Материал: Mod2_vpt

Скачать файл

Заказать новую работу

Внимание! Если размещение файла нарушает Ваши авторские права, то обязательно сообщите нам

Дніпропетровський національний університет залізничного транспорту імені академіка В. Лазаряна

Львівська філія

Модуль 2 та предмету “Основи електроніки та автоматики РС”

для студентів спеціальності “Вагони”. Перелік теоретичних запитань

1.Біполярні транзистори. Конструкція та принцип роботи біполярних транзисторів.

2.Класифікація та системи позначення біполярних транзисторів.

3.Схеми увімкнення біполярних транзисторів.

4.Статичні характеристики та режими роботи біполярних транзисторів.

5.Первинні (фізичні) параметри біполярних транзисторів.

6.Біполярний транзистор як активний чотирьохполюсник. Система h-параметрів біполярного транзистора.

7.Визначення первинних параметрів транзистора через вторинні.

8.Схеми живлення кола бази транзисторів.

9.Температурна стабілізація робочої точки транзистора.

10.Польові (канальні, уніполярні) транзистори. Принцип роботи польового транзистора з управляючим p-n переходом.

11.Польові МДН-транзистори. Типи, принцип роботи, структура.

12.Класифікація та системи позначення польових транзисторів.

13.Характеристики, та параметри польових транзисторів.

14.Біполярні транзистори з ізольованим затвором (БТІЗ). Типи, конструкція та еквівалентні схеми. Переваги та недоліки.

15.Умовні позначення, характеристики та параметри БТІЗ-транзисторів.

16.Чотирьохшарові напівпровідникові структури. Принцип дії діністора та триністора.

17.Характеристики та параметри тиристорів.

18.Класифікація та системи позначення тиристорів та симісторів.

19.Напівпровідникові фоторезистори. Конструкція, умовне позначення, принцип роботи, характеристики і параметри.

20.Напівпровідникові фотодіоди і сонячні батареї. Конструкція, умовне позначення, принцип роботи, характеристики і параметри.

21.Напівпровідникові фототранзистори та фототиристори. Конструкція, умовне позначення, принцип роботи, характеристики і параметри.

22.Оптрони (оптопари). Типи, умовне позначення, характеристики і параметри.

Перелік практичних завдань Задача 1:

За статичними характеристиками біполярного транзистора, увімкненого за схемою зі спільним емітером, визначити його h-параметри та внутрішні фізичні параметри Т-подібної схеми заміщення. Тип транзистора вибирається з таблиці 1.

Необхідно:

1Зарисувати вхідні та вихідні статичні характеристики транзистора.

2Накреслити схеми увімкнення та заміщення транзистора.

3Визначити hе-параметри.

4Обчислити внутрішні фізичні параметри Т-подібної схеми заміщення транзистора.

5Визначити вхідний (rвх) та вихідний (rвих) опори транзистора, увімкненого за схемою зі

спільним емітером. Таблиця 1

Варіант	Транзистор	Варіант	Транзистор
1	КТ201Г	6	ГТ405А
2	КТ312Б	7	КТ208К
3	КТ3107Е	8	КТ3102Г
4	ГТ404В	9	ГТ403Ж
5	КТ501М	0	КТ215Д-І

			Транзистор КТ201Г
I0,8мА				IК, мА
Б				IК, мА
	КТ201Г			50
0,7	КТ201Г						0,5	КТ201Г
0,7				40			0,5	КТ201Г
0,6		UКЕ=0	5 В	40			0,4
0,5				30			0,3
0,5								0,2
0,4								0,2
0,4
0,3				20					0,1
0,2				10			IБ = 0,05 мА
0,1				10
0,1
0				0					UКЕ, В
0,2	0,4	0,6	UБЕ0,8В	0	2	4	6	8	UКЕ, В
0,2	0,4	0,6	UБЕ0,8В	0	2	4	6	8		10
			Транзистор КТ208К

2	мА					10
IБ,	мА		КТ208К			10
			КТ208К			IК, мА	40
1,6							40		30
1,6				5 В		8			30
		UКЕ=0 В				8				КТ208К

									20
1,2						6			20
1,2						6				15
										15
0,8						4				10
										10
0,4						2				IБ = 5 мкА
0						0					UКЕ, В
0						0	10	20	30	40	UКЕ, В
	0,5	0,6	0,7	0,8	UБЕ0,9В	0	10	20	30	40		50
	0,5	0,6	0,7	0,8	UБЕ0,9В

				Транзистор КТ215Д-І
10					I , мА
IБ, мкА					I , мА
		UКЕ=0 В		5 В	2К			20	КТ215Д-І
		UКЕ=0 В		5 В				20	КТ215Д-І
8	КТ215Д-І				1,6				16
	КТ215Д-І				1,6				16
6					1,2					12
					1,2					12
4					0,8					8
					0,8					8
2					0,4					4
0					0			IБ = 2 мкА
0					0
0,2	0,3	0,4	0,5	UБЕ0,6В	0	2	4	6	8	UКЕ10, В
				UБЕ0,6В	0	2	4	6	8	UКЕ10, В

			Транзистор КТ312Б
IБ1, мА				I , мА
IБ1, мА	КТ312Б			К50		КТ312Б				60
0,8	КТ312Б			40		КТ312Б				60
0,8				40						50
	UКЕ=0 В			30						50
0,6	UКЕ=0 В			30						40
			5 В	20						30
0,4			5 В
										20

				10
0,2				10					IБ=10мкА
0,2									IБ=10мкА
0				0						UКЕ, В
0			UБЕ, В	0	5	10	15	20	25	UКЕ, В
0	0,2	0,4	UБЕ, В	0	5	10	15	20	25	30
0	0,2	0,4	0,6
			Транзистор КТ3102Г

I , мА

Б1

0,8

UКЕ=0 В	5 В

0,6

0,4

КТ3102Г

0,2

0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	UБЕ, В
					0 9

IК, мА
45			5
40			5		4	КТ3102Г
35					4	КТ3102Г
35
30						3
25							2
20							2
20						IБ = 1 мкА
15						IБ = 1 мкА
10
5
0								UКЕ, В
0	2	4	6	8	10	12	14	UКЕ, В
0	2	4	6	8	10	12	14	16

Транзистор КТ3107Е

50IБ, мА							IК, мА						0,8	КТ3107Е
	КТ3107Е						160						0,8	КТ3107Е
40														0,6
	UКЕ=0 В			5 В			120							0,6
30	UКЕ=0 В			5 В			120								0,4
30															0,4
20							80								0,3
20															0,2
							40								0,2
10							40
10
0							0						IБ = 0,1 мА
0					U	, В	0
0,2	0,4	0,6	0,8	1	U	, В	0	1	2	3	4	5	6	7	8UКЕ, В9
0,2	0,4	0,6	0,8	1	БЕ1,2		0	1	2	3	4	5	6	7	8UКЕ, В9
						Транзистор ГТ403Ж

0,5							IК, А
IБ, А							IК, А					50	40
	ГТ403Ж						1					50	40	30	ГТ403Ж
0,4	ГТ403Ж														ГТ403Ж
0,4							0,8
							0,8
0,3							0,6									20
0,3		UКЕ=0 В					0,6
		UКЕ=0 В		5 В
0,2				5 В			0,4									10
0,1							0,2							IБ = 5 мА
							0							IБ = 5 мА		UКЕ, В
0							0									UКЕ, В
0	0,2	0,4	0,6	0,8	1	1,2	0	2	4	6	8	10	12	14	16	18	20
0	0,2	0,4	0,6	0,8	1	1,2	0	2	4	6	8	10	12	14	16	18	20
						UБЕ, В
						Транзистор ГТ404В

IБ14, мА
12	ГТ404В
10	ГТ404В
10
8	UКЕ=0 В			1,5 В
6				1,5 В
6
4
2
0					UБЕ, В
0	0,2	0,4	0,6	0,8	UБЕ, В
0	0,2	0,4	0,6	0,8	1

IК, мА						10		ГТ404В
450						8		ГТ404В
300							6
300								4
								4
150							IБ = 2 мА
0								UКЕ, В
0	5	10	15	20	25	30	35	40	45

				Транзистор ГТ405А
IБ1, мА						I К, мА
	ГТ405А					200	ГТ405А			1,8
0,8	ГТ405А						ГТ405А			1,8
0,8						160				1,4
			5 В			160				1,4
	UКЕ=0 В		5 В
0,6	UКЕ=0 В					120				1,0
0,6

0,4										0,8
0,4						80				0,6
						80				0,6
0,2						40				0,4
0,2						40			IБ = 0,2 мА
									IБ = 0,2 мА
0				U	В	0				UКЕ, В
0	0,1	0,2	0,3	U	В
0	0,1	0,2	0,3	БЕ0,4		0	5	10	15
						0	5	10	15	20
				Транзистор КТ501М

I , мА
Б
2
1,8	КТ501М
1,6
1,4
1,2	UКЕ=0 В		5
1
0,8
0,6
0,4
0,2
0
0,5	0,6	0,7	0,8	U0,9БЕ, В

18	КТ501М					0,3	0,
IК, мА	КТ501М						0,
16							0,2
14							0,2
14								0,2
12								0,2
12								0,15
10								0,15
8								0,1
6
4							IБ = 0,05
2
0								UКЕ, В
0	5	10	15	20	25	30	35	UКЕ, В
0	5	10	15	20	25	30	35	40

Смотрите также:


«ДОХОДЫ, РАСХОДЫ И ПРИБЫЛЬ КОММЕРЧЕСКОГО БАНКА.»
«ДОХОДЫ, РАСХОДЫ И ПРИБЫЛЬ КОММЕРЧЕСКОГО БАНКА.»
Значение, сущность и содержание социально — педагогической деятельности в организации для детей-сирот и детей, оставшихся без попечения родителей
__RGR2
__RGR2
_11_А. Франс для эл версии
_индив анализ данных
- Интерфейс 485 и оптопорт 11
:Конвергентный подход к проектированию дополнительных общеобразовательных общеразвивающих программ