5. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Изучены общие сведения по диодам, физические принципы работы, технологии получения p-n перехода, использование диодных структур в интегральных микросхемах и другие особенности полупроводниковых приборов.

По разработанной методике был рассчитан p-n переход, полученный диффузионным методом.

6. БИБИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Королёв, В.Л. Конструирование полупроводниковых интегральных схем: учеб. пособие для студентов специальности 230.- « Конструирование и технология радиоэлектронных средств» / В.Л. Королев, Л.Д. Карпов. КрПИ. Красноярск, 1992, 118 с.

2. Тугов, Н.М. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов/ Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков; под ред. В.А. Лабунцова. М.: Энергоатомиздат, 2016. 576 с.

. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок: учебник для вузов/ Л.А. Коледов. М.: Радио и связь, 1989. 400 с.

4. Епифанов, Г.И. Физические основы микроэлектроники / Г.И. Епифанов. Москва: Советское радио, 1971. 276 с.

5. Пономарев, М.Ф. Конструкции и расчеты микросхем и микроэлементов: учебник для вузов / М.Ф. Пономарев. ЭВА. М.: Радио и связь, 1982. 288 с.

. Росадо, Л. Физическая электроника и микроэлектроника: учеб. пособие для студентов/ Л. Росадо. М.: Высшая школа, 1991.

. Степаненко, И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем / И.П. Степаненко. Москва: Энергия, 1977. 672 с.

8. Сугано, Т. Введение в микроэлектронику: пер. с япон. / Т. Сугано, Т. Икома, Е. Такэиси. М.: Мир, 1988. 320 с.

9. Трутко, А. Ф. Методы расчёта транзисторов / А.Ф. Трутко. Москва: Энергия, 1971. 272 с.

10. Шахгильдяна В.В. Проектирование радиопередающих устройств: Учеб. пособие для вузов / Под ред. В.В.Шахгильдяна. М.: Связь, 1976.

11. Королёв В. Л., Карпов Л. Д. Конструирование полупроводниковых интегральных схем: Учеб. пособие для студентов специальности 2303. « Конструирование и технология радиоэлектронных средств» / КрПИ. Красноярск, 1992, 118 с.

ПРИЛОЖЕНИЯ

Рисунок 18 Общий вид диода

Рисунок 19 Диод без корпуса