Статья: Имитация влияния космической радиации на эрозию конструкционных материалов. Имитация эрозии конструкционных материалов под воздействием космической радиации

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Обсуждение экспериментальных результатов. Полученные данные по изменению микротвердости поверхности образцов, облученных полиэнергетическим пучком ионов Не+ и Ar+ , свидетельствуют о влиянии дозы облучения. Наибольший эффект упрочнения поверхности материалов наблюдается при облучении сложнолегированных материалов (сталей 12Х18Н10Т, 0Х16Н15М3Б) ионами Не+ и чистых металлов (Ве, Al, Сu) ионами Ar .

Е -- ширина энергетического распределения на его полувысоте; Е -- средняя энергия ионов в пучке).

Как показали результаты исследования топографии поверхности облученных образцов, при воздействии полиэнергетическим пучком ионов рельеф поверхности претерпевает непрерывное изменение. Причем в диапазоне доз облучения D = 1 * 1020--1 * 1022ион /м2 формирование топографии поверхности связано в основном с образованием углублений на участках с характерными линейными размерами Lб= 1--10 мкм. Поскольку изменения рельефа поверхности (образование впадин -- выступов) проходят на относительно протяженных участках, их влияние на условия измерения Н оказываются незначительными. Анализ профилограмм облученных поверхностей и построенных гистограмм отклонений поверхности от средней линии выявляют некоторые отличия в процессе формирования рельефа поверхности для разных сочетаний атомная масса иона -- атомная масса мишени, которые заключаются в следующем: при облучении ионами с М1, > Мг (Аг--Be, Ar--Аl) рельеф поверхности определяется образованием впадин -- выступов с характерными размерами меньше ?Y < ±0,1 мкм (см. рис. 4, а); при облучении ионами с атомной массой, близкой к массе мишени, М1--Мг (Не--Be, Ar--Сu) шероховатость поверхности формируется за счет образования как впадин, так и выступов с величиной отклонения ?Y < ± 0,5 мкм, что подтверждается изменением гистограмм распределения N( ? Y) (см. рис. 4, б).

Полученные результаты свидетельствуют о наличии нескольких процессов формирования рельефа поверхности при облучении материалов полиэнергетическим пучком ионов Не+ и Аг+ которые, видимо, связаны с особенностью развития каскадов смещения в приповерхностных слоях материалов [4, 5].

Анализ зависимостей коэффициентов распыления SP(E) материалов при распылении полиэнергетическим пучком ионов Не+ позволяет сделать заключение, что одновременное, облучение ионами разных энергий приводит к изменению состояния приповерхностного слоя, ответственного за выход смещенных атомов к поверхности (например, более интенсивное образование дефектов и снижение энергии связи атомов в приповерхностном слое). В результате чего вероятность выхода в вакуум смещенных атомов увеличивается и коэффициент распыления растет. Отсутствие различий в Sp(E) при распылении полиэнергетическим пучком ионов аргона с разной величиной ?, по-видимому, связано с наличием релаксационных механизмов, которые интенсивно действуют при облучении тяжелыми ионами [6,7]. Обнаруженное изменение величин коэффициентов распыления с увеличением дозы облучения, видимо, связано, с одной стороны, с формированием равновесного рельефа поверхности, а с другой -- с образованием стабильной дефектней структуры в приповерхностном слое [8].

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. А.И. Акишин, Л.С. Новиков, Космонавтика, астрономия, 3/1985, М.:Знание 1985

2. Волков Н.В., Калин Б.А. Ионный ускоритель ВОКАЛ //Материаловедческие вопросы атомной техники. М.: Энергоатомиздат, 1991. С. 64 - 67.

3. Плешивцев Н. В. Катодное распыление. М.: Энергоатомиздат, 1967.

4. Almen О. Е., Bruce G. The experiments for bombardment and sputcring gas ions//J. Nucl. Instr. Methods. 1961. V. 11. P. 257 - 263.

5. Berich R. Sputtering by purticle bombardment//J. Solids. 1981. P. 281.

6. Бериш. Р. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. М.: Мир, 1984.

7. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М.: Мир, 1973.

8. Лейман К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов. М.: Атомиздат, 1979.